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公开(公告)号：CN118625598A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310740014.6
申请日：2023-06-21
Abstract: 本发明公开了一种基于聚羟基苯乙烯的双光子光刻胶及其图案化方法。所述基于聚羟基苯乙烯的双光子光刻胶按质量份数计，包括以下组分：1‑3份聚羟基苯乙烯化合物，1‑7份活性交联剂，0.2‑0.5份双光子引发剂，0‑0.5份增敏剂，0～90份溶剂。本发明提供的基于聚羟基苯乙烯的双光子光刻胶具有良好的成膜性，利用飞秒激光直写光刻系统，可以刻写出满足微纳加工需求的光刻胶线条，具有良好的精度，在微纳电子器件、集成电路和显示面板等半导体制造领域内有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN115793395A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211599240.9
申请日：2022-12-12
Abstract: 本发明公开了一种基于双抑制效应的高精度飞秒激光直写光刻胶组合物及其应用。所述飞秒激光直写光刻胶组合物包括单体、双光子引发剂和阻聚剂；所述单体选自丙烯酸酯类化合物和甲基丙烯酸酯类化合物中的一种或多种按任意配比的组合；以单体质量为100％计，双光子引发剂和阻聚剂的质量百分比为0.5‑5wt％和0.1‑5wt％。本发明公开的光刻胶组合物中加入了阻聚剂，利用化学抑制效应可以提高飞秒激光直写的刻写精度。本发明提供了所述光刻胶组合物在飞秒激光直写制备微结构中的应用，其结合了PPI的物理抑制和阻聚剂的化学抑制两种抑制效应，可以显著提高飞秒激光直写的刻写精度，获得极高精度的高质量刻写线条。
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公开(公告)号：CN115248468B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202211008273.1
申请日：2022-08-22
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种高色散高衍射效率的折射反射混合型光栅，包括带周期性直角三角形沟槽的金属基底、直角三角形沟槽的填充介质和设置于填充介质上表面的子光栅；直角三角形沟槽的周期、直角三角形沟槽的斜面与光栅平面的夹角、填充介质的折射率和光栅工作波段的中心波长满足由反射定律、折射定律和光栅衍射方程得出的定量关系式，本发明的折射反射混合型光栅可以在衍射角大于75度的条件下同时实现高于90％的衍射效率和高于2毫弧度/纳米的角色散本领。
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公开(公告)号：CN115327867A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211253404.2
申请日：2022-10-13
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种高速高精度对准的激光直写光刻方法与装置，使用位移台与转镜同步运动算法，首先基于激光器产生激光束，基于电光/声光调制器实现激光强度高速调制，基于任意波形发生器产生高速调制信号控制；然后启动位移台，按照预设路径移动，经过预设触发位置时产生触发信号；再基于数据采集卡采集触发信号，获得触发后打开转镜触发激光器，基于转镜位置激光器获得转镜扫描起始点信号，用于启动任意波形发生器输出高速调制信号；最后位移台匀速移动到下一个触发位置产生触发信号，直到位移台预设路径移动结束，完成刻写。本发明基于位移台与转镜同步运动算法，有效解决了现有激光直写光刻系统无法实现高速高精度对准的问题。
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公开(公告)号：CN114895536B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210823416.8
申请日：2022-07-14
Applicant: 之江实验室
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于激光直写的图案化Zn‑MOF膜的制备方法，属于图案化材料的技术领域，该制备方法包括以下步骤：（1）利用飞秒激光直写技术，对锌基光刻胶进行图案化光刻，显影后得到聚合后的光刻图案；（2）将得到的光刻图案进行高温退火，得到图案化的ZnO薄膜；（3）以ZnO为金属源，将其置于含有配体溶液的反应釜中，通过水热反应得到图案化的Zn‑MOF膜，本发明利用激光直写的方法能快速制备图案化的MOF膜、操作简单，更能在微米尺寸对MOF膜的图案进行控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114957700B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210823473.6
申请日：2022-07-14
Abstract: 本发明公开了一种用于氯离子传感的金属有机框架材料及其制备方法，该金属有机框架材料的制备方法包括如下步骤：（1）制备合成了含有未配位羧基的双配体Zr‑NDC‑PMA材料；（2）通过后修饰的方法将Ag+和Eu3+同时配位到MOF中的未配位羧基位点，得到Ag+/Eu3+@Zr‑NDC‑PMA荧光探针材料，本发明所获得的金属有机框架材料稳定性良好，能在水溶液中对氯离子进行快速识别、定量检测，而且此探针可以实现对氯离子的比率型传感，具有良好的抗干扰性和灵敏度，可用于生物、环境、化学等样品中氯离子的传感。
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公开(公告)号：CN114527630A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210417731.0
申请日：2022-04-21
Abstract: 本发明公开了一种二氧化锆微纳图案的飞秒激光直写方法，将异丙醇锆与有机酸反应得到光刻胶单体，将光刻胶单体与光引发剂按比例溶解，旋涂在基板上之后，可在飞秒激光的诱导下在选定的位置发生聚合，显影后形成光刻图案，将所得的图案在空气气氛中高温退火，得到二氧化锆微纳图案，该方法无需掩模版，可以快速简便地制造任意的二氧化锆微纳图案，可用于电路电容和半导体微器件等产品的制造加工。
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公开(公告)号：CN114326295A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210250051.4
申请日：2022-03-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 氧化锌是一种半导体材料，可用于发光二极管，光电传感器等领域。本发明公开了一种氧化锌微纳图案的飞秒激光直写方法，将锌基光刻胶单体与双光子引发剂按比例溶解，旋涂后在飞秒激光的诱导下在选定的位置发生聚合，显影后形成设计的图案，将所得的图案在空气气氛中高温退火，可得到氧化锌的微纳图案，该方法可以快速简便地制造二氧化锌微纳图案，可用于半导体器件和光电传感器件的快速制造。
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公开(公告)号：CN117055297A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310820298.X
申请日：2023-07-05
Abstract: 本发明公开了一种基于光学/化学三维暗斑的超分辨激光直写方法和装置。本发明使用三束激光，分别以实心斑和空心斑聚焦照射光刻胶，三束光在三维空间中心对准，利用光引发剂的STED特性以及抑制剂对自由基扩散的限制，从而在光刻胶中获得最小达到亚50nm线宽，最小周期可到亚100nm。相比于已有的技术，本发明通过抑制边缘聚合，抑制剂阻止自由基扩散，进一步减小线宽，提高刻写精度、分辨率，本发明有望在传感器件、超材料、掩膜版制备等方面获得应用。
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公开(公告)号：CN116577964A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310706399.4
申请日：2023-06-15
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/30 , G03F7/40 , G03F7/16 , G03F7/038 , C08F220/32 , C08F212/08 , C08F220/20
Abstract: 本发明公开了一种基于三元聚合物的阳离子型双光子光刻胶及其图案化方法。所述阳离子型双光子光刻胶包含6‑30wt％的三元聚合物成膜树脂、0‑9wt％活性单体、0.5‑5wt％光酸型引发剂和65‑89.5wt％溶剂；所述的三元聚合物成膜树脂的结构式如式(I)所示，是以苯乙烯、式(II)所示的含金刚烷基甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯为反应单体，加入引发剂，通过自由基聚合反应合成。本发明通过将苯基、羟基和金刚烷等基团引入到聚合物中，提高了阳离子型光刻胶的附着力和抗蚀刻能力，可以提高图案的分辨率，以满足图案化制造需求。此外，在光刻胶体系中引入小分子单体，增加交联度，使得光刻胶具有较强的机械性能。
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