-
公开(公告)号：CN104885197B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201380069237.9
申请日：2013-12-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 玄番润
IPC: H01L21/205 , C23C16/42
CPC classification number: H01L21/02529 , C23C16/325 , C23C16/45523 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/0257 , H01L21/02576 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供了：制备碳化硅衬底的步骤(S11)，采用第一源材料气体在碳化硅衬底上形成第一碳化硅半导体层的步骤(S12)，以及采用第二源材料气体在第一碳化硅半导体层上形成第二碳化硅半导体层的步骤(S13)。在形成第一碳化硅半导体层的步骤(S12)以及形成第二碳化硅半导体层的步骤(S13)中，氨气用作掺杂剂气体，且第一源材料气体具有1.6‑2.2的C/Si比，C/Si比是一源材料气体中的碳原子数量相对于硅原子数量的比。
-
公开(公告)号：CN105579625A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480048923.2
申请日：2014-07-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/16 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/36 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/20 , C30B29/64 , Y10T428/21 , Y10T428/24355
Abstract: 一种具有主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延衬底(10)，其包含：基础衬底(1)，以及形成在所述基础衬底(1)上并包括所述主表面(第二主表面(2A))的碳化硅外延层(2)，所述第二主表面(2A)具有0.6nm或更低的表面粗糙度，在包括所述主表面(第二主表面(2A))的表面层处的所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的标准偏差与在所述表面层处所述碳化硅外延层(2)中的氮浓度的所述碳化硅外延衬底(10)平面内的平均值之比，为15％或更低。
-
公开(公告)号：CN110747507A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910916681.9
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种外延晶片，包括：具有第一主表面的碳化硅膜和具有第二主表面的碳化硅衬底。碳化硅衬底的直径不小于100mm，碳化硅膜形成在第二主表面上。在第一主表面中形成有沿第一主表面在一个方向上延伸的凹槽部，其在一个方向上的宽度是其在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。凹槽部距第一主表面的最大深度不大于10nm且包括第一凹槽部和连接至第一凹槽部的第二凹槽部。第一凹槽部在一个方向上形成在凹槽部的一个端部中。第二凹槽部在一个方向上从第一凹槽部延伸至与该一个端部相反的另一个端部且距第一主表面的深度小于第一凹槽部的最大深度。第一凹槽部在横截面中具有三角形形状。第二凹槽部包括与第一主表面基本上平行的底表面。
-
公开(公告)号：CN102668033A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201180005073.4
申请日：2011-02-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/45504 , C23C16/4585 , C23C16/481 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L29/1608 , H01L29/872
Abstract: 基板（10-12）分别安装在多个基座（20-22）中的每个基座上。所述多个基座中的每个基座均安装有基板，且所述多个基座设置在旋转机构上，使得这些基座在上下方向上彼此间具有预定间隔。设置有所述多个基座的旋转机构被旋转。每个均安装有基板的多个基座被加热。通过向在旋转的同时受热的基座中的每个基座供应原料气体来沉积半导体薄膜，所述原料气体通过基本上彼此相等的相应路径长度的气体流路被加热。
-
公开(公告)号：CN110747507B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910916681.9
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种外延晶片，包括：具有第一主表面的碳化硅膜和具有第二主表面的碳化硅衬底。碳化硅衬底的直径不小于100mm，碳化硅膜形成在第二主表面上。在第一主表面中形成有沿第一主表面在一个方向上延伸的凹槽部，其在一个方向上的宽度是其在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。凹槽部距第一主表面的最大深度不大于10nm且包括第一凹槽部和连接至第一凹槽部的第二凹槽部。第一凹槽部在一个方向上形成在凹槽部的一个端部中。第二凹槽部在一个方向上从第一凹槽部延伸至与该一个端部相反的另一个端部且距第一主表面的深度小于第一凹槽部的最大深度。第一凹槽部在横截面中具有三角形形状。第二凹槽部包括与第一主表面基本上平行的底表面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105705684A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480009899.1
申请日：2014-03-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 玄番润
IPC: C30B29/36 , C23C16/02 , C23C16/42 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02529 , C30B25/165 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 提供一种制造碳化硅半导体衬底的方法，以便以低成体获得具有高度平坦表面的碳化硅半导体衬底。该制造碳化硅半导体衬底的方法包括：制备作为籽晶衬底的碳化硅衬底(1)的步骤(S10)；对碳化硅衬底(1)的主表面(1A)执行气相蚀刻的步骤(S20)；以及在主表面(1A)上外延生长碳化硅的步骤(S30)。从气相蚀刻的步骤(S20)中间，将包含碳原子的气体馈送到碳化硅衬底(1)。
-
公开(公告)号：CN104885197A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380069237.9
申请日：2013-12-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 玄番润
IPC: H01L21/205 , C23C16/42
CPC classification number: H01L21/02529 , C23C16/325 , C23C16/45523 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/0257 , H01L21/02576 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供了：制备碳化硅衬底的步骤(S11)，采用第一源材料气体在碳化硅衬底上形成第一碳化硅半导体层的步骤(S12)，以及采用第二源材料气体在第一碳化硅半导体层上形成第二碳化硅半导体层的步骤(S13)。在形成第一碳化硅半导体层的步骤(S12)以及形成第二碳化硅半导体层的步骤(S13)中，氨气用作掺杂剂气体，且第一源材料气体具有1.6-2.2的C/Si比，C/Si比是一源材料气体中的碳原子数量相对于硅原子数量的比。
-
公开(公告)号：CN106574397B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201580041319.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/32 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 一种外延晶片(100)，包括具有第一主表面(101)的碳化硅膜(120)。凹槽部(20)形成在第一主表面(101)中。凹槽部(20)沿第一主表面(101)在一个方向上延伸。而且，凹槽部(20)在该一个方向上的宽度是凹槽部(20)在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。而且，凹槽部(20)距第一主表面(101)的最大深度不大于10nm。
-
公开(公告)号：CN106574397A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580041319.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/32 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 一种外延晶片(100)，包括具有第一主表面(101)的碳化硅膜(120)。凹槽部(20)形成在第一主表面(101)中。凹槽部(20)沿第一主表面(101)在一个方向上延伸。而且，凹槽部(20)在该一个方向上的宽度是凹槽部(20)在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。而且，凹槽部(20)距第一主表面(101)的最大深度不大于10nm。
-
公开(公告)号：CN102782823A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011867.1
申请日：2011-10-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/337 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/808
CPC classification number: H01L29/36 , H01L21/02447 , H01L21/02502 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/808
Abstract: 缓冲层（31）设置在衬底（30）上，由包含杂质的碳化硅制成，并且具有大于1μm且小于7μm的厚度。漂移层（32）设置在缓冲层（31）上，并且由具有比缓冲层（31）的杂质浓度小的杂质浓度的碳化硅制成。以此方式，能够提供一种包括具有所期望的杂质浓度和高结晶性的漂移层（32）的碳化硅半导体器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.059 seconds)
