一种基于莱洛三角形的减振装置及方法

    公开(公告)号:CN119084526A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202411562071.0

    申请日:2024-11-05

    Abstract: 本发明提供一种基于莱洛三角形的减振装置及方法,包括机械减振装置、莱洛三角体材料隔振件、减振装置主体外壳以及减振弹簧连接装置,机械减振装置通过转子柱与三组液压连杆协同工作,将纵向受力转化为水平面的转动,从而有效实现减振;莱洛三角体材料隔振件表面阵列布置了多个莱洛三角形减振槽,利用莱洛三角形的等宽特性,使得三边受力均匀分布,进一步增强了减振效果;所述减振弹簧连接装置采用双向虹膜结构,可轻松实现减振弹簧的连接与更换,且连接可靠耐用;本发明采用械减振装置与莱洛三角体材料隔振件相结合,抗冲击能力强,能有效降低震动,提高减振装置的安全性;且所述莱洛三角体材料隔振件不受基材的限制,承载能力强,可长期安全稳定工作。

    一种MXene/PPy复合吸波剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN112292015B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202011246457.2

    申请日:2020-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种MXene/PPy复合吸波剂及其制备方法,该方法包含:步骤1,将MXene分散于去离子水中配置成浓度为0.35g/L~0.75g/L的悬浮液,进行超声分散;步骤2,在0~5℃,向MXene的悬浮液中加入吡咯;步骤3,向吡咯与MXene的混合液中,缓慢滴加氧化剂,滴加完毕后持续搅拌12‑36h,得到MXene/PPy产物;其中,氧化剂与吡咯的物质的量比为1:1~3:1;步骤4,所述的MXene/PPy产物经分离、洗涤、干燥研成粉末;步骤5,将MXene/PPy粉末与液体石蜡混合,得到MXene/PPy复合吸波剂。本发明制备的MXene/PPy复合吸波剂的最大反射损耗为‑32.30dB,涂层厚度仅为1.89mm。并且,当涂层厚度为2.14mm时,该复合吸波剂在11.94‑18GHz较宽频段范围内表现出良好的吸波性能,使其在微波吸收和衰减方面具有广阔应用前景。

    一种柔性衬底卷曲量子阱薄膜材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112201708B

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202011032935.X

    申请日:2020-09-27

    Inventor: 张飞 孙凯 范润华

    Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底卷曲量子阱薄膜材料及其制备方法,所述方法包括如下步骤:取已经图形转移且镀好电极的应变薄膜;应变薄膜包括:GaAs基底、设在所述GaAs基底上的牺牲层、设在所述牺牲层上的待卷曲层;电极设在待卷曲层上;取粘结剂及导热片,通过粘结剂粘结GaAs基底和导热片,以获得试样;在试样上旋涂光刻胶,然后烘干、光刻、显影;在GaAs基底和导热片的接缝处涂覆光刻胶,烘干;腐蚀去除部分牺牲层;通过有机溶剂去除光刻胶;通过第二清洗溶剂清洗试样,之后将试样浸入盛有去离子水的容器中,并将容器放在加热板上加热,以干燥试样。本发明无需使用CPD,通过粘贴导热片,提高了应变薄膜基底的韧性并可用于干燥。

    一种Ag/BiFeO3金属陶瓷、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN113943882A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111346335.5

    申请日:2021-11-15

    Abstract: 本发明公开了一种Ag/BiFeO3金属陶瓷、其制备方法及应用,该方法包含以下步骤:步骤1,称取BiFeO3粉体;步骤2,将BiFeO3与适量Ag2O球磨混合,其中,BiFeO3与Ag元素的摩尔比为2:1~1:2,将BiFeO3与Ag2O的混合物记做第一粉体;步骤3,向所述的第一粉体中加入粘合剂和去离子水进行造粒;步骤4,对造粒后的粉体进行压片成型、排胶、高温烧结,得到所述的Ag/BiFeO3金属陶瓷。制备得到的Ag/BiFeO3金属陶瓷在较低频率下(10kHz‑1MHz)展现出良好的温度稳定性,在较高频率下(10MHz‑1GHz)随着含银量的变化体现出了不同类型的负介电行为,除在电磁波衰减、吸收领域外,在介质电容器、电磁波衰减及吸收、高功率滤波器、谐振器等方面有着良好的应用前景。

    一种低介电损耗负介材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113736259A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202111038610.7

    申请日:2021-09-06

    Abstract: 本发明公开了一种低介电损耗负介材料及其制备方法,该方法包含以下步骤:步骤1,制备AgNWs乙醇浆料,其中,AgNWs具有高长径比;步骤2,将作为基体的高聚物粉末分散在乙醇溶液中,得到基体浆料;步骤3,将AgNWs浆料与基体浆料按比例混合,干燥;其中,AgNWs在混合物中的质量含量不高于7%;步骤4,压制成型,制备得到低介电损耗负介材料。本发明利用AgNWs具有的高长径比特性,容易在材料内部形成逾渗网络,获得低逾渗阈值,进而有效降低介电损耗。特别地,当AgNWs的含量达到7wt.%,复合材料表现出低的介电损耗,其损耗正切角在GHz频段内低于0.1,在满足下一代电子设备和系统要求方面有着重要意义。

    一种具有可调控负介电性能的陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108675794B

    公开(公告)日:2021-04-13

    申请号:CN201810575626.3

    申请日:2018-06-06

    Abstract: 本发明公开了一种具有可调控负介电性能的陶瓷材料及其制备方法,该方法包括以下步骤:步骤1:混料:按质量百分比计,以80%~20%的氮化钛粉体和20%~80%的氧化钛粉体为原料进行混合,得到混合粉体;步骤2:造粒、压坯:向混合粉体内加入粘结剂,研磨造粒,再经压制成型得到坯体;步骤3:烧结:将坯体置于保护气氛中进行烧结,得到具有可调控负介电性能的陶瓷材料。烧结纯的氮化钛陶瓷比较困难,且其负介电常数的绝对值较大,本发明的关键在于引入氧化钛作为原料,一方面利用其在高温下与氮化钛发生的固溶反应促进烧结,另一方面利用固溶反应产生的氮氧化钛固溶物调控负介电常数的数值。本发明制备成本较低,操作简单,性能处理可观。

    一种高磁导率低损耗铁基软磁复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110136910B

    公开(公告)日:2020-07-31

    申请号:CN201910501537.9

    申请日:2019-06-11

    Abstract: 本发明公开了一种高磁导率低损耗铁基软磁复合材料及其制备方法,该制备方法包含以下步骤:(1)将异丙醇铝、正硅酸乙酯、硼酸和氢氧化钾溶于有机溶剂中,完全溶解后移至反应釜,保温以获得透明胶体状的SiO2‑Al2O3包覆层材料;(2)用油酸对羰基铁粉进行表面改性;(3)加入粘结剂,并与所述的SiO2‑Al2O3包覆层材料及改性后的羰基铁粉混合,以获得具有绝缘包覆层的羰基铁粉核壳颗粒;(4)加入还原铁粉,将羰基铁粉核壳颗粒与还原铁粉球磨混合;(5)将球磨混合后的粉末压制成型;(6)将压制后的材料进行退火处理。本发明在降低涡流损耗的同时,有效降低了材料的低频磁滞损耗,同时还具有较高的磁导率与饱和磁通密度。

    一种在金属网/环氧树脂复合材料中逆向设计负介电材料的方法

    公开(公告)号:CN109880296A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201910155783.3

    申请日:2019-03-01

    Abstract: 本发明公开了一种在金属网/环氧树脂复合材料中逆向设计负介电材料的方法,其包含以下步骤:步骤1,将若干个金属网放入已知浓度的酸溶液中,使酸溶液对所述金属网分别腐蚀不同的时间;步骤2,将液态环氧树脂和有机溶剂混合均匀后,加入固化剂并混匀,得到混合液;步骤3,将酸溶液腐蚀后的金属网分别浸入所述混合液,使环氧树脂渗入金属网中;得到金属网/环氧树脂复合材料;步骤4,使金属网/环氧树脂复合材料在真空条件下干燥;步骤5,检测步骤4中干燥后的金属网/环氧树脂复合材料的负介电常数,如果不符合要求,则重复步骤1至步骤4,并重新设计酸溶液对金属网腐蚀的时间,直至制备得到负介电常数符合要求的金属网/环氧树脂复合材料。

    一种低介电损耗负介材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113736259B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202111038610.7

    申请日:2021-09-06

    Abstract: 本发明公开了一种低介电损耗负介材料及其制备方法,该方法包含以下步骤:步骤1,制备AgNWs乙醇浆料,其中,AgNWs具有高长径比;步骤2,将作为基体的高聚物粉末分散在乙醇溶液中,得到基体浆料;步骤3,将AgNWs浆料与基体浆料按比例混合,干燥;其中,AgNWs在混合物中的质量含量不高于7%;步骤4,压制成型,制备得到低介电损耗负介材料。本发明利用AgNWs具有的高长径比特性,容易在材料内部形成逾渗网络,获得低逾渗阈值,进而有效降低介电损耗。特别地,当AgNWs的含量达到7wt.%,复合材料表现出低的介电损耗,其损耗正切角在GHz频段内低于0.1,在满足下一代电子设备和系统要求方面有着重要意义。

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