公开(公告)号：CN1114227C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN00100121.3

申请日：2000-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 许铭真 ,  谭长华 ,  何燕东 ,  卫建林 ,  解冰 ,  刘晓卫

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件参数分析系统。包括半导体参数测试仪器，计算机，测试台，计算机与测试仪器接口卡，半导体参数分析软件系统。半导体参数测试仪器测量完整的半导体器件I-V输出特性；半导体参数分析软件系统对测得的I-V特性进行比例差值处理，得到相应的比例差值I-V输出谱特性，并用峰位和峰高度来直接确定半导体器件参数。与传统的拟合法或外推法相比，提高了精度，缩短了分析程序，明显地提高了工效。可应用于各尺度半导体器件参数信息处理领域。

公开(公告)号：CN1261205A

公开(公告)日：2000-07-26

申请号：CN00100121.3

申请日：2000-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 许铭真 ,  谭长华 ,  何燕东 ,  卫建林 ,  解冰 ,  刘晓卫

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件参数比例差值算符分析方法及其系统。先通过半导体参数测试仪器测量完整的半导体器件Ⅰ－Ⅴ输出特性,然后通过比例差值算符分析软件系统对上述Ⅰ－Ⅴ特性进行比例差值处理,得到相应的比例差值Ⅰ－Ⅴ函数特性和半导体参数。与传统的拟合法或外推法相比,提高了精度,缩短了测试程序,明显地提高了工效。可应用于半导体参数信息处理领域。

公开(公告)号：CN1058275A

公开(公告)日：1992-01-29

申请号：CN90104535.7

申请日：1990-07-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 谭长华 ,  许铭真 ,  王阳元 ,  张晖 ,  刘晓卫 ,  王永顺

IPC: G01R29/24 ,  G01R31/00 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明属半导体测量技术，具体地说，就是涉及MOS系统中绝缘层陷阱电荷的检测技术。陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统(TCRS)采用一种新的差值取样技术和高分辨率的共模输入电流补偿测试电路，首次解决了绝缘层陷阱参数的直接测量和不同类型的陷阱的分离检测问题。这种谱峰分析技术在测量精度和灵敏度方面比现有检测方法和设备高，而且具有直观、方便的特点，对VLSI电路和器件的可靠性和使用寿命的研究具有重要的意义。

公开(公告)号：CN1018953B

公开(公告)日：1992-11-04

申请号：CN90104535.7

申请日：1990-07-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 谭长华 ,  许铭真 ,  王阳元 ,  张晖 ,  刘晓卫 ,  王永顺

IPC: G01R29/24 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明属半导体测量技术，具体地说，就是涉及MOS系统中绝缘层陷阱电荷的检测技术。陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统(TCRS)采用一种新的差值取样技术和高分辨率的共模输入电流补偿测试电路，首次解决了绝缘层陷阱参数的直接测量和不同类型的陷阱的分离检测问题。这种谱峰分析技术在测量精度和灵敏度方面比现有检测方法和设备高，而且具有直观、方便的特点，对VLSI电路和器件的可靠性和使用寿命的研究具有重要的意义。

公开(公告)号：CN2056515U

公开(公告)日：1990-04-25

申请号：CN88200726

申请日：1988-01-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 谭长华 ,  许铭真 ,  金杰 ,  王阳元

IPC: G01R27/26 ,  H01L21/00

Abstract: 本装置属半导体测量技术(C-V技术)，具体地说，就是涉及MOS器件中微量可动离子，PN结(或MS结)中微量深能级杂质以及高性能二极管配对筛选的测量技术。本装置采用电流补偿原理，将传统C-V测量的单端输入运放工作模式改变为两端输入差动电流补偿工作模式，从而使干扰测量的背景电容被自动补偿掉，突出了相关电容的微量变化，使测量的分辨率显著提高(1-2个量级)。另外，由于构思的原因，使本装置的技术与现有设备是兼容的，既可以外加相应的电流补偿措施，也可在原有设备上略加改动，就可以改型，对于厂家、用户都颇为灵活、方便、实惠。