公开(公告)号：CN106463542B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201580027849.0

申请日：2015-03-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西胁克彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置具备：第一沟槽，其被形成在半导体基板表面上；第二沟槽，其被形成在半导体基板的表面上，并且在对半导体基板的表面进行俯视观察时，在与第一沟槽不同的方向上延伸且与第一沟槽相交。此外，半导体装置具备：栅极绝缘膜，其覆盖第一沟槽与第二沟槽的内表面以及交叉部的内表面；栅电极，其被形成在第一沟槽与所述第二沟槽内，并且隔着栅极绝缘膜而与半导体基板对置。此外，半导体装置具备n型发射区，其被形成在半导体基板内，且在半导体基板的表面上露出，并与第二沟槽内的栅极绝缘膜相接，并且与形成在第一沟槽和第二沟槽的交叉部的内表面上的栅极绝缘膜不相接。

公开(公告)号：CN1525575A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410007023.1

申请日：2004-02-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西胁克彦 ,  栉田知义 ,  河路佐智子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明旨在提供一种高耐电压场效应型半导体设备，其减弱在半导体衬底的电场同时不加厚漂移区的厚度，而且实现对于高电压的耐压性能，且不牺牲开启电压，开关关闭特性和小型化。场效应型半导体设备在一个表面(图2的上表面)上包括发射极区域100，104和栅极电极106等，并且在另一表面(图2的下表面)上包括集电极区域101等，其中在面对栅极电极106的P主体区域103和在P主体区域103下面的N漂移区102之间安置具有低的杂质浓度的N－场分散区域111。因此，减弱了在集电极和发射极之间的电场并且实现了高耐电压场效应型半导体设备。可以在N漂移区102和N漂移区102下面的P+集电极区域101之间安置另一个场分散区域。

公开(公告)号：CN106463542A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580027849.0

申请日：2015-03-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西胁克彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/739

Abstract: 半导体装置(1)具备：第一沟槽(611)，其被形成在半导体基板(10)表面上；第二沟槽(612)，其被形成在半导体基板(10)的表面上，并且在对半导体基板(10)的表面进行俯视观察时，在与第一沟槽(611)不同的方向上延伸且与第一沟槽膜(62)，其覆盖第一沟槽(611)与第二沟槽(612)的内表面以及交叉部(30)的内表面(301)；栅电极(63)，其被形成在第一沟槽(611)与所述第二沟槽(612)内，并且隔着栅极绝缘膜(62)而与半导体基板(10)对置。此外，半导体装置(1)具备n型发射区(24)，其被形成在半导体基板(10)内，且在半导体基板(10)的表面上露出，并与第一沟槽(611)内的栅极绝缘膜(62)相接，并且与形成在第一沟槽(611)和第二沟槽(612)的交叉部(30)的内表面(301)上的栅极绝缘膜(62)不相接。(611)相交。此外，半导体装置(1)具备：栅极绝缘

公开(公告)号：CN104981896A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201380072766.4

申请日：2013-02-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  大西徹 ,  西胁克彦 ,  斋藤顺

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明使用依次层压有表面侧半导体层、绝缘层和背面侧半导体层的SOI基板，批量生产对半导体层的厚度进行了管理的纵型的半导体装置。对SOI基板的表面实施从表面实施的处理，并从SOI基板的背面进行蚀刻而去除背面侧半导体层和绝缘层以使表面侧半导体层的背面露出，并对露出的表面侧半导体层的背面实施从背面实施的处理。能够准确地管理SOI基板的表面侧半导体层的厚度，并批量生产具有与表面侧半导体层相同的厚度的半导体层的半导体装置。在不为形成有作为半导体装置而发挥作用的半导体结构的有源区域的区域中，无需去除背面侧半导体层和绝缘层。还能够批量生产在有源区域中去除了绝缘层和背面侧半导体层，而在外围耐压区域中保留了绝缘层和背面侧半导体层的纵型的半导体装置。能够成品率较高地批量生产高性能的半导体装置。

公开(公告)号：CN100470832C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200480019954.1

申请日：2004-06-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西胁克彦

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42324

Abstract: 通过降低关断后进入接触开口的拐角中的电流集中，并抑制局部热产生而不增大接通电压，提出了一种即使在大电流下也能够稳定工作的半导体器件。在通过P场区111和栅极电极106分隔，具有N+发射极区104和P+发射极区100，并通过对栅极电极106施加的电压控制发射极与集电极之间的导通的绝缘栅极晶体管中，在四个拐角由曲线形成接触发射极(N+发射极区104和P+发射极区100)和发射极电极的接触开口108的形状。因此，消除了直角顶点，防止了关断后从所述场区进入所述发射极电极的空穴电流在一点的集中。

公开(公告)号：CN1284246C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200410007023.1

申请日：2004-02-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西胁克彦 ,  栉田知义 ,  河路佐智子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明旨在提供一种高耐电压场效应型半导体设备，其减弱在半导体衬底的电场同时不加厚漂移区的厚度，而且实现对于高电压的耐压性能，且不牺牲开启电压，开关关闭特性和小型化。场效应型半导体设备在一个表面(图2的上表面)上包括发射极区域100，104和栅极电极106等，并且在另一表面(图2的下表面)上包括集电极区域101等，其中在面对栅极电极106的P主体区域103和在P主体区域103下面的N漂移区102之间安置具有低的杂质浓度的N-场分散区域111。因此，减弱了在集电极和发射极之间的电场并且实现了高耐电压场效应型半导体设备。可以在N漂移区102和N漂移区102下面的P+集电极区域101之间安置另一个场分散区域。

公开(公告)号：CN1823419A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200480019954.1

申请日：2004-06-10

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西胁克彦

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42324

Abstract: 通过降低关断后进入接触开口的拐角中的电流集中，并抑制局部热产生而不增大接通电压，提出了一种即使在大电流下也能够稳定工作的半导体器件。在通过P场区111和栅极电极106分隔，具有N+发射极区104和P+发射极区100，并通过对栅极电极106施加的电压控制发射极与集电极之间的导通的绝缘栅极晶体管中，在四个拐角由曲线形成接触发射极(N+发射极区104和P+发射极区100)和发射极电极的接触开口108的形状。因此，消除了直角顶点，防止了关断后从所述场区进入所述发射极电极的空穴电流在一点的集中。