一种促进植物生长的光转化膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113684019B

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202110832492.0

    申请日:2021-07-22

    Abstract: 本发明公开了一种促进植物生长的近红外光转化膜及其制备方法,其化学式为(Ph4P)2SbCl5。本发明得光转化膜吸收紫外光而发出发光峰位于700nm,半高宽为176nm的红外光,而红外光和植物中叶绿素a和叶绿素b的红光吸收区域(600‑680nm)相匹配。此外,该材料在室温下合成不需要铅元素的参与,且在室温下稳定性好,量子效率高,可通过简单工艺制成促进植物生长的光转化膜,用节能环保的方法提高了光利用率,有大批量工业化的潜力。

    一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112331793A

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN202011242065.9

    申请日:2020-11-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法。该发光二极管包括溶液和器件结构,所述溶液包括PEDOT:PSS、溶于氯苯的Poly‑TPD溶液以及溶于DMSO的Ph4PCl和SbCl3溶液,其中Ph4PCl和SbCl3的摩尔比为2:1。所述的器件结构为ITO/PEDOT:PSS/Poly‑TPD/(Ph4P2)SbCl5/TPBi/LiF/Al。从而实现零维金属卤化物的橙色电致发光器件,以促进零维金属卤化物在显示照明上的应用。本发明中的各功能层对环境友好,制备方法简便,同时适应于其它零维金属卤化物,具有良好的应用前景。

    一种基于柔性衬底的阵列光电耦合器

    公开(公告)号:CN110137205A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910513843.4

    申请日:2019-06-14

    Abstract: 本专利涉及柔性光电耦合器,其包括有机发光源、透光材料、有机受光源、柔性压力传感元件、信号处理电路、不透光材料,所述有机发光源的发光位置与有机受光源的受光位置相对,中间通过透光材料传输光,所述柔性压力传感元件放置在阵列光电耦合器的缝隙处,上述材料全部为柔性材料且形成的电路模块与信号处理电路连接,然后被柔性不透光材料覆盖形成光电耦合器。所述的光电耦合器采用m×n的阵列形式并在一起印刷在柔性基底上。本专利能提供一种柔性可弯曲的光电耦合器,并减小柔性光电耦合器在发生弯曲时对信号的影响。

    一种无空穴传输层的全无机钙钛矿电致发光器件及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117613164A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311521179.0

    申请日:2023-11-15

    Abstract: 本发明涉及电致发光技术领域,公开一种无空穴传输层的全无机钙钛矿电致发光器件及其制备方法和应用,所述全无机钙钛矿电致发光器件依次层叠设置阳极电极层、钙钛矿发光层、无机电子传输层和阴极电极层;所述无机电子传输层材料为氧化锌、镁掺杂氧化锌、铝掺杂氧化锌、氧化锡中任一种或多种的混合物;所述钙钛矿发光层材料为CsPbX3,其中X为Cl、Br、I中一种或两种。本发明中以全无机的CsPbX3为钙钛矿发光层材料,上层叠加无机的电子传输层材料,无需空穴传输层,避免了界面不稳定等潜在因素,得到的器件具有高稳定性特性同时,兼具高亮度和高效率发光性能,对于产业化有非常大的优势。

    一种InP/ZnSexS1-x/ZnS量子点的制备方法

    公开(公告)号:CN116875314A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310212408.4

    申请日:2023-02-27

    Abstract: 本发明公开了一种InP/ZnSexS1‑x/ZnS量子点的制备方法,该方法为热注入法,首先,进行Zn、Se、S前驱体和InP内核溶液的制备,然后将Zn、Se、S前驱体注入InP内核溶液反应,得到InP/ZnSexS1‑x溶液。进一步通过升高温度,注入正十二硫醇溶液反应,得到InP/ZnSexS1‑x/ZnS溶液。最后,将InP/ZnSexS1‑x/ZnS溶液用非极性溶剂溶解,极性溶剂沉淀,离心,得到InP/ZnSexS1‑x/ZnS量子点。本发明工艺流程简单、过程易控制、重复性好,所获量子点粒径均一、量子效率高。

    一种促进植物生长的光转化膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113684019A

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN202110832492.0

    申请日:2021-07-22

    Abstract: 本发明公开了一种促进植物生长的近红外光转化膜及其制备方法,其化学式为(Ph4P)2SbCl5。本发明得光转化膜吸收紫外光而发出发光峰位于700nm,半高宽为176nm的红外光,而红外光和植物中叶绿素a和叶绿素b的红光吸收区域(600‑680nm)相匹配。此外,该材料在室温下合成不需要铅元素的参与,且在室温下稳定性好,量子效率高,可通过简单工艺制成促进植物生长的光转化膜,用节能环保的方法提高了光利用率,有大批量工业化的潜力。

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