公开(公告)号：CN112352309A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201980041802.8

申请日：2019-06-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 木村贵幸 ,  增田久树 ,  大山隆行 ,  田中裕子 ,  上村吉弘 ,  三浦浩之

IPC: H01L23/02

Abstract: 本发明的实施方式涉及的基体具备基板、第1膜、第1层、以及第2膜。基板具有第1弹性模量。第1膜位于基板的上表面。第1层位于基板的下表面，具有比第1弹性模量低的第2弹性模量，并且具有第1热膨胀系数。第2膜位于第1层的下表面，包含与第1膜相同的材料，具有比第1热膨胀系数小的第2热膨胀系数。

公开(公告)号：CN113227731A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980086663.0

申请日：2019-12-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 中山信义 ,  木村贵幸 ,  加藤秀崇

IPC: G01J3/10 ,  H05B47/10 ,  H01L33/00 ,  F21S2/00

Abstract: 该光谱控制设备包括获取光谱信息的控制单元。基于光谱信息，控制单元控制由发光设备发射的光的光谱和形成图像的图像光的光谱之中的至少一个光谱。

公开(公告)号：CN112352309B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201980041802.8

申请日：2019-06-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 木村贵幸 ,  增田久树 ,  大山隆行 ,  田中裕子 ,  上村吉弘 ,  三浦浩之

IPC: H01L23/02

Abstract: 本发明的实施方式涉及的基体具备基板、第1膜、第1层、以及第2膜。基板具有第1弹性模量。第1膜位于基板的上表面。第1层位于基板的下表面，具有比第1弹性模量低的第2弹性模量，并且具有第1热膨胀系数。第2膜位于第1层的下表面，包含与第1膜相同的材料，具有比第1热膨胀系数小的第2热膨胀系数。

公开(公告)号：CN114430859A

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202080066700.4

申请日：2020-09-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 木村贵幸 ,  增田久树 ,  田中裕子 ,  大山隆行 ,  上村吉弘 ,  三浦浩之

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10

Abstract: 盖体具备：基体，包含有铁及镍的合金；第一膜，位于基体的下表面且包含有镍；以及第二膜，位于第一膜的下表面且包含有铜。通过第一膜减少在盖体的焊接时第二膜的Cu侵入基体的晶界的状况。因此，在基体产生裂缝的情况得以减少，能够构成气密性高的封装件。

公开(公告)号：CN112640136A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980056242.3

申请日：2019-08-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 加藤秀崇 ,  草野民男 ,  池田晃平 ,  木村贵幸 ,  安藤嘉基 ,  二塚健

IPC: H01L33/50 ,  F21V7/30 ,  F21V9/45 ,  F21W131/305 ,  F21W131/40 ,  F21W131/405 ,  F21Y115/10

Abstract: 一种发光装置，具备：发光元件，其射出在360nm以上且430nm以下的波长区域具有峰值波长的光谱所特定的光；波长转换构件，其将发光元件射出的光的至少一部分转换成在360nm以上且780nm以下的波长区域具有峰值波长的光谱所特定的光。发光装置射出发光元件射出的光之中未被波长转换构件转换的光和被波长转换构件转换的光合并在一起的照明光。在照明光中，具有包含在360nm以上且430nm以下的波长区域中的波长的光的能量的合计，相对于具有包含在360nm以上且780nm以下的波长区域中含的波长的光的能量的合计，为3％以上且18％以下。