一种多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法

    公开(公告)号:CN111913083A

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN202010786658.5

    申请日:2020-08-07

    Abstract: 本发明公开了一种多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法,针对热控等薄膜材料中导电层/介质层相结合的结构特点,综合考虑了薄膜材料导电层对空间低能电子屏蔽效应、以及高能电子强穿透特性,采用蒙特卡洛方法计算获得介质层的电子沉积最小能量和最大能量值,并以此为依据分析现有的空间电子能谱环境,构建影响介质层充放电效应的有效电子能谱,最终获得模拟试验中的辐照电子能量和束流密度,采用电流探头与示波器相结合方法测试薄膜材料静电放电特性,从而建立多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法,解决了多层薄膜材料空间充放电效应的模拟试验参数的选取问题,为其空间环境适应性评价提供了一种有效方法。

    一种多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法

    公开(公告)号:CN111913083B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202010786658.5

    申请日:2020-08-07

    Abstract: 本发明公开了一种多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法,针对热控等薄膜材料中导电层/介质层相结合的结构特点,综合考虑了薄膜材料导电层对空间低能电子屏蔽效应、以及高能电子强穿透特性,采用蒙特卡洛方法计算获得介质层的电子沉积最小能量和最大能量值,并以此为依据分析现有的空间电子能谱环境,构建影响介质层充放电效应的有效电子能谱,最终获得模拟试验中的辐照电子能量和束流密度,采用电流探头与示波器相结合方法测试薄膜材料静电放电特性,从而建立多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法,解决了多层薄膜材料空间充放电效应的模拟试验参数的选取问题,为其空间环境适应性评价提供了一种有效方法。

    一种用于卫星结构电位控制的防护装置与方法

    公开(公告)号:CN112319865A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN202011326619.3

    申请日:2020-11-24

    Abstract: 一种用于卫星结构电位控制的防护装置与方法,所述用于卫星结构电位控制的防护装置包括金属层和附着于金属层上的介质材料层,介质材料层上通过刻蚀形成若干镂空区域,镂空区域暴露出裸露金属层,裸露金属层、介质材料层和太空中真空环境三者结合处形成三电极结构;得到所述防护装置。具有结构简单、质量轻、零功耗等优点,为从根本上解决卫星高压太阳电池阵静电放电问题提供了一条低成本、高效率的途径。

    一种光路互易的集成BGO晶体光波导闭环电场检测系统

    公开(公告)号:CN111398694B

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202010141787.9

    申请日:2020-03-04

    Abstract: 本发明提供一种光路互易的集成BGO晶体光波导闭环电场检测系统,包括:SLD宽带光源、环形器、起偏器、相位调制器、BGO集成光波导电场传感器、光电探测器和信号处理模块,BGO集成光波导电场传感器为一种在对称的BGO晶体上采用飞秒激光刻画的具有光路互易性的光波导结构,使正交偏振模式在经过两晶体后,走过了相同长度的光路,因此自然双折射产生的相位差成功被抵消。本发明消除了由自然双折射和温度变化、气体压力引起的相位误差,通过引入反馈相位差,可以进一步减小系统的非线性误差,同时增大系统的动态范围。

    氮化镓器件特性的调制方法和结构

    公开(公告)号:CN112687569A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202011575949.6

    申请日:2020-12-28

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,提供一种氮化镓器件特性的调制方法和结构。方法主要包括:对氮化镓器件施加外界电场,外界电场通过逆压电效应耦合作用于氮化镓器件;通过变化外界电场的强度和方向对氮化镓器件的特性进行调制。本发明可以根据氮化镓器件不同的应用场景,通过调整外界电场的强度和方向,对氮化镓器件特性进行特定调制,以适应不同场景下氮化镓器件应用需求,促进氮化镓器件性能的更充分发挥,带动氮化镓器件在宇航、雷达、电子对抗等国防军事领域以及5G、电力电子等民用领域的更有效利用。

    氮化镓器件特性的调制方法和结构

    公开(公告)号:CN112687569B

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202011575949.6

    申请日:2020-12-28

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,提供一种氮化镓器件特性的调制方法和结构。方法主要包括:对氮化镓器件施加外界电场,外界电场通过逆压电效应耦合作用于氮化镓器件;通过变化外界电场的强度和方向对氮化镓器件的特性进行调制。本发明可以根据氮化镓器件不同的应用场景,通过调整外界电场的强度和方向,对氮化镓器件特性进行特定调制,以适应不同场景下氮化镓器件应用需求,促进氮化镓器件性能的更充分发挥,带动氮化镓器件在宇航、雷达、电子对抗等国防军事领域以及5G、电力电子等民用领域的更有效利用。

    一种插卡式静电放电发生装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115951182A

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202310017796.0

    申请日:2023-01-06

    Abstract: 本发明涉及一种插卡式静电放电发生装置,所述插卡式静电放电发生装置包括:主机机箱;背板,设置于所述主机机箱内,所述背板上具有多个连接器,多个所述连接器通过所述背板上集成的控制电路电连接;插卡式供电模块,呈可拆卸地设置于所述主机机箱内并与所述背板上的其中一个所述连接器连接;插卡式高压源模块,呈可拆卸地设置于所述主机机箱内并与所述背板上的其中一个所述连接器连接;插卡式主控通信模块,呈可拆卸地设置于所述主机机箱内并与所述背板上的其中一个所述连接器连接,所述插卡式主控通信模块被配置为控制所述插卡式高压源模块调整所述插卡式供电模块输出预定电压。本发明可有效提高静电放电发生装置的适用性和通用性。

    电子芯片静电放电潜在失效预先诊断系统和方法

    公开(公告)号:CN115932511A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202310017769.3

    申请日:2023-01-06

    Abstract: 本发明涉及一种电子芯片静电放电潜在失效预先诊断系统和方法,潜在失效预先诊断系统包括:静电放电模块,用于对电子芯片管脚进行静电放电,进行加速失效;加速失效作用模块,用于将潜在失效加速演变为立即失效;电性能测试表征模块,用于测试经受静电放电与加速失效作用后的电子芯片的电性能参数;多个静电放电事件侦测模块,用于对静电放电电磁辐射进行在线表征。本发明实现了电子芯片静电潜在失效在线预先诊断,有利于降低静电潜在失效对电子系统的危害,保障电子系统的静电可靠性,具有重要的经济和社会效益,推广应用转化前景广阔。

    一种光路互易的集成BGO晶体光波导闭环电场检测系统

    公开(公告)号:CN111398694A

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN202010141787.9

    申请日:2020-03-04

    Abstract: 本发明提供一种光路互易的集成BGO晶体光波导闭环电场检测系统,包括:SLD宽带光源、环形器、起偏器、相位调制器、BGO集成光波导电场传感器、光电探测器和信号处理模块,BGO集成光波导电场传感器为一种在对称的BGO晶体上采用飞秒激光刻画的具有光路互易性的光波导结构,使正交偏振模式在经过两晶体后,走过了相同长度的光路,因此自然双折射产生的相位差成功被抵消。本发明消除了由自然双折射和温度变化、气体压力引起的相位误差,通过引入反馈相位差,可以进一步减小系统的非线性误差,同时增大系统的动态范围。

    基于静电驻极体的瞬态等离子体诊断系统及其诊断方法

    公开(公告)号:CN117705919A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311720430.6

    申请日:2023-12-14

    Abstract: 本发明提供一种基于静电驻极体的瞬态等离子体诊断系统及其诊断方法,静电驻极体探头正对安装于等离子体点火源,距离小于激发的瞬态等离子体横向尺寸以及德拜长度;静电驻极体探头连接至电流检测电路;电流检测电路连接至微处理器;对于瞬态低温等离子体,采用双正极性静电驻极体探头结构进行诊断。对于瞬态高温等离子体,采用正负双极性静电驻极体探头结构进行诊断。本发明通过测量极化驻极体背电极的感应电流,得到静电驻极体探头的V‑I曲线,从而诊断出瞬态等离子体电子密度、正离子密度和电子温度等重要参数,具有响应速度快、诊断成本低、诊断过程简单、测量准确度高等优点。

Patent Agency Ranking