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公开(公告)号：CN118443134A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410449553.9
申请日：2024-04-15
Applicant: 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司 , 江苏省电力试验研究院有限公司 , 上海大学
Inventor： 李群 , 吴鹏 , 戴锋 , 蔚超 , 陆云才 , 吉亚民 , 李晓涵 , 杨景刚 , 孙蓉 , 蒋一泉 , 郝宝欣 , 邵剑 , 梁家碧 , 刘建 , 王廷云 , 周建华 , 张小贝 , 黄怿 , 张琦
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明涉及声波测量技术领域，尤其涉及一种基于法布里‑珀罗原理的声压传感器及其制造方法，包括：套筒，套筒包括一喇叭形腔体；光纤，固定设置于套筒上，且位于喇叭形腔体开口较小的一端，光纤在喇叭形腔体内的一端包括第一反射面；阵列膜片，固定设置于套筒上，且位于喇叭形腔体开口较大的一端，阵列膜片在喇叭形腔体内侧的一端包括第二反射平面；阵列膜片在第二反射面的另一端设置有若干凸起，若干凸起阵列设置于膜片表面。本发明中，阵列膜片在第二反射面的另一端设置有若干凸起，这些凸起阵列设置于膜片表面。这些凸起的设计有助于增加声波作用下膜片的挠度变化，放大了外界声压对受压膜片中心点挠度的影响，从而增强传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118501627A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410449186.2
申请日：2024-04-15
Applicant: 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司 , 江苏省电力试验研究院有限公司 , 上海大学
Inventor： 李群 , 邵剑 , 吉亚民 , 陆云才 , 郝宝欣 , 梁家碧 , 孙蓉 , 杨景刚 , 蒋一泉 , 吴鹏 , 蔚超 , 戴锋 , 李晓涵 , 刘建 , 王廷云 , 周建华 , 张小贝 , 黄怿 , 张琦
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明涉及电力设备局部放电检测技术领域，尤其涉及一种基于扫描平面区域选择的声学成像方法、装置、设备及介质，包括：获取麦克风阵列中每个麦克风位置，并建立空间直角坐标系；获取声源所在空间直角坐标系的位置，确定声源所在扫描平面的位置；将扫描平面划分为多个子区域，判断每个子区域声压分布是否大于设定阈值，若小于设定阈值，则将子区域标记为无声源，若大于设定阈值，则将子区域标记为有声源；使用逆波束形成算法对有声源的子区域进行求解，并将每个子区域的声功率进行合并，得到扫描平面的声功率分布。本发明针对有声源的子区域应用逆波束形成算法进行求解，从而得到扫描平面的声功率分布，进一步提高声学成像的精度和效率。
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公开(公告)号：CN104851798A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510144917.3
申请日：2015-03-31
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及一种解决聚酰亚胺(Polyimide)剥离以改善高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)而在其背面进行炉管退火的工艺方法， IGBT的Polyimide工艺通常包括：Polyimide有机物通过旋转涂覆在正面再经光刻把窗口打开。接着进行背面工艺：硅片减薄与表面处理、背面离子注入、离子退火、背面蒸金与退火等工艺。本发明主要针对IGBT背面工艺离子注入退火、背面金属退火工艺中提出了炉管温度分多段升降温，提高炉管真空，在正式生产片周围合理放置一定数量陪片的工艺，能解决Polyimide脱落的问题，在高压大功率IGBT等功率器件工艺中，具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN104851798B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510144917.3
申请日：2015-03-31
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及一种解决聚酰亚胺(Polyimide)剥离以改善高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)而在其背面进行炉管退火的工艺方法，IGBT的Polyimide工艺通常包括：Polyimide有机物通过旋转涂覆在正面再经光刻把窗口打开。接着进行背面工艺：硅片减薄与表面处理、背面离子注入、离子退火、背面蒸金与退火等工艺。本发明主要针对IGBT背面工艺离子注入退火、背面金属退火工艺中提出了炉管温度分多段升降温，提高炉管真空，在正式生产片周围合理放置一定数量陪片的工艺，能解决Polyimide脱落的问题，在高压大功率IGBT等功率器件工艺中，具有十分重要的意义。
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