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公开(公告)号：CN118476011A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202280086901.X
申请日：2022-12-12
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明是一种氮化物半导体基板，其在具有表面和背面的单晶硅基板的表面上形成有氮化物半导体薄膜，该氮化物半导体基板的特征在于，所述单晶硅基板至少在所述表面和所述背面具有碳扩散层，且所述碳扩散层的碳浓度为5E+16原子/cm3以上，所述碳扩散层注入有碳且碳浓度高于所述单晶硅基板的块体部。由此，提供当使用单晶硅基板制造氮化物半导体基板时，能够抑制因外延生长时或器件工序中的塑性变形导致的翘曲不良的氮化物半导体基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN118251519A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280078328.8
申请日：2022-10-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体基板，其是在硅单晶基板上形成有氮化物半导体薄膜的氮化物半导体基板，所述硅单晶基板的碳浓度为5×1016个原子/cm3以上且2×1017个原子/cm3以下。由此，可提供一种对塑化变形具有耐性的氮化物半导体基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN115398042B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202180028335.2
申请日：2021-03-23
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是气相生长用的单晶硅基板，所述单晶硅基板由电阻率为1000Ωcm以上的FZ结晶构成，所述单晶硅基板的表面具备厚度为10～100μm的高氮浓度层，所述高氮浓度层的氮浓度比其他区域高，且氮浓度为5×1015atoms/cm3以上。由此，提供用于抑制翘曲异常及接合不良的发生的、不易塑性变形的气相生长用的单晶硅基板。
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公开(公告)号：CN106068547B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201580011736.1
申请日：2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L29/2003
Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。
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公开(公告)号：CN112753092B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN201980062141.7
申请日：2019-09-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/20 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种外延片的制造方法，该制造方法具有：准备在外周部具有倒角部的硅系基板的工序；在所述硅系基板的所述倒角部，形成沿着所述倒角部的内周缘的圆环状的沟槽的工序；以及在形成有所述沟槽的所述硅系基板上进行外延生长的工序。由此，提供一种可抑制产生在外周倒角部的裂缝向中心部方向伸长的外延片的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116964759A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280018054.3
申请日：2022-02-16
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种紫外线发光元件用外延片的制造方法，其具有：准备至少一个表面由氮化镓构成的支撑基板的工序；在所述支撑基板的由所述氮化镓构成的所述表面形成接合层的工序；在所述接合层上贴合由AlxGa1‑xN(0.5＜x≤1.0)单晶构成的晶种，形成具有晶种层的贴合基板的工序；及使至少包含由AlyGa1‑yN(0.5＜y≤1.0)构成的第一导电型包覆层、AlGaN系活性层及由AlzGa1‑zN(0.5＜z≤1.0)构成的第二导电型包覆层的紫外发光元件层在所述贴合基板的所述晶种层上外延生长的工序。由此，提供一种平价且高质量的紫外线发光元件用外延片的制造方法。
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公开(公告)号：CN116034189A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180055465.5
申请日：2021-04-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B25/18
Abstract: 本发明为一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其为通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在硅单晶基板上的氮化物半导体晶圆的制造方法，其中，将电阻率为1000Ω·cm以上、氧浓度小于1×1017原子/cm3、厚度为1000μm以上的硅单晶基板用作所述硅单晶基板，通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在该硅单晶基板上。由此，能够提供一种即便基板是作为高频器件的支撑基板而有前景的高电阻率且超低氧浓度的硅单晶基板，也抑制了塑性变形及翘曲的氮化物半导体晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN109716492B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201780054582.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 三垦电气股份有限公司 , 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明为一种半导体装置用基板，包含：基板；缓冲层，设置于该基板上且由氮化物半导体所构成；以及装置活性层，设置于该缓冲层上且自氮化物半导体所构成，其中该缓冲层具有：第一区域，含有碳与铁；以及第二区域，于该第一区域上，其铁的平均浓度低于该第一区域，其碳的平均浓度高于该第一区域，其中该第二区域的碳的平均浓度低于该第一区域的铁的平均浓度。由此提供在能抑制纵方向漏电流且抑制装置的高温动作时的横方向漏电流的同时，能抑制电流崩溃现象的半导体装置用基板。
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公开(公告)号：CN106068547A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201580011736.1
申请日：2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L29/2003
Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。
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公开(公告)号：CN119816631A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380065254.9
申请日：2023-07-12
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种带氮化物半导体层的单晶硅基板，其具有单晶硅基板、在所述单晶硅基板上外延生长而成的3C‑SiC单晶膜及在所述3C‑SiC单晶膜上外延生长而成的氮化物半导体层，所述带氮化物半导体层的单晶硅基板的特征在于，在所述单晶硅基板整体形成有位错，将所述位错平面投影于所述单晶硅基板时的长度(位错长度)为1mm以上，所述位错的密度为10/cm2以上。由此，可提供带氮化物半导体层的单晶硅基板及带氮化物半导体层的单晶硅基板的制造方法，该带氮化物半导体层的单晶硅基板为200mm或300mm这样的大直径的带氮化物半导体层的单晶硅基板，其使用了一般厚度的Si基板，降低了翘曲，尤其没有产生破裂。
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