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公开(公告)号：CN1648688A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510023578.X
申请日：2005-01-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种共面栅阳极碲锌镉探测器的制备方法，属半导体晶体核探测器制造工艺技术领域。该探测器是由碲锌镉晶体及其阳极和阴极组成，该探测器的制备方法具有以下步骤：先将切割好的、晶面方向为(111)定向的、具有一定尺寸的碲锌镉晶片进行粗抛，细抛，表面化学腐蚀，清洗各工序的表面处理，然后制成电极：电极的制备采用真空蒸发沉积电极，利用光刻技术得到两组共平面交叉指形的微条形阳极，阴极为完整的平面电极，两组阳极和一个阴极均有金丝引线引出；沉积的电极为铬金合金复合电极；最后将未沉积电极镀层的晶片表面进行钝化，最终制得共面栅阳极碲锌镉探测器。本发明方法制得的探测器具有较优的射线能量分辨率。
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公开(公告)号：CN1320616C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200410084748.0
申请日：2004-12-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，具体的说就是核探测器碲锌镉晶片制造过程中最后一道工序钝化工艺的改进方法，属半导体探测材料制造技术领域。本发明方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表面钝化，包括有四个工艺程序，其特征为，在最后的表面钝化程序中采用两步法，两步法的钝化工艺如下：先用KOH-KCl溶液进行表面处理，获得接近化学计量比的碲锌镉晶片表面，然后再用NH4F/H2O2混合溶液进行钝化生成氧化层，这样既可获得化学计量比较好的碲锌镉晶片表面，又可在该表面形成起保护作用的高阻氧化层，从而可改善碲锌镉探测器的性能。
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公开(公告)号：CN1328598C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200510023578.X
申请日：2005-01-26
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种共面栅阳极碲锌镉探测器的制备方法，属半导体晶体核探测器制造工艺技术领域。该探测器是由碲锌镉晶体及其阳极和阴极组成，该探测器的制备方法具有以下步骤：先将切割好的、晶面方向为(111)定向的、具有一定尺寸的碲锌镉晶片进行粗抛，细抛，表面化学腐蚀，清洗各工序的表面处理，然后制成电极：电极的制备采用真空蒸发沉积电极，利用光刻技术得到两组共平面交叉指形的微条形阳极，阴极为完整的平面电极，两组阳极和一个阴极均有金丝引线引出；沉积的电极为铬金合金复合电极；最后将未沉积电极镀层的晶片表面进行钝化，最终制得共面栅阳极碲锌镉探测器。本发明方法制得的探测器具有较优的射线能量分辨率。
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公开(公告)号：CN1632933A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410084748.0
申请日：2004-12-02
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，具体的说就是核探测器碲锌镉晶片制造过程中最后一道工序钝化工艺的改进方法，属半导体探测材料制造技术领域。本发明方法是先按传统工艺将碲锌镉晶片进行抛光、表面腐蚀、沉积金电极和表面钝化，包括有四个工艺程序，其特征为，在最后的表面钝化程序中采用两步法，两步法的钝化工艺如下：先用KOH－KCl溶液进行表面处理，获得接近化学计量比的碲锌镉晶片表面，然后再用NH4F/H2O2混合溶液进行钝化生成氧化层，这样既可获得化学计量比较好的碲锌镉晶片表面，又可在该表面形成起保护作用的高阻氧化层，从而可改善碲锌镉探测器的性能。
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