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公开(公告)号：CN103219345B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310017553.3
申请日：2013-01-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/361 , H04N5/374
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H04N5/365 , H04N5/3745
Abstract: 一种图像拾取装置和图像拾取系统。根据一个或更多个实施例的图像拾取装置包括供电线路和第一至第四光电二极管。沿着第一方向布置第一、第二和第三光电二极管以使得第一光电二极管与第二光电二极管相邻以及第二光电二极管与第三光电二极管相邻。供电线路包括沿着第一方向设置的第一导体和沿着与第一方向相交的第二方向设置的第二导体。把第二导体设置在第二与第三光电二极管之间的区域上。与第一和第二光电二极管分别对应的第一和第二晶体管连接到供电线路。在第二方向上与第二光电二极管相邻地设置第四光电二极管。与第四光电二极管对应的第三晶体管连接到供电线路。
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公开(公告)号：CN111223450B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201911080859.7
申请日：2019-11-07
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G09G3/3233
Abstract: 本申请涉及显示设备、图像捕获设备、照明设备、移动体和电子装置。显示设备包括：其中布置有多个像素的像素区域，以及设置在像素区域周围并在其中布置有多个虚设像素的虚设像素区域。像素和虚设像素中的每一个都包括发光元件和驱动晶体管，其中发光元件包括第一电极和第二电极。在像素中，发光元件的第一电极连接到驱动晶体管，并且在虚设像素中，发光元件未连接到驱动晶体管，第一电位被供应给第一电极，第二电位被供应给第二电极，并且发光元件在第一电位与第二电位之间的电位差处不发光。
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公开(公告)号：CN107046626B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201710068534.1
申请日：2017-02-08
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 坪井宏政
IPC: H04N5/355 , H04N5/369 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种摄像装置。该摄像装置包括像素单元和缓冲器。在像素单元中，以矩阵方式布置有像素，其中，各像素包括光电转换单元、传输晶体管和放大晶体管。在像素单元中，第一像素行和第二像素行布置在列方向上。第一像素行的第一像素包括改变在第一像素中包括的放大晶体管的输入节点处的电容值的第一开关。第二像素行的第二像素包括改变在第二像素中包括的放大晶体管的输入节点处的电容值的第二开关。缓冲器驱动第一开关和第二开关。缓冲器输出节点电连接到第一开关输入节点和第二开关输入节点，以被第一开关输入节点和第二开关输入节点所共用。
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公开(公告)号：CN109390363A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810884107.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H04N5/378 , H01L27/14683
Abstract: 本发明公开了成像设备和制造成像设备的方法。一种制造成像设备的方法，所述成像设备包括第一埋入二极管和第二埋入二极管，所述第一埋入二极管包括第一半导体区域和第二半导体区域，所述第二埋入二极管包括第三半导体区域和第四半导体区域，所述方法包括将第一导电类型的第一杂质离子注入到第一区域和第一区域与第二区域之间的第三区域中，以及将第一导电类型的第二杂质离子注入到第二区域和第三区域中，其中，通过注入第一杂质离子形成第一半导体区域，通过注入第二杂质离子形成第三半导体区域，并且通过注入第一杂质离子和第二杂质离子在第三区域中形成具有比第一半导体区域和第二半导体区域高的杂质浓度的第五半导体区域。
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公开(公告)号：CN105304658A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510340641.6
申请日：2015-06-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14679 , H01L27/14603 , H01L27/14616 , H01L27/1463
Abstract: 本发明公开一种固态摄像装置。固态摄像装置包括：多个像素，所述多个像素中的每个像素包括根据入射光而生成电荷的光电转换部以及输出与由所述光电转换部生成的所述电荷对应的图像信号的结型场效应晶体管。所述固态摄像装置包括使用绝缘体的第一元件分离区域和使用pn结的第二元件分离区域，所述第一元件分离区域和所述第二元件分离区域被配置在配置有所述多个像素的区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109390363B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN201810884107.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了成像设备和制造成像设备的方法。一种制造成像设备的方法，所述成像设备包括第一埋入二极管和第二埋入二极管，所述第一埋入二极管包括第一半导体区域和第二半导体区域，所述第二埋入二极管包括第三半导体区域和第四半导体区域，所述方法包括将第一导电类型的第一杂质离子注入到第一区域和第一区域与第二区域之间的第三区域中，以及将第一导电类型的第二杂质离子注入到第二区域和第三区域中，其中，通过注入第一杂质离子形成第一半导体区域，通过注入第二杂质离子形成第三半导体区域，并且通过注入第一杂质离子和第二杂质离子在第三区域中形成具有比第一半导体区域和第二半导体区域高的杂质浓度的第五半导体区域。
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公开(公告)号：CN103219346B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310018380.7
申请日：2013-01-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02002 , H01L27/14601 , H01L27/14605 , H01L27/14609 , H01L27/14645 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了图像拾取装置和图像拾取系统。该图像拾取装置包括分别包含第一导电类型的第一半导体区域和被设置为与第一半导体区域接触的第二导电类型的半导体区域的光电转换单元；在光电转换单元之间形成的势垒；和设置在图像感测区域中的接触插头。接触插头的数量比光电转换单元的数量少。光电转换单元包含第一和第二光电转换单元，并被布置为使得至少两个第一光电转换单元沿第一方向彼此相邻。势垒包含在相邻设置的两个第一光电转换单元之间形成的第一部分以及在彼此相邻的第一光电转换单元和第二光电转换单元之间形成的第二部分。接触插头的位置距第一部分比距第二部分更近。
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公开(公告)号：CN103219345A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310017553.3
申请日：2013-01-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14603 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H04N5/365 , H04N5/3745
Abstract: 一种图像拾取装置和图像拾取系统。根据一个或更多个实施例的图像拾取装置包括供电线路和第一至第四光电二极管。沿着第一方向布置第一、第二和第三光电二极管以使得第一光电二极管与第二光电二极管相邻以及第二光电二极管与第三光电二极管相邻。供电线路包括沿着第一方向设置的第一导体和沿着与第一方向相交的第二方向设置的第二导体。把第二导体设置在第二与第三光电二极管之间的区域上。与第一和第二光电二极管分别对应的第一和第二晶体管连接到供电线路。在第二方向上与第二光电二极管相邻地设置第四光电二极管。与第四光电二极管对应的第三晶体管连接到供电线路。
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公开(公告)号：CN111223450A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911080859.7
申请日：2019-11-07
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G09G3/3225 , G09G3/34 , H05B33/08
Abstract: 本申请涉及显示设备、图像捕获设备、照明设备、移动体和电子装置。显示设备包括：其中布置有多个像素的像素区域，以及设置在像素区域周围并在其中布置有多个虚设像素的虚设像素区域。像素和虚设像素中的每一个都包括发光元件和驱动晶体管，其中发光元件包括第一电极和第二电极。在像素中，发光元件的第一电极连接到驱动晶体管，并且在虚设像素中，发光元件未连接到驱动晶体管，第一电位被供应给第一电极，第二电位被供应给第二电极，并且发光元件在第一电位与第二电位之间的电位差处不发光。
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公开(公告)号：CN105304658B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510340641.6
申请日：2015-06-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14679 , H01L27/14603 , H01L27/14616 , H01L27/1463
Abstract: 本发明公开一种固态摄像装置。固态摄像装置包括：多个像素，所述多个像素中的每个像素包括根据入射光而生成电荷的光电转换部以及输出与由所述光电转换部生成的所述电荷对应的图像信号的结型场效应晶体管。所述固态摄像装置包括使用绝缘体的第一元件分离区域和使用pn结的第二元件分离区域，所述第一元件分离区域和所述第二元件分离区域被配置在配置有所述多个像素的区域中。
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