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公开(公告)号：CN101258400B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680032404.2
申请日：2006-08-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01N21/553 , G01N21/3577 , G01N21/3581
Abstract: 需要在从毫米波带到太赫兹带、从30GHz到30THz的频率区域中增强表面等离子谐振传感器的灵敏度。那么，本发明提供一种通过利用半导体和介质装配分析物保持部来进一步提高其灵敏度的传感器。
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公开(公告)号：CN114730784A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080080720.7
申请日：2020-11-19
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 光电二极管PD2中包括的光电转换构件部署在与区块B1重叠的位置处。光电二极管PD1中包括的光电转换构件部署在与区块B2重叠的位置处。光电二极管PD1中包括的光电转换构件部署在与区块B3重叠的位置处。各自与半导体层10一起形成MIS结构的多个电极25设置在半导体层10的表面FS上，其中，多个电极25中的至少一个与八个区块B2至B9中的至少一个重叠。
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公开(公告)号：CN1926424B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580006934.5
申请日：2005-03-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01N21/05 , G01N21/554 , G01N21/645 , G01N21/66 , G01N2021/0346
Abstract: 一种检测设备包括：包括其性质会因为与靶标物质接触而发生改变的多个物体(105)的基板(103)，用于使靶标物质与所述物体相接触的装置，以及用于根据在用光(102)照射所述物体时产生的光输出(106)检测因为在靶标物质与所述物体相接触时所导致的物体性能的变化的装置(101，107)，其中所述多个物体位于照射光行进的方向上，并且该检测装置是一种用于根据在照射光时从所述多个物体输出的光的总和来检测性能变化的装置。
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公开(公告)号：CN109390363A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810884107.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H04N5/378 , H01L27/14683
Abstract: 本发明公开了成像设备和制造成像设备的方法。一种制造成像设备的方法，所述成像设备包括第一埋入二极管和第二埋入二极管，所述第一埋入二极管包括第一半导体区域和第二半导体区域，所述第二埋入二极管包括第三半导体区域和第四半导体区域，所述方法包括将第一导电类型的第一杂质离子注入到第一区域和第一区域与第二区域之间的第三区域中，以及将第一导电类型的第二杂质离子注入到第二区域和第三区域中，其中，通过注入第一杂质离子形成第一半导体区域，通过注入第二杂质离子形成第三半导体区域，并且通过注入第一杂质离子和第二杂质离子在第三区域中形成具有比第一半导体区域和第二半导体区域高的杂质浓度的第五半导体区域。
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公开(公告)号：CN102257410B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN200980151440.4
申请日：2009-12-16
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 饭田洋一郎
Abstract: 光学元件(501)包含具有不同特性的多个滤光器。所述元件包括第一滤光器(505)和第二滤光器(506)，第一滤光器(505)包括第一金属结构组(503)，第一金属结构组(503)包括在基板(502)表面的面内方向上周期性布置的第一金属结构，第二滤光器(506)包括第二金属结构组(504)，第二金属结构组(504)包括在所述面内方向上周期性布置的第二金属结构，第二金属结构组展示出与第一金属结构组的等离子体激元谐振条件不同的等离子体激元谐振条件。彼此相邻的第一金属结构之间的光学距离(507)在彼此相邻的第二金属结构之间的光学距离(507)的0.75倍至1.25倍的范围中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102257410A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151440.4
申请日：2009-12-16
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 饭田洋一郎
Abstract: 光学元件(501)包含具有不同特性的多个滤光器。所述元件包括第一滤光器(505)和第二滤光器(506)，第一滤光器(505)包括第一金属结构组(503)，第一金属结构组(503)包括在基板(502)表面的面内方向上周期性布置的第一金属结构，第二滤光器(506)包括第二金属结构组(504)，第二金属结构组(504)包括在所述面内方向上周期性布置的第二金属结构，第二金属结构组展示出与第一金属结构组的等离子体激元谐振条件不同的等离子体激元谐振条件。彼此相邻的第一金属结构之间的光学距离(507)在彼此相邻的第二金属结构之间的光学距离(507)的0.75倍至1.25倍的范围中。
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公开(公告)号：CN101258400A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032404.2
申请日：2006-08-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G01N21/553 , G01N21/3577 , G01N21/3581
Abstract: 需要在从毫米波带到太赫兹带、从30GHz到30THz的频率区域中增强表面等离子谐振传感器的灵敏度。那么，本发明提供一种通过利用半导体和介质装配分析物保持部来进一步提高其灵敏度的传感器。
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公开(公告)号：CN111081727B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201910994771.X
申请日：2019-10-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/10
Abstract: 本发明涉及一种光电转换设备、光电转换系统和能够移动的物体。光电转换设备包括：半导体基板、第一和第二微透镜、具有红外光透射率的第一滤波器和具有可见光透射率的第二滤波器。被布置为在平面视图中与所述第一滤波器重叠的至少一个光电转换部和被布置为在平面视图中与所述第二滤波器重叠的多个光电转换部各自包括第一半导体区域和第二半导体区域。所述至少一个光电转换部的第二半导体区域的至少一部分的杂质浓度比所述多个光电转换部的第二半导体区域中的布置在与所述至少一个光电转换部的第二半导体区域的至少一部分相同的深度处的部分的杂质浓度低。
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公开(公告)号：CN109390363B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN201810884107.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了成像设备和制造成像设备的方法。一种制造成像设备的方法，所述成像设备包括第一埋入二极管和第二埋入二极管，所述第一埋入二极管包括第一半导体区域和第二半导体区域，所述第二埋入二极管包括第三半导体区域和第四半导体区域，所述方法包括将第一导电类型的第一杂质离子注入到第一区域和第一区域与第二区域之间的第三区域中，以及将第一导电类型的第二杂质离子注入到第二区域和第三区域中，其中，通过注入第一杂质离子形成第一半导体区域，通过注入第二杂质离子形成第三半导体区域，并且通过注入第一杂质离子和第二杂质离子在第三区域中形成具有比第一半导体区域和第二半导体区域高的杂质浓度的第五半导体区域。
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公开(公告)号：CN111081727A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910994771.X
申请日：2019-10-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
Abstract: 本发明涉及一种光电转换设备、光电转换系统和能够移动的物体。光电转换设备包括：半导体基板、第一和第二微透镜、具有红外光透射率的第一滤波器和具有可见光透射率的第二滤波器。被布置为在平面视图中与所述第一滤波器重叠的至少一个光电转换部和被布置为在平面视图中与所述第二滤波器重叠的多个光电转换部各自包括第一半导体区域和第二半导体区域。所述至少一个光电转换部的第二半导体区域的至少一部分的杂质浓度比所述多个光电转换部的第二半导体区域中的布置在与所述至少一个光电转换部的第二半导体区域的至少一部分相同的深度处的部分的杂质浓度低。
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