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公开(公告)号：CN118387831A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410489049.1
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种超低功耗控制金属纳米材料表面凸起物的方法，属于纳电子学领域。本发明将中间间隙为纳米尺度的金属电极对先预制成两端器件，采用半导体参数分析仪及配套的探针台，对金属纳米间隙进行电流‑电压(I‑V)扫描，然后将电流限流在pA量级，实现纳米线表面的三维金属凸起物的产生和消失。本发明可以实现三维纳米尺度的金属结构在纳电子学领域中的应用。
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公开(公告)号：CN118431265A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410517088.8
申请日：2024-04-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于金属纳米间隙的原子尺度栅控开关器件的实现方法，属于纳电子学领域。本发明利用金属纳米间隙和悬空桥制备原子尺度的可栅控开关器件，再采用半导体参数分析仪及脉冲发生器，通过调控栅压的正负实现器件的导通和断开。本发明不需要使用电解质，便于制备和集成。
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公开(公告)号：CN117529213A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311514010.2
申请日：2023-11-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米或者原子尺度自旋阀的制备方法，该方法首先在衬底表面制备缓冲层和金属电极，然后基于邻近效应光刻法制备磁性金属点接触器件，将器件置于真空探针台，利用电流反馈控制法制备原子尺度点接触结构，并且通过自然氧化制备出磁阻效应高达40％的磁隧道结，从而得到纳米或者原子尺度自旋阀。本发明提出的制备方法可以有效控制原子接触点的接触宽度，相较于现有技术，本发明减小了自旋阀结构的复杂性，并且在一定程度上降低了器件功耗。本发明制备方法简单，磁隧道结的磁阻较大，并且与传统的CMOS工艺兼容，为后续器件的集成提供了有利条件。
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公开(公告)号：CN118900618A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410826451.4
申请日：2024-06-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种制备柔性自旋阀的方法，属于磁电子学技术领域。本发明利用PI为载体，采用磁性颗粒或反磁性颗粒为掺杂物，并利用激光诱导石墨烯工艺，逐层制备铁磁性、反铁磁性等柔性薄膜从而构建柔性自旋阀器件。本发明由于制备的薄膜均属于柔性材料，其抗弯折能力有明显的提升，采用本发明可以大规模制备自旋阀，为磁性电子器件的制备提供了新思路。
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