-
公开(公告)号：CN102792477A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201180013522.X
申请日：2011-03-09
Applicant: 北陆电气工业株式会社
IPC: H01L41/22
CPC classification number: H01L41/316 , H01L41/1132 , H01L41/1876
Abstract: 提供一种具备PZT膜的传感器元件的制造方法，能够形成优质且大致均匀的PZT膜。在具有550μm以上的厚度的SOI衬底31的一面上形成下部电极E0。在从SOI衬底31的另一面侧加热了SOI衬底31的状态下，在下部电极E0之上形成PZT膜37。对PZT膜37实施蚀刻处理，形成规定的PZT膜图案19。在PZT膜图案19之上形成与下部电极E0相对置的规定图案的上部电极E1。对SOI衬底31的另一面实施研磨加工，使SOI衬底31的厚度薄到使PZT膜图案19的特性有效地发挥的规定厚度。之后，从SOI衬底31的另一面实施蚀刻处理，形成具有可挠性的可挠部11。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104752602B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510117615.7
申请日：2011-03-09
Applicant: 北陆电气工业株式会社
IPC: H01L41/316
CPC classification number: H01L41/316 , H01L41/1132 , H01L41/1876
Abstract: 提供一种具备PZT膜的传感器元件的制造方法，能够形成优质且大致均匀的PZT膜。在具有550μm以上的厚度的SOI衬底31的一面上形成下部电极E0。在从SOI衬底31的另一面侧加热了SOI衬底31的状态下，在下部电极E0之上形成PZT膜37。对PZT膜37实施蚀刻处理，形成规定的PZT膜图案19。在PZT膜图案19之上形成与下部电极E0相对置的规定图案的上部电极E1。对SOI衬底31的另一面实施研磨加工，使SOI衬底31的厚度薄到使PZT膜图案19的特性有效地发挥的规定厚度。之后，从SOI衬底31的另一面实施蚀刻处理，形成具有可挠性的可挠部11。
-
公开(公告)号：CN103765160B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280042188.5
申请日：2012-09-03
Applicant: 北陆电气工业株式会社
IPC: G01C19/5719 , H01L41/047 , H01L41/08
CPC classification number: G01C19/56 , G01C19/5733 , G01P15/12 , G01P15/18 , H01L41/047 , H01L41/0475 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1132
Abstract: 本发明提供一种提高绕Z轴方向的轴产生的检测灵敏度精度、另外并且不会使绕X轴方向/Y轴方向的轴产生的检测灵敏度精度劣化的振动型的角速度传感器。重锤（3）具有圆柱状或者圆锥状。膜片（1）的外周部的轮廓形状具有在四边形的四角具有直线部（ST）的形状。在由第1假想线（L1）以及第2假想线（L2）分隔的4个区域内分别形成4个振动激励用电极（11）。在由第1假想对角线（CL1）和第2假想对角线（CL2）分隔的4个区域中分别形成4个角速度检测用电极（13）。
-
公开(公告)号：CN104752602A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510117615.7
申请日：2011-03-09
Applicant: 北陆电气工业株式会社
IPC: H01L41/316
CPC classification number: H01L41/316 , H01L41/1132 , H01L41/1876
Abstract: 提供一种具备PZT膜的传感器元件的制造方法，能够形成优质且大致均匀的PZT膜。在具有550μm以上的厚度的SOI衬底31的一面上形成下部电极E0。在从SOI衬底31的另一面侧加热了SOI衬底31的状态下，在下部电极E0之上形成PZT膜37。对PZT膜37实施蚀刻处理，形成规定的PZT膜图案19。在PZT膜图案19之上形成与下部电极E0相对置的规定图案的上部电极E1。对SOI衬底31的另一面实施研磨加工，使SOI衬底31的厚度薄到使PZT膜图案19的特性有效地发挥的规定厚度。之后，从SOI衬底31的另一面实施蚀刻处理，形成具有可挠性的可挠部11。
-
公开(公告)号：CN102792477B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201180013522.X
申请日：2011-03-09
Applicant: 北陆电气工业株式会社
IPC: H01L41/316
CPC classification number: H01L41/316 , H01L41/1132 , H01L41/1876
Abstract: 提供一种具备PZT膜的传感器元件的制造方法，能够形成优质且大致均匀的PZT膜。在具有550μm以上的厚度的SOI衬底31的一面上形成下部电极E0。在从SOI衬底31的另一面侧加热了SOI衬底31的状态下，在下部电极E0之上形成PZT膜37。对PZT膜37实施蚀刻处理，形成规定的PZT膜图案19。在PZT膜图案19之上形成与下部电极E0相对置的规定图案的上部电极E1。对SOI衬底31的另一面实施研磨加工，使SOI衬底31的厚度薄到使PZT膜图案19的特性有效地发挥的规定厚度。之后，从SOI衬底31的另一面实施蚀刻处理，形成具有可挠性的可挠部11。
-
公开(公告)号：CN103765160A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280042188.5
申请日：2012-09-03
Applicant: 北陆电气工业株式会社
IPC: G01C19/5719 , H01L41/047 , H01L41/08
CPC classification number: G01C19/56 , G01C19/5733 , G01P15/12 , G01P15/18 , H01L41/047 , H01L41/0475 , H01L41/0805 , H01L41/0973 , H01L41/1132 , G01C19/5719
Abstract: 本发明提供一种提高绕Z轴方向的轴产生的检测灵敏度精度、另外并且不会使绕X轴方向/Y轴方向的轴产生的检测灵敏度精度劣化的振动型的角速度传感器。重锤（3）具有圆柱状或者圆锥状。膜片（1）的外周部的轮廓形状具有在四边形的四角具有直线部（ST）的形状。在由第1假想线（L1）以及第2假想线（L2）分隔的4个区域内分别形成4个振动激励用电极（11）。在由第1假想对角线（CL1）和第2假想对角线（CL2）分隔的4个区域中分别形成4个角速度检测用电极（13）。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.023 seconds)
