公开(公告)号：CN107851642B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201580079287.4

申请日：2015-04-27

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 表健一郎 ,  中岛亮 ,  椋木诚 ,  吉泽大辅 ,  市仓优太 ,  饭尾尚隆

IPC: H01L25/11

Abstract: 提供了一种压接型半导体器件堆叠，利用所述压接型半导体器件堆叠，不管压接型半导体器件中存在还是不存在切口部，压接型半导体器件都能够被均匀地加压，并且利用所述压接型半导体器件堆叠，能够防止压接型半导体器件的热破坏。用于加压以堆叠形式布置的压接型半导体器件和散热器的加压装置设置有：设置在上表面和下表面的加压件；绝缘座固定件，用于将由加压件施加的压力分配到外周面；以及绝缘座，其通过施加到绝缘座固定件的按压表面的压力给散热器加压，其中当在收集器端面或发射器端面的柱端面的周边部分的一部分设置有切口部时，压接型半导体器件设置有用于使从最上绝缘座固定件的按压表面到芯片的顶面的距离与从由下表面加压件加压的绝缘座固定件的按压表面到另一芯片的后表面的距离相等的装置。

公开(公告)号：CN107851642A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201580079287.4

申请日：2015-04-27

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 ,  东芝能源系统株式会社

Inventor： 表健一郎 ,  中岛亮 ,  椋木诚 ,  吉泽大辅 ,  市仓优太 ,  饭尾尚隆

IPC: H01L25/11

Abstract: 提供了一种压接型半导体器件堆叠，利用所述压接型半导体器件堆叠，不管压接型半导体器件中存在还是不存在切口部，压接型半导体器件都能够被均匀地加压，并且利用所述压接型半导体器件堆叠，能够防止压接型半导体器件的热破坏。用于加压以堆叠形式布置的压接型半导体器件和散热器的加压装置设置有：设置在上表面和下表面的加压件；绝缘座固定件，用于将由加压件施加的压力分配到外周面；以及绝缘座，其通过施加到绝缘座固定件的按压表面的压力给散热器加压，其中当在收集器端面或发射器端面的柱端面的周边部分的一部分设置有切口部时，压接型半导体器件设置有用于使从最上绝缘座固定件的按压表面到芯片的顶面的距离与从由下表面加压件加压的绝缘座固定件的按压表面到另一芯片的后表面的距离相等的装置。

公开(公告)号：CN101569083B

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN200780048157.X

申请日：2007-01-30

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： H·格里宁 ,  小柳公之 ,  椋木诚

IPC: H02M7/48

CPC classification number: H02M7/487

Abstract: 在具有最大额定输出电流IROUT的强制换向大功率逆变器装置中，包括DC连接电容器、阳极漏电感、开关臂、钳位电路以及饱和铁芯单元，该DC连接电容器具有特征在于上升率dVDC/dt的绝对值的最大值dVm的电压脉动，以及阳极漏电感与DC连接电容器串联连接。该开关臂包括栅极截止器件和续流二极管的串联连接电路，以及钳位电路包括钳位电容器、钳位二极管、以及包括电阻器的钳位电压复位电路。饱和铁芯单元具有线性和逐渐饱和特性之一，每个具有饱和电流Isat，其被设置为使得IROUT＞Isat＞C31×dVm，C31是钳位电容器的电容。

公开(公告)号：CN101569083A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200780048157.X

申请日：2007-01-30

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： H·格里宁 ,  小柳公之 ,  椋木诚

IPC: H02M7/48

CPC classification number: H02M7/487

Abstract: 在具有最大额定输出电流IROUT的强制换向大功率逆变器装置中，包括DC连接电容器、阳极漏电感、开关臂、钳位电路以及饱和铁芯单元，该DC连接电容器具有特征在于上升率dVDC/dt的绝对值的最大值dVm的电压脉动，以及阳极漏电感与DC连接电容器串联连接。该开关臂包括栅极截止器件和续流二极管的串联连接电路，以及钳位电路包括钳位电容器、钳位二极管、以及包括电阻器的钳位电压复位电路。饱和铁芯单元具有线性和逐渐饱和特性之一，每个具有饱和电流Isat，其被设置为使得IROUT＞Isat＞C31×dVm，C31是钳位电容器的电容。

公开(公告)号：CN114450597A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202080068099.2

申请日：2020-08-28

Applicant: 东芝三菱电机产业系统株式会社 ,  国立大学法人九州工业大学

Inventor： 山口治之 ,  椋木诚 ,  塚越昌彦 ,  大村一郎 ,  附田正则 ,  管理 ,  渡边和叶

IPC: G01R31/00 ,  G01R19/00

Abstract: 实施方式的电力转换用半导体装置的状态推断系统具有分析处理部和推断处理部。上述分析处理部对于具有一对主端子的电力转换用半导体装置，基于上述一对主端子之间正向偏置时和上述一对主端子之间反向偏置时分别检测出的上述一对主端子之间的电压的第一时刻历史数据、和上述一对主端子之间的正向电流及反向电流两者的检测值的第二时刻历史数据，将表示上述第一时刻历史数据中的电压的检测值和上述第二时刻历史数据中的电流的检测值的组的点投影在包含电压轴和电流轴的坐标平面上，导出在上述坐标平面上投影出的上述点的分布。推断处理部基于投影出的上述点的分布推断电力转换用半导体装置的状态。