公开(公告)号：CN104115274B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201280069700.5

申请日：2012-02-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 加藤武宽 ,  大西徹

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，所述IGBT具有：n型的发射区；p型的顶部体区；n型的中间区；p型的底部体区；n型的漂移区；p型的集电区；多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、顶部体区、中间区以及底部体区并到达漂移区；栅电极，其被形成在沟槽内。该制造方法包括：在半导体基板的上表面上形成沟槽的工序；在沟槽内形成绝缘膜的工序；在绝缘膜形成之后，在半导体基板上以及沟槽内形成电极层的工序；使电极层的上表面平坦化的工序；在使电极层的上表面平坦化之后，从半导体基板的上表面侧将n型杂质注入至中间区的深度的工序。

公开(公告)号：CN106558502A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610847101.1

申请日：2016-09-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大西徹 ,  小野木淳士 ,  三角忠司 ,  山下侑佑 ,  竹内有一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及绝缘栅型开关元件及其制造方法，并提供在具有连接区域的绝缘栅型开关元件中抑制栅极阈值的偏差的技术。在绝缘栅型开关元件的制造方法中，在半导体基板上形成具有第一部分和第二部分的栅极沟槽，第一部分在第一方向上具有第一宽度，第二部分在第一方向上具有与第一宽度相比较宽的第二宽度。在倾斜注入工序中，以绕与第一方向正交的轴倾斜的照射角度照射第二导电型杂质。第一宽度、第二宽度及照射角度被设定为，在第一部分的第一侧面上抑制向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧的注入，并且在第二部分的第二侧面上向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧进行注入。通过向第二侧面的注入而形成对体区与底部区域进行连接的连接区域。

公开(公告)号：CN106558502B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201610847101.1

申请日：2016-09-23

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大西徹 ,  小野木淳士 ,  三角忠司 ,  山下侑佑 ,  竹内有一

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及绝缘栅型开关元件及其制造方法，并提供在具有连接区域的绝缘栅型开关元件中抑制栅极阈值的偏差的技术。在绝缘栅型开关元件的制造方法中，在半导体基板上形成具有第一部分和第二部分的栅极沟槽，第一部分在第一方向上具有第一宽度，第二部分在第一方向上具有与第一宽度相比较宽的第二宽度。在倾斜注入工序中，以绕与第一方向正交的轴倾斜的照射角度照射第二导电型杂质。第一宽度、第二宽度及照射角度被设定为，在第一部分的第一侧面上抑制向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧的注入，并且在第二部分的第二侧面上向与第二半导体区的下端的位置相比靠下侧进行注入。通过向第二侧面的注入而形成对体区与底部区域进行连接的连接区域。

公开(公告)号：CN105097958A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510232850.9

申请日：2015-05-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 伊藤孝浩 ,  大西徹 ,  山寺秀哉 ,  町田悟 ,  山下侑佑

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/47 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/16 ,  H01L29/401 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体层，其含有Si；阳极电极，其与半导体层的一个主面的至少一部分肖特基接触。阳极电极的材料为，含有选自Ti、Ta、Nb、Hf、Zr、W、Mo以及V中的至少一种的AlSi合金。

公开(公告)号：CN104981896A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201380072766.4

申请日：2013-02-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 平林康弘 ,  大西徹 ,  西胁克彦 ,  斋藤顺

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明使用依次层压有表面侧半导体层、绝缘层和背面侧半导体层的SOI基板，批量生产对半导体层的厚度进行了管理的纵型的半导体装置。对SOI基板的表面实施从表面实施的处理，并从SOI基板的背面进行蚀刻而去除背面侧半导体层和绝缘层以使表面侧半导体层的背面露出，并对露出的表面侧半导体层的背面实施从背面实施的处理。能够准确地管理SOI基板的表面侧半导体层的厚度，并批量生产具有与表面侧半导体层相同的厚度的半导体层的半导体装置。在不为形成有作为半导体装置而发挥作用的半导体结构的有源区域的区域中，无需去除背面侧半导体层和绝缘层。还能够批量生产在有源区域中去除了绝缘层和背面侧半导体层，而在外围耐压区域中保留了绝缘层和背面侧半导体层的纵型的半导体装置。能够成品率较高地批量生产高性能的半导体装置。

公开(公告)号：CN105981146A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480074756.9

申请日：2014-11-12

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 大西徹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置(1)具备：多个沟槽栅(3)，在半导体基板(2)上并排形成；层间绝缘膜(4)，其具有使半导体基板(2)的表面的一部分露出的开口部(45)；接触插塞(5)，其被形成在开口部(45)之中。层间绝缘膜(4)具备覆盖各个沟槽栅(3)的多个第一部分(41)和在相邻的第一部分(41)之间沿着与第一部分(41)交叉的方向而形成的第二部分(42)。开口部(45)被形成在由第一部分(41)和第二部分(42)包围而成的区域中，并且，沿着第一部分(41)的方向上的开口部(45)的长度短于沿着与第一部分(41)交叉的第二部分(42)的方向上的开口部(45)的长度。

公开(公告)号：CN104115274A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201280069700.5

申请日：2012-02-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 加藤武宽 ,  大西徹

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种IGBT的制造方法，所述IGBT具有：n型的发射区；p型的顶部体区；n型的中间区；p型的底部体区；n型的漂移区；p型的集电区；多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、顶部体区、中间区以及底部体区并到达漂移区；栅电极，其被形成在沟槽内。该制造方法包括：在半导体基板的上表面上形成沟槽的工序；在沟槽内形成绝缘膜的工序；在绝缘膜形成之后，在半导体基板上以及沟槽内形成电极层的工序；使电极层的上表面平坦化的工序；在使电极层的上表面平坦化之后，从半导体基板的上表面侧将n型杂质注入至中间区的深度的工序。