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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105068190A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510548810.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G02B6/35
CPC classification number: G02B6/3518 , G02B6/3584
Abstract: 本发明公开了一种MEMS光开关，包括驱动模块、折叠梁、支撑梁、微反射镜、输入光纤和输出光纤，其中微反射镜位于支撑梁中间位置，支撑梁的两端设置有驱动模块，驱动模块侧面设置有折叠梁；沿支撑梁方向顺向排布的驱动模块为静电梳齿驱动结构，由可动梳齿和固定梳齿组成，微反射镜为M形，其中间部位形成尖端，通过改变输入光纤与M形微反射镜中间部位尖端的相对位置，使得来自输入光纤的输入光通过微反射镜不同位置处的反射传输至不同的输出光纤。本发明在相同驱动电压的作用下，左右两驱动端产生同向的静电力，其合力为传统单端驱动结构产生的驱动力的两倍，提高了MEMS光开关静电驱动能力，有利于降低驱动电压。
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公开(公告)号：CN105253853A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510701040.3
申请日：2015-10-26
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种SOG-MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法，对于同时刻蚀掉多个矩形和刻蚀透多个同一线宽或不同线宽组成的线形，将光刻板上要刻掉多个矩形中的每个矩形设置中心非暴露区域(12)，使中心非暴露区域(12)与该矩形的边框，即外部非暴露区域(11)，中间形成待刻蚀的暴露区域(14)，且待刻蚀的暴露区域的宽度等于要刻穿的最小线形的线宽；该方法保证刻蚀条宽间的均一性，解决具有不同条宽结构刻蚀过程中Lag效应的问题，同时，当刻蚀完成时，中心非暴露区域(12)会掉到下面的支撑层(1)上，可以准确判断刻蚀已经完成。此项发明有效的防止具有不同刻蚀条宽的MEMS结构在ICP刻蚀中造成严重过度刻蚀。
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公开(公告)号：CN105068190B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201510548810.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: G02B6/35
Abstract: 本发明公开了一种MEMS光开关，包括驱动模块、折叠梁、支撑梁、微反射镜、输入光纤和输出光纤，其中微反射镜位于支撑梁中间位置，支撑梁的两端设置有驱动模块，驱动模块侧面设置有折叠梁；沿支撑梁方向顺向排布的驱动模块为静电梳齿驱动结构，由可动梳齿和固定梳齿组成，微反射镜为M形，其中间部位形成尖端，通过改变输入光纤与M形微反射镜中间部位尖端的相对位置，使得来自输入光纤的输入光通过微反射镜不同位置处的反射传输至不同的输出光纤。本发明在相同驱动电压的作用下，左右两驱动端产生同向的静电力，其合力为传统单端驱动结构产生的驱动力的两倍，提高了MEMS光开关静电驱动能力，有利于降低驱动电压。
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公开(公告)号：CN105253853B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510701040.3
申请日：2015-10-26
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种SOG‑MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法，对于同时刻蚀掉多个矩形和刻蚀透多个同一线宽或不同线宽组成的线形，将光刻板上要刻掉多个矩形中的每个矩形设置中心非暴露区域(12)，使中心非暴露区域(12)与该矩形的边框，即外部非暴露区域(11)，中间形成待刻蚀的暴露区域(14)，且待刻蚀的暴露区域的宽度等于要刻穿的最小线形的线宽；该方法保证刻蚀条宽间的均一性，解决具有不同条宽结构刻蚀过程中Lag效应的问题，同时，当刻蚀完成时，中心非暴露区域(12)会掉到下面的支撑层(1)上，可以准确判断刻蚀已经完成。此项发明有效的防止具有不同刻蚀条宽的MEMS结构在ICP刻蚀中造成严重过度刻蚀。
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公开(公告)号：CN105329848A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510632791.4
申请日：2015-09-29
Applicant: 北京航天控制仪器研究所
CPC classification number: B81C1/00539 , G01P15/0802
Abstract: 本发明MEMS三明治加速度计敏感芯片的湿法腐蚀加工方法，通过对硅晶圆上生长单层氧化层，对单层氧化膜层进行3次双面光刻腐蚀，精确控制每次腐蚀深度，将单层氧化膜层分成不同结构的3层氧化膜层。在60～80℃温度条件下对硅晶圆进行湿法腐蚀，第一次腐蚀硅时间为20～30分钟，腐蚀掉第1层氧化膜层；第二次腐蚀硅为150～160分钟，腐蚀掉第2层氧化膜层；第三次腐蚀在30～40℃温度条件下对硅晶圆进行湿法腐蚀，时间为30～40分钟，腐蚀掉第3层氧化膜层。本发明能加工出表面光滑、尺寸精度满足要求的敏感芯片，本方法的改进使敏感芯片的质量和成品率得到很大的提高。
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