一种石墨材料表面TaB2-SiC超高温陶瓷涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN110746202B

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN201911196639.0

    申请日:2019-11-29

    Abstract: 本发明涉及一种石墨材料表面TaB2‑SiC超高温陶瓷涂层的制备方法,采用了放电等离子烧结法(SPS)直接制备出了一种高致密、低缺陷、组织均匀的超高温陶瓷硼化物复合涂层,该涂层由质量分数为5%~95%的TaB2与质量分数为5%~95%的SiC粉料组成。具体涂层的制备包括以下步骤:按照一定比例称量TaB2、SiC粉料并均匀混合,随后在石墨模具内用均匀混合的TaB2‑SiC复合粉体包裹碳质材料基体,将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中,施加5~50MPa压力,在1200~2000℃真空环境下进行烧结处理0.5~5h即可制备得到所设计的涂层。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比,本发明制备工艺简单快捷,得到的超高温陶瓷涂层组分及厚度可控、致密度高,综合性能良好,推广价值较高。

    一种石墨材料表面TaB2-SiC超高温陶瓷涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN110746202A

    公开(公告)日:2020-02-04

    申请号:CN201911196639.0

    申请日:2019-11-29

    Abstract: 本发明涉及一种石墨材料表面TaB2-SiC超高温陶瓷涂层的制备方法,采用了放电等离子烧结法(SPS)直接制备出了一种高致密、低缺陷、组织均匀的超高温陶瓷硼化物复合涂层,该涂层由质量分数为5%~95%的TaB2与质量分数为5%~95%的SiC粉料组成。具体涂层的制备包括以下步骤:按照一定比例称量TaB2、SiC粉料并均匀混合,随后在石墨模具内用均匀混合的TaB2-SiC复合粉体包裹碳质材料基体,将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中,施加5~50MPa压力,在1200~2000℃真空环境下进行烧结处理0.5~5h即可制备得到所设计的涂层。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比,本发明制备工艺简单快捷,得到的超高温陶瓷涂层组分及厚度可控、致密度高,综合性能良好,推广价值较高。

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