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公开(公告)号：CN110959201A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201880052232.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L33/50 , F21S2/00 , G02B5/20 , F21Y103/10 , F21Y115/10
Abstract: 本发明的一实施方式的发光装置具备：波长变换构件，分散有第一荧光体、第二荧光体、第三荧光体、第四荧光体以及第五荧光体分散；以及发光元件。第一荧光体在400nm～500nm、第二荧光体在450nm～550nm、第三荧光体在500nm～600nm、第四荧光体在600nm～700nm、第五荧光体在680nm～800nm的波长区域分别具有峰值。发光元件放射380nm～430nm的紫外区域的光。发光装置的发光光谱在380～430nm、430nm～480nm、480nm～550nm、550nm～650nm、650nm～750nm的波长区域具有峰值波长，380nm～950nm的波长区域的各个峰值波长的相对光强度差小于20％。
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公开(公告)号：CN114207346B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202080056409.9
申请日：2020-08-06
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: F21S2/00 , F21V9/30 , F21V23/00 , H05B45/10 , F21Y115/10 , F21Y113/13
Abstract: 根据本公开的第一实施方案的照明装置包括：第一发光装置；多个第二发光装置；和控制单元。第一发光装置具有第一发射光谱，所述第一发射光谱具有在360nm至430nm的波长范围内的第一峰波长，并且其中随着波长从第一峰波长减小以及随着波长从第一峰波长增大，光强度连续减小。多个第二发光装置中的每个都具有第二发射光谱，所述第二发射光谱具有在360nm至430nm的波长范围内的第二峰波长，具有在第二峰波长至750nm的波长范围内的第三峰波长，并且其中随着波长从第二峰波长减小以及随着波长从第三峰波长增大，光强度连续减小。控制单元控制第一发光装置和多个第二发光装置。多个第二发光装置的第三峰波长彼此不同。
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公开(公告)号：CN114207346A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080056409.9
申请日：2020-08-06
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: F21S2/00 , F21V9/30 , F21V23/00 , H05B45/10 , F21Y115/10 , F21Y113/13
Abstract: 根据本公开的第一实施方案的照明装置包括：第一发光装置；多个第二发光装置；和控制单元。第一发光装置具有第一发射光谱，所述第一发射光谱具有在360nm至430nm的波长范围内的第一峰波长，并且其中随着波长从第一峰波长减小以及随着波长从第一峰波长增大，光强度连续减小。多个第二发光装置中的每个都具有第二发射光谱，所述第二发射光谱具有在360nm至430nm的波长范围内的第二峰波长，具有在第二峰波长至750nm的波长范围内的第三峰波长，并且其中随着波长从第二峰波长减小以及随着波长从第三峰波长增大，光强度连续减小。控制单元控制第一发光装置和多个第二发光装置。多个第二发光装置的第三峰波长彼此不同。
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公开(公告)号：CN110959201B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201880052232.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L33/50 , F21S2/00 , G02B5/20 , F21Y103/10 , F21Y115/10
Abstract: 本发明的一实施方式的发光装置具备：波长变换构件，分散有第一荧光体、第二荧光体、第三荧光体、第四荧光体以及第五荧光体分散；以及发光元件。第一荧光体在400nm～500nm、第二荧光体在450nm～550nm、第三荧光体在500nm～600nm、第四荧光体在600nm～700nm、第五荧光体在680nm～800nm的波长区域分别具有峰值。发光元件放射380nm～430nm的紫外区域的光。发光装置的发光光谱在380～430nm、430nm～480nm、480nm～550nm、550nm～650nm、650nm～750nm的波长区域具有峰值波长，380nm～950nm的波长区域的各个峰值波长的相对光强度差小于20％。
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公开(公告)号：CN111133594A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880061269.7
申请日：2018-05-10
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 发光装置等具备：发光元件，其具有发光部，该发光部辐射在380～425nm具有第1峰值波长、半值宽度为15～35nm的第1辐射光；和被覆材料，其位于发光元件的发光部上，包含荧光体，该荧光体辐射在430～475nm具有第2峰值波长并在490～540nm具有第3峰值波长的第2辐射光，发光装置等辐射外部辐射光，该外部辐射光具有：包含第1峰值波长、第2峰值波长以及第3峰值波长14P02303的峰值区域；和从第3峰值波长的上限到750nm的波长而光强度连续减少的长波长区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113826001A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080035351.X
申请日：2020-05-25
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 光谱决定装置取得采样对象部的拍摄图像和为了拍摄拍摄图像而照射采样对象部的采样光的光谱信息，该采样对象部包含给定的分类中包含的第一外观异常所在的第一区域和第二区域，计算基于拍摄图像中的拍摄第一区域而得的部分与拍摄第二区域而得的部分之间的明亮度差以及色度差中的至少一方的评价指标，基于评价指标和所述采样光的光谱信息，决定为了检测检查对象部是否包含给定的分类所包含的第二外观异常而照射检查对象部的检查光的光谱。
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公开(公告)号：CN113196885A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980077645.6
申请日：2019-11-26
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H05B47/115 , H01L33/00 , A61L2/10
Abstract: 根据本公开的实施例的照明设备10包括发光设备、控制单元和传感器。发光设备1发射具有360nm至430nm的范围内的第一峰值波长λ1和430nm至700nm的范围内的第二峰值波长λ2的光。控制单元7控制从发光设备1发射的光的发射光谱。传感器8包括传感器单元81并将由传感器单元81接收的信号发送给控制单元7。控制单元7基于由传感器8检测到的信号来控制发射光谱。
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公开(公告)号：CN111133594B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201880061269.7
申请日：2018-05-10
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 发光装置等具备：发光元件，其具有发光部，该发光部辐射在380～425nm具有第1峰值波长、半值宽度为15～35nm的第1辐射光；和被覆材料，其位于发光元件的发光部上，包含荧光体，该荧光体辐射在430～475nm具有第2峰值波长并在490～540nm具有第3峰值波长的第2辐射光，发光装置等辐射外部辐射光，该外部辐射光具有：包含第1峰值波长、第2峰值波长以及第3峰值波长14P02303的峰值区域；和从第3峰值波长的上限到750nm的波长而光强度连续减少的长波长区域。
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公开(公告)号：CN114556598A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080071086.0
申请日：2020-10-15
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L33/50 , F21K9/64 , F21V9/38 , F21Y115/10
Abstract: 本公开的一实施方式所涉及的发光装置发出第1光，该第1光在630～680nm的波长区域具有第1峰值波长，在430nm～480nm的波长区域具有第2峰值波长，在380nm～430nm的波长区域具有第3峰值波长。第1光在将第2峰值波长处的光强度设为1的情况下，第1峰值波长处的相对光强度为0.05～0.35，第3峰值波长处的相对光强度为0.25～0.45。第1光在从480nm到第1峰值波长的波长区域，具有光强度的第1极小值。
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公开(公告)号：CN112640136A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980056242.3
申请日：2019-08-30
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L33/50 , F21V7/30 , F21V9/45 , F21W131/305 , F21W131/40 , F21W131/405 , F21Y115/10
Abstract: 一种发光装置，具备：发光元件，其射出在360nm以上且430nm以下的波长区域具有峰值波长的光谱所特定的光；波长转换构件，其将发光元件射出的光的至少一部分转换成在360nm以上且780nm以下的波长区域具有峰值波长的光谱所特定的光。发光装置射出发光元件射出的光之中未被波长转换构件转换的光和被波长转换构件转换的光合并在一起的照明光。在照明光中，具有包含在360nm以上且430nm以下的波长区域中的波长的光的能量的合计，相对于具有包含在360nm以上且780nm以下的波长区域中含的波长的光的能量的合计，为3％以上且18％以下。
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