公开(公告)号：CN107248537A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710387962.0

申请日：2017-05-27

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 夏辉 ,  童中英 ,  李天信 ,  陈平平 ,  卢振宇 ,  张健 ,  姚晓梅 ,  张旭涛 ,  唐舟

IPC: H01L31/0693 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: Y02E10/544 ,  H01L31/0693 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/184

Abstract: 本发明公开了一种最优光电效能的半导体纳米线阵列制备方法，该方法首先通过热蒸发沉积金膜并退火形成无规均匀分布的催化剂颗粒，然后根据拟制备的III‑V族纳米线材料体系，选择最优V/III束流比，在不同的衬底温度下生长一系列的纳米线阵列试样，再使用导电原子力显微镜，对试样进行单纳米线垂直光电性能的统计评估，最后根据单纳米线的平均光电性能确定最佳制备条件。本方法适用于催化分子束外延生长砷化镓等III‑V族纳米线阵列，通过金属催化，使用直接、快速、简易的方法评估和确定纳米线阵列的最优生长条件，进而制备出一种最佳光电效能的半导体纳米线阵列，因此，本方法对高效太阳能电池和超灵敏光电探测器的制造有重要意义。

公开(公告)号：CN104760929A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201510106443.3

申请日：2015-03-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 陈平平 ,  石遂兴 ,  陆卫 ,  卢振宇 ,  张旭涛

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种用作光学微腔的GaSb纳米盘的制备方法，该方法的特征在于：GaAs纳米线的生长遵循的是气—液—固机制下的轴向生长模式，而GaSb纳米盘遵循的却是气—固机制主导下的二维生长。GaSb生长过程中的主要参数包括衬底温度、Ga源和Sb源BEP束流值以及相应的V/III束流比。而且，可通过改变生长时间来调整纳米盘的大小。采用本发明中所述的分子束外延生长方法，所得到的GaSb纳米盘形状规则、表面平整、晶体质量高且不含任何缺陷，同时纳米盘的尺寸可以灵活调控。GaSb纳米盘在纳米激光器、生物传感器件方面有着潜在的应用前景。