公开(公告)号：CN110783453B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201910903216.1

申请日：2019-09-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  蔡一茂 ,  康健 ,  鲍盛誉 ,  凌尧天 ,  喻至臻 ,  陈青钰 ,  鲍霖 ,  吴林东 ,  黄如

IPC: H10B63/10

Abstract: 具有自选择的阻变存储器件，以期降低甚至消除本发明提供一种双模阻变存储器，包括衬底 阻变存储器的crossbar结构中存在的串扰问题。和位于衬底上的底电极‑阻变层‑自选择层‑顶电极结构。本发明还提供一种双模阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积自选择层，并施加退火处理工序；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和自选择层刻蚀出底电极引出孔；(56)对比文件Xinjun Liu et al..Co-Occurrence ofThreshold Switching and Memory Switchingin Pt/NbOx/Pt Cells for Crosspoint MemoryApplications《.IEEE ELECTRON DEVICELETTERS》.2012,第33卷(第2期),第236页.

公开(公告)号：CN110783453A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910903216.1

申请日：2019-09-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 王宗巍 ,  蔡一茂 ,  康健 ,  鲍盛誉 ,  凌尧天 ,  喻至臻 ,  陈青钰 ,  鲍霖 ,  吴林东 ,  黄如

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种双模阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的底电极-阻变层-自选择层-顶电极结构。本发明还提供一种双模阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积自选择层，并施加退火处理工序；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和自选择层刻蚀出底电极引出孔；5)定义顶电极图形，按照该图形在自选择层上制备顶电极。本发明基于采用传统CMOS工艺来实现具有自选择的阻变存储器件，以期降低甚至消除阻变存储器的crossbar结构中存在的串扰问题。