-
公开(公告)号：CN105776173B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201610080489.7
申请日：2016-02-04
Applicant: 北京控制工程研究所
Abstract: 一种在基片上生长碳纳米管阵列的方法，步骤为：(1)采用表面微纳电化学工艺制备基片；(2)将基片置入碳纳米管反应炉中，往反应炉中通入氩气，并在氩气保护下将碳纳米管反应炉内部加热至碳纳米管生长所需温度；(3)当氩气充满碳纳米管反应炉后，调整氩气流量，同时向碳纳米管反应炉内通入氢气；(4)当氢气的流量稳定并充满碳纳米管反应炉后，向碳纳米管反应炉内通入液态碳源及催化剂；(5)根据碳纳米管阵列所需高度设定反应时间，反应完毕后，停止通入液态碳源及催化剂，并切断氢气；(6)将碳纳米管反应炉的生长区继续加热，通过热处理重融基片表面；(7)停止加热，并调小氩气的流量，待冷却至室温后从碳纳米管反应炉内取出基片样件。
-
公开(公告)号：CN105776173A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610080489.7
申请日：2016-02-04
Applicant: 北京控制工程研究所
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/13 , C01P2004/64 , C23C16/26
Abstract: 一种在基片上生长碳纳米管阵列的方法，步骤为：(1)采用表面微纳电化学工艺制备基片；(2)将基片置入碳纳米管反应炉中，往反应炉中通入氩气，并在氩气保护下将碳纳米管反应炉内部加热至碳纳米管生长所需温度；(3)当氩气充满碳纳米管反应炉后，调整氩气流量，同时向碳纳米管反应炉内通入氢气；(4)当氢气的流量稳定并充满碳纳米管反应炉后，向碳纳米管反应炉内通入液态碳源及催化剂；(5)根据碳纳米管阵列所需高度设定反应时间，反应完毕后，停止通入液态碳源及催化剂，并切断氢气；(6)将碳纳米管反应炉的生长区继续加热，通过热处理重融基片表面；(7)停止加热，并调小氩气的流量，待冷却至室温后从碳纳米管反应炉内取出基片样件。
-
公开(公告)号：CN104726844B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510065350.0
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京控制工程研究所
Abstract: 一种在钛合金基底生长超强光吸收碳纳米管涂层的方法，采用生长表面微纳化和增镀过渡层工艺，可以使得在金属基底(钛合金)上生长碳纳米管的牢固度和序列化程度增强，克服了在金属基底生长碳纳米管可能造成的不牢固和生长方向紊乱的问题。按照此方法生长出来的碳纳米管涂层可以牢固地附着在钛合金表面，起到超强吸收光辐射的作用，适用于各种光电、光学仪器设备、均匀漫反射表面等，尤其对于微弱信号探测的仪器设备更加有功效，如航天器用的恒星测量敏感器等，相对于传统采用消光黑漆消除杂光的方式，可以显著提高消除杂光的能力。
-
公开(公告)号：CN104726844A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510065350.0
申请日：2015-02-06
Applicant: 北京控制工程研究所
Abstract: 一种在钛合金基底生长超强光吸收碳纳米管涂层的方法，采用生长表面微纳化和增镀过渡层工艺，可以使得在金属基底(钛合金)上生长碳纳米管的牢固度和序列化程度增强，克服了在金属基底生长碳纳米管可能造成的不牢固和生长方向紊乱的问题。按照此方法生长出来的碳纳米管涂层可以牢固地附着在钛合金表面，起到超强吸收光辐射的作用，适用于各种光电、光学仪器设备、均匀漫反射表面等，尤其对于微弱信号探测的仪器设备更加有功效，如航天器用的恒星测量敏感器等，相对于传统采用消光黑漆消除杂光的方式，可以显著提高消除杂光的能力。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.034 seconds)
