公开(公告)号：CN119660663A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411689990.4

申请日：2024-11-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨恒 ,  余豪 ,  孙珂 ,  毛雨晴 ,  缪晔辰

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01B7/02 ,  G01D5/241

Abstract: 本发明涉及一种应力偏转电极及其制备工艺，所述应力偏转电极制作在衬底上，所述衬底包括依次设置的硅片、绝缘层和结构层；所述应力偏转电极包括电极、支撑电极的预应力梯度梁、底部锚点、锚点和金属电极；所述预应力梯度梁为双层结构，包括预应力膜和导电膜；所述预应力梯度梁通过底部锚点与硅片相连；所述电极通过连接点与导电膜连接，并通过导电膜与金属电极实现电学连接；在结构释放前，所述预应力梯度梁垂直于硅片表面；在结构释放后，所述预应力梯度梁发生偏转并停靠在硅片的停靠点上，通过锚点实现对应力偏转电极尾部的固定。本发明的应力偏转电极实现亚微米到纳米量级的电容间隙，可突破现有工艺的深宽比极限，还可实现多个电极紧密排列。