公开(公告)号：CN104833677A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510227560.5

申请日：2015-05-06

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 苏静 ,  裴世鑫 ,  王迪 ,  桑琳 ,  郝蒙萌 ,  张黎

IPC: G01N21/84

Abstract: 本发明涉及一种确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术，使用微型溶液晶体生长装置来确定溶液晶体生长溶解度曲线，包括晶体生长槽和生长槽温度控制器，晶体生长槽上设有进气孔、出气孔和补料孔，首先在室温下量取适量晶体生长溶液，加入到微型溶液晶体生长装置的晶体生长槽中；称取晶体，从补料孔加入到晶体生长槽中；待晶体充分溶解，通过生长槽温度控制器缓慢的升高晶体生长槽内的温度，与此同时，通过显微镜观察晶体生长槽内晶体溶解情况。本发明的确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术结合了晶体生长装置和显微技术，操作简单，易于观察，精度高，适用于多数无机、有机以及有机-无机杂合溶液晶体的测定。

公开(公告)号：CN104833677B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201510227560.5

申请日：2015-05-06

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 苏静 ,  裴世鑫 ,  王迪 ,  桑琳 ,  郝蒙萌 ,  张黎

IPC: G01N21/84

Abstract: 本发明涉及一种确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术，使用微型溶液晶体生长装置来确定溶液晶体生长溶解度曲线，包括晶体生长槽和生长槽温度控制器，晶体生长槽上设有进气孔、出气孔和补料孔，首先在室温下量取适量晶体生长溶液，加入到微型溶液晶体生长装置的晶体生长槽中；称取晶体，从补料孔加入到晶体生长槽中；待晶体充分溶解，通过生长槽温度控制器缓慢的升高晶体生长槽内的温度，与此同时，通过显微镜观察晶体生长槽内晶体溶解情况。本发明的确定溶液晶体生长溶解度曲线的光学显微技术结合了晶体生长装置和显微技术，操作简单，易于观察，精度高，适用于多数无机、有机以及有机‑无机杂合溶液晶体的测定。