一种微型原子气室封装设备及工艺技术方法

    公开(公告)号:CN101439843A

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200810224030.5

    申请日:2008-10-10

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 一种微型原子气室封装设备及工艺技术方法,包括:样品室、压力杆、样片、样品台、加热丝与测温探头、真空泵连接口、充气进口、直流高压电源、电压表、电阻和其它测控装置,包括步骤1材料的选取,步骤2材料的加工,步骤3样片的清洗,步骤4第一面键合,步骤5第二面键合,步骤6样品检测,将采用原位化学反应法生成的金属铷封闭在微型气室中的方法。本发明的有益效果具体如下:本发明涉及的专用设备是基于阳极键合技术原理的,采用了相对廉价的机械泵—分子泵抽气机组的普通高真空系统,同时用惰性气体对真空系统反复充气“清洗”以及对样片局部进行高温烘烤除气等措施来尽可能地减轻残余气体和吸附气体的影响,特别是减轻铷的氧化问题。

    一种微型原子气室封装工艺方法

    公开(公告)号:CN101439843B

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN200810224030.5

    申请日:2008-10-10

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 一种微型原子气室封装工艺方法,包括:样品室、压力杆、样片、样品台、加热丝与测温探头、真空泵连接口、充气进口、直流高压电源、电压表、电阻和其它测控装置,包括步骤1材料的选取,步骤2材料的加工,步骤3样片的清洗,步骤4第一面键合,步骤5第二面键合,步骤6样品检测,将采用原位化学反应法生成的金属铷封闭在微型气室中的方法。本发明的有益效果具体如下:本发明涉及的专用设备是基于阳极键合技术原理的,采用了相对廉价的机械泵-分子泵抽气机组的普通高真空系统,同时用惰性气体对真空系统反复充气“清洗”以及对样片局部进行高温烘烤除气等措施来尽可能地减轻残余气体和吸附气体的影响,特别是减轻铷的氧化问题。

    一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN107706245B

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201711120075.3

    申请日:2017-11-14

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法。本发明的共振隧穿二极管包括:衬底、发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层、集电极掺杂层、发射极电极、集电极电极以及钝化层;本发明采用自对准工艺,并且在光刻胶掩膜制备过程中进行过度曝光与过度显影,显著降低了结面积,减少了器件内漏电通道数目,提高了器件稳定性;发射极电极和集电极电极形成平面结构,避免了刻蚀损伤对电极接触的不利影响;全过程仅需两次光刻,有效降低了工艺难度,加快了研发进程。

    一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN107706245A

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201711120075.3

    申请日:2017-11-14

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法。本发明的共振隧穿二极管包括:衬底、发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层、集电极掺杂层、发射极电极、集电极电极以及钝化层;本发明采用自对准工艺,并且在光刻胶掩膜制备过程中进行过度曝光与过度显影,显著降低了结面积,减少了器件内漏电通道数目,提高了器件稳定性;发射极电极和集电极电极形成平面结构,避免了刻蚀损伤对电极接触的不利影响;全过程仅需两次光刻,有效降低了工艺难度,加快了研发进程。

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