公开(公告)号：CN114430859A

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202080066700.4

申请日：2020-09-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 木村贵幸 ,  增田久树 ,  田中裕子 ,  大山隆行 ,  上村吉弘 ,  三浦浩之

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10

Abstract: 盖体具备：基体，包含有铁及镍的合金；第一膜，位于基体的下表面且包含有镍；以及第二膜，位于第一膜的下表面且包含有铜。通过第一膜减少在盖体的焊接时第二膜的Cu侵入基体的晶界的状况。因此，在基体产生裂缝的情况得以减少，能够构成气密性高的封装件。

公开(公告)号：CN112352309A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201980041802.8

申请日：2019-06-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 木村贵幸 ,  增田久树 ,  大山隆行 ,  田中裕子 ,  上村吉弘 ,  三浦浩之

IPC: H01L23/02

Abstract: 本发明的实施方式涉及的基体具备基板、第1膜、第1层、以及第2膜。基板具有第1弹性模量。第1膜位于基板的上表面。第1层位于基板的下表面，具有比第1弹性模量低的第2弹性模量，并且具有第1热膨胀系数。第2膜位于第1层的下表面，包含与第1膜相同的材料，具有比第1热膨胀系数小的第2热膨胀系数。

公开(公告)号：CN112352309B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN201980041802.8

申请日：2019-06-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 木村贵幸 ,  增田久树 ,  大山隆行 ,  田中裕子 ,  上村吉弘 ,  三浦浩之

IPC: H01L23/02

Abstract: 本发明的实施方式涉及的基体具备基板、第1膜、第1层、以及第2膜。基板具有第1弹性模量。第1膜位于基板的上表面。第1层位于基板的下表面，具有比第1弹性模量低的第2弹性模量，并且具有第1热膨胀系数。第2膜位于第1层的下表面，包含与第1膜相同的材料，具有比第1热膨胀系数小的第2热膨胀系数。

公开(公告)号：CN112005366A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980027628.1

申请日：2019-04-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 富田慎也 ,  增田久树 ,  小森敏晴 ,  上田宪正

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/36

Abstract: 本发明的实施方式所涉及的散热基板具备基板、第1部、第2部、第3部以及接合材料。基板具有至少1个贯通孔，并且包括金属材料。第1部位于贯通孔，并且热传导率比基板的热膨胀率高，该第1部包括金属材料。第2部位于基板的上表面，并且热传导率比基板的热膨胀率高，该第2部包括金属材料。第3部位于基板的下表面，并且热传导率比基板的热膨胀率高，该第3部包括金属材料。接合材料分别位于基板与第2部之间、以及基板与第3部之间。第1部经由接合材料或者接合层，至少一部分与第2部以及第3部连续。