公开(公告)号：CN104851798B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201510144917.3

申请日：2015-03-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  明秀春 ,  诸舜杰 ,  李雪萍 ,  刘建 ,  匡华慧 ,  黄璐

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种解决聚酰亚胺(Polyimide)剥离以改善高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)而在其背面进行炉管退火的工艺方法，IGBT的Polyimide工艺通常包括：Polyimide有机物通过旋转涂覆在正面再经光刻把窗口打开。接着进行背面工艺：硅片减薄与表面处理、背面离子注入、离子退火、背面蒸金与退火等工艺。本发明主要针对IGBT背面工艺离子注入退火、背面金属退火工艺中提出了炉管温度分多段升降温，提高炉管真空，在正式生产片周围合理放置一定数量陪片的工艺，能解决Polyimide脱落的问题，在高压大功率IGBT等功率器件工艺中，具有十分重要的意义。

公开(公告)号：CN104851798A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510144917.3

申请日：2015-03-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  明秀春 ,  诸舜杰 ,  李雪萍 ,  刘建 ,  匡华慧 ,  黄璐

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及一种解决聚酰亚胺(Polyimide)剥离以改善高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)而在其背面进行炉管退火的工艺方法， IGBT的Polyimide工艺通常包括：Polyimide有机物通过旋转涂覆在正面再经光刻把窗口打开。接着进行背面工艺：硅片减薄与表面处理、背面离子注入、离子退火、背面蒸金与退火等工艺。本发明主要针对IGBT背面工艺离子注入退火、背面金属退火工艺中提出了炉管温度分多段升降温，提高炉管真空，在正式生产片周围合理放置一定数量陪片的工艺，能解决Polyimide脱落的问题，在高压大功率IGBT等功率器件工艺中，具有十分重要的意义。

公开(公告)号：CN104037269A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410254559.7

申请日：2014-06-10

Applicant: 上海大学

Inventor： 史伟民 ,  匡华慧 ,  黄璐 ,  金晶 ,  陆舒逸 ,  杨伟光 ,  刘进 ,  明秀春

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/202 ,  H01L21/02686 ,  H01L31/077

Abstract: 本发明涉及一种基于激光诱导晶化的新型非晶硅薄膜太阳能电池器件，属无机材料太阳能器件制备的工艺技术领域。光学薄膜包括减反膜、增透膜、增反膜等，本发明主要通过控制晶粒大小，来达到调制光学薄膜层的增反和增透功能。本发明方法特征在于通过等离子体化学气相沉积法（PECVD）在氧化铟锡（ITO）导电玻璃上沉积三层分别为p型、i型和n型的非晶硅（a-Si）薄膜，然后使用波长为532nm的倍频掺钕钇铝石榴石（Nd:YAG）激光辐照样品表面，来实现n型和p型层由非晶硅转变为多晶硅(poly-Si)光学薄膜层。通过变化激光能量密度，来控制晶化光学薄膜层多晶硅晶粒大小，以调节光电转换效率。本发明的无机材料硅薄膜可应用于太阳能汽车玻璃上和建筑物玻璃幕墙上。