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公开(公告)号:CN103219423A
公开(公告)日:2013-07-24
申请号:CN201310117565.3
申请日:2013-04-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/108 , H01L31/0272 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种CdMnTe薄膜紫外光探测器的制备方法,属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdMnTe薄膜,并制作CdMnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器,为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明制备高平整、颗粒尺寸小、电阻率高的CdMnTe薄膜样品。薄膜的面积>2cm2,薄膜的厚度为>20mm,电阻率达1010Ω·cm;金属电极的厚度为50~300nm。