公开(公告)号：CN1286230C

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN01812310.4

申请日：2001-07-03

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 渡边大志 ,  伊藤润 ,  浅见慎也 ,  柴田直树

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/34333

Abstract: 在Ⅲ族氮化物半导体发光器件中使用了发光层，该发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层插入位于其两侧的AlGaN层之间。通过控制作为阱层的InGaN层的厚度、生长速率和生长温度和作为阻挡层的AlGaN层的厚度，以优化这些因素，提高该发光器件的输出功率。

公开(公告)号：CN1225032C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN00102851.0

申请日：2000-03-03

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 柴田直树 ,  伊藤润 ,  千代敏明 ,  浅见静代 ,  渡边大志 ,  千田昌伸 ,  浅见慎也

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B29/40 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007

Abstract: 通过不使用金属有机化合物作为原料的一种方法在一基片上形成一第一III族类氮化物层，其具有50埃到3000埃的一厚度，其中，不使用金属有机化合物作为原料的方法是从下面的组中选择的：直流磁电管溅射方法；蒸发方法；离子电镀方法；激光烧蚀方法；以及电子回旋共振方法；以及在所述第一III族类氮化物层上形成一第二III族类氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN1275293C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200410003940.2

申请日：2000-06-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明 ,  柴田直树 ,  千田昌伸 ,  伊藤润 ,  浅见静代 ,  浅见慎也 ,  渡边大志

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/86 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01S5/32341 ,  Y10T428/265

Abstract: 第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(A1N)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。

公开(公告)号：CN1525532A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410003940.2

申请日：2000-06-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明 ,  柴田直树 ,  千田昌伸 ,  伊藤润 ,  浅见静代 ,  浅见慎也 ,  渡边大志

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/86 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01S5/32341 ,  Y10T428/265

Abstract: 第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(AlN)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。

公开(公告)号：CN1315199C

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN02805916.6

申请日：2002-04-22

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 浅见慎也 ,  渡边大志 ,  伊藤润 ,  柴田直树

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  Y10S257/918

Abstract: 一种第III族氮化物化合物半导体发光器件包括多层，所述多层具有含有InGaN阱层和AlGaN势垒层的量子势阱结构。控制作为阱层的InGaN层的膜厚度、生长速率和生长温度，以及作为势垒层的AlGaN层的膜厚度至最佳化，由此改善发光器件的输出。

公开(公告)号：CN1254868C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN02803753.7

申请日：2002-01-10

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明 ,  伊藤润 ,  柴田直树

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

Abstract: 在本发明中，用(Ti1-XAX)N[其中，A是选自Al、Ga和In中的至少一种金属]作为金属氮化物层，以在金属氮化物层上形成Ⅲ族氮化物半导体层。当在具有足够厚度的金属氮化物层和衬底之间形成钛层和除去钛层时，可以得到用金属氮化物作为衬底的Ⅲ族氮化物半导体器件。

公开(公告)号：CN1194385C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN00107888.7

申请日：2000-06-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明 ,  柴田直树 ,  千田昌伸 ,  伊藤润 ,  浅见静代 ,  浅见慎也 ,  渡边大志

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/86 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01S5/32341 ,  Y10T428/265

Abstract: 一种第三族氮化物半导体器件和其半导体层的生产方法，其中第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(AlN)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。

公开(公告)号：CN1528022A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN02805916.6

申请日：2002-04-22

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 浅见慎也 ,  渡边大志 ,  伊藤润 ,  柴田直树

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  Y10S257/918

Abstract: 一种第III族氮化物化合物半导体发光器件包括多层，所述多层具有含有InGaN阱层和AlGaN势垒层的量子势阱结构。控制作为阱层的InGaN层的膜厚度、生长速率和生长温度，以及作为势垒层的AlGaN层的膜厚度至最佳化，由此改善发光器件的输出。

公开(公告)号：CN102024892B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201010285753.3

申请日：2010-09-15

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  伊藤润

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/46

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种光提取性能改善的III族氮化物半导体发光器件，包括导电基底；设置在基底上的p-电极；由III族氮化物半导体形成并依次设置在p-电极上的p-型层、有源层和n-型层；和连接n-型层的n-电极。根据一个实施方案，发光器件包括从p-型层在p-电极侧上的表面延伸到n-型层的第一沟槽；与用作第一沟槽底部的n-型层表面接触但不接触第一沟槽侧壁的辅助电极；和具有透光性并覆盖辅助电极和第一沟槽的底部和侧壁的绝缘膜。根据另一实施方案，发光器件包括第二沟槽，其设置在沿垂直于器件主表面的方向面对部分辅助电极的区域中并从n-型层在p-电极侧的相反侧上的表面延伸到辅助电极；并且n-电极仅由焊盘部分形成并设置在辅助电极的通过第二沟槽暴露的部分上。

公开(公告)号：CN1271681C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN03158766.6

申请日：1997-11-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树 ,  野杁静代 ,  伊藤润 ,  村上正纪 ,  小出康夫

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法。其中，GaN基化合物半导体中掺有p型杂质，并且在至少含有氧的气体中进行了热处理。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。