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公开(公告)号：CN113725704A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010448548.8
申请日：2020-05-25
Abstract: 提供一种饱和吸收体，包括光纤和石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜通过生长形成于所述光纤表面。还提供一种包括上述饱和吸收体的全光纤锁模激光器。本发明在光纤上直接生长石墨烯薄膜，形成步骤简单、生长工艺可控性好、重复性高；形成的石墨烯薄膜质量高且均匀，可以控制石墨烯厚度和光纤长度，可实现同一批次多根光纤批量生长。本发明的包括上述光纤的饱和吸收体和全光纤锁模激光器，具有良好的饱和吸收性能、可重复制备的能力和优秀的激光输出参数。
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公开(公告)号：CN113655560B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202010397157.8
申请日：2020-05-12
IPC: G02B6/02 , C03C25/223 , C03C25/1065 , C03C25/44 , C03C25/42
Abstract: 提供一种具有石墨烯‑氮化硼异质结构的光纤，包括光纤本体和设置在所述光纤本体表面的石墨烯薄膜和氮化硼薄膜，所述石墨烯薄膜和所述氮化硼薄膜层叠构成异质结构。还提供该光纤的制备方法。本发明的具有石墨烯‑氮化硼异质结构的光纤，相对于单纯的石墨烯光纤而言，可以增加光和石墨烯的相互作用，在非线性锁模激光器、波长转换器、光频梳等方面具有广阔的应用前景。通过化学气相沉积法制备具有石墨烯‑氮化硼异质结构的光纤步骤简单，生长工艺可控性强，重复性高，石墨烯‑氮化硼异质结构薄膜质量高，可实现同一批次多根光纤批量生长。
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公开(公告)号：CN113655560A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010397157.8
申请日：2020-05-12
IPC: G02B6/02 , C03C25/223 , C03C25/1065 , C03C25/44 , C03C25/42
Abstract: 提供一种具有石墨烯‑氮化硼异质结构的光纤，包括光纤本体和设置在所述光纤本体表面的石墨烯薄膜和氮化硼薄膜，所述石墨烯薄膜和所述氮化硼薄膜层叠构成异质结构。还提供该光纤的制备方法。本发明的具有石墨烯‑氮化硼异质结构的光纤，相对于单纯的石墨烯光纤而言，可以增加光和石墨烯的相互作用，在非线性锁模激光器、波长转换器、光频梳等方面具有广阔的应用前景。通过化学气相沉积法制备具有石墨烯‑氮化硼异质结构的光纤步骤简单，生长工艺可控性强，重复性高，石墨烯‑氮化硼异质结构薄膜质量高，可实现同一批次多根光纤批量生长。
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公开(公告)号：CN111250873B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010069141.4
申请日：2020-01-21
Applicant: 北京大学
IPC: B23K26/362 , B23K26/0622 , B23K26/073 , B23K26/70 , B23K26/064
Abstract: 本发明公开了一种基于GB‑STED的深层超分辨激光直写系统及其实现方法。本发明采用一阶高斯贝塞尔光束作为湮灭光，在深入样品内部时仍能保持超分辨直写能力，相位板严格放置于湮灭光扩束系统的前焦面处，湮灭光扩束系统的后焦面严格与物镜入瞳重合，光路紧凑；湮灭光滤波系统采用偏振保持光纤，湮灭光路去掉了偏振片和半波片，从而减少对光斑形貌的影响，并能保证出射光为线性偏振光；激发光和湮灭光各自加入空间滤波，因而聚焦时的光斑形貌最优，能更好控制直写结构的形貌；采用一对耦合调节反射镜调节合束，满足合束镜对更严格的入射角的要求；用相机观察，进行粗略调节，并采用信号探测器观察，进行精细调节，提高调节精度并提高调节效率。
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公开(公告)号：CN110554455B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910772550.8
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , G02B1/00 , G02F1/355 , C03C25/42 , C03C25/223 , C03C25/106
Abstract: 本发明涉及一种快速制备过渡金属硫族化合物复合光纤材料的方法。所述制备方法为：采用钼酸或者钨酸钠/钾盐溶液对光纤进行浸润处理后再低压高温条件下将高质量的单层或者少层过渡金属硫族化合物直接沉积到光纤中心空气孔道内壁或者光子晶体光纤包层空气孔及纤芯空气孔道内壁上。光纤材质为石英或者石英聚合物。结合过渡金属硫族化合物优异的光学、电学性能与光纤光子结构的特点，实现二维TMDC材料与光纤的多功能集成。该方法具有成本低，制备方法简单，生长周期短，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108169229A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711275182.3
申请日：2017-12-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于径向偏振光束的手性和频产生显微镜及成像方法。本发明采用第一激发光为径向偏振光束，在焦点处产生沿光轴方向纵向偏振的电场，配合线性偏振的第二激发光共同激发，从而在两束激发光共线排布的情形下产生了能沿光轴传播的手性和频信号光；第一激发光为径向偏振光束，与第二激发光覆盖激发物镜的入瞳，从而样品的图像达到衍射极线的分辨率，并且第一与第二激发光在激发物镜中的分布是旋转对称的，因此样品的图像具有均一的横向分别率；本发明能够在共线光路设置中实现手性和频产生，明显降低了光路调节难度，而且消除了手性和频产生显微技术与其他显微技术相集成的障碍，可作为多模态显微镜的一部分。
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公开(公告)号：CN113540941A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010300611.3
申请日：2020-04-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料光纤饱和吸收体的全光纤锁模激光器及制备方法，所述激光器至少包括：泵浦光源、波分复用器、单模光纤、增益光纤、色散补偿光纤和偏振控制器。本发明中直接生长的二维材光纤饱和吸收体相比二维材料薄膜涂覆或转移的方法，具有优异的饱和秀特性和可重复性，可实现亚皮秒高质量的脉冲输出。且得益于二维材料的多样性，这种方法可以实现不同波长下的锁模激光输出，可广泛应用于全光纤锁模激光器等领域。
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公开(公告)号：CN111250873A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010069141.4
申请日：2020-01-21
Applicant: 北京大学
IPC: B23K26/362 , B23K26/0622 , B23K26/073 , B23K26/70 , B23K26/064
Abstract: 本发明公开了一种基于GB-STED的深层超分辨激光直写系统及其实现方法。本发明采用一阶高斯贝塞尔光束作为湮灭光，在深入样品内部时仍能保持超分辨直写能力，相位板严格放置于湮灭光扩束系统的前焦面处，湮灭光扩束系统的后焦面严格与物镜入瞳重合，光路紧凑；湮灭光滤波系统采用偏振保持光纤，湮灭光路去掉了偏振片和半波片，从而减少对光斑形貌的影响，并能保证出射光为线性偏振光；激发光和湮灭光各自加入空间滤波，因而聚焦时的光斑形貌最优，能更好控制直写结构的形貌；采用一对耦合调节反射镜调节合束，满足合束镜对更严格的入射角的要求；用相机观察，进行粗略调节，并采用信号探测器观察，进行精细调节，提高调节精度并提高调节效率。
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公开(公告)号：CN110568546B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201910772548.0
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , C23C16/30 , C03C25/223 , C03C25/106 , C03C25/42
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：将硫族材料放置于管式炉的第一温区，过渡金属源与促进剂的混合物置于所述管式炉的第二温区，光纤置于所述管式炉的第三温区；控制所述第一温区、第二温区和第三温区分别升温至105‑180℃、550‑650℃和780‑850℃，于所述光纤内壁面上形成所述过渡金属硫族化合物。该方法具有成本低，制备方法简单，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
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公开(公告)号：CN110568546A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910772548.0
申请日：2019-08-21
Applicant: 北京大学
IPC: G02B6/02 , C23C16/30 , C03C25/223 , C03C25/106 , C03C25/42
Abstract: 本发明涉及一种过渡金属硫族化合物复合光纤材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：将硫族材料放置于管式炉的第一温区，过渡金属源与促进剂的混合物置于所述管式炉的第二温区，光纤置于所述管式炉的第三温区；控制所述第一温区、第二温区和第三温区分别升温至105-180℃、550-650℃和780-850℃，于所述光纤内壁面上形成所述过渡金属硫族化合物。该方法具有成本低，制备方法简单，过渡金属硫族化合物层数可控的特点。制备出的过渡金属硫族化合物复合光纤在光通讯，传感和新型光器件领域具有潜在的应用。
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