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公开(公告)号：CN115343788B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210994615.5
申请日：2022-08-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于循环刻蚀工艺的石英微透镜制备方法及石英微透镜，包括：光刻步骤：在石英表面上制备光刻胶柱体；热熔步骤：对带有光刻胶柱体的石英表面进行热熔处理，将光刻胶柱体转变为光刻胶透镜体；刻蚀步骤：对石英表面的光刻胶透镜体进行循环刻蚀处理，直至光刻胶完全消失，从而获得石英微透镜阵列。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116425108A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310425298.X
申请日：2023-04-17
Applicant: 上海交大平湖智能光电研究院 , 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种悬浮膜的制备方法及悬浮膜，所述方法包括光刻胶旋涂步骤：在干净平整的基底上旋涂光刻胶；铜网放置步骤：将透射电镜用铜网放置在光刻胶表面，静置一段时间；固化步骤：将铜网、光刻胶、基底放在热板上在一定温度下固化；薄膜溅射步骤：将固化后的铜网、光刻胶、基底表面溅射一定厚度的薄膜；悬浮膜获取步骤：将得到的薄膜、铜网、光刻胶、基底放在光刻胶去胶液中，溶解光刻胶，获得悬浮膜。本发明解决现有方法工艺复杂、随机性强等问题，获得厚度可控的悬浮膜。采用将铜网作为支撑结构结合光刻胶的去除，解决了现有技术中悬浮膜随机捞取的问题；本方法流程简单，不需要进行干法及湿法刻蚀，适用于多种材料批量化悬浮膜的制备。
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公开(公告)号：CN111017865B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201911180672.4
申请日：2019-11-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种用于太赫兹折叠波导微结构的制备方法，包括在基板表面制备太赫兹折叠波导微结构粘合层；在粘合层上制备第一层太赫兹折叠波导微结构掩模和电子注通道芯模定位结构；在掩模中制备第一层太赫兹折叠波导微结构；通过减薄抛光处理，使第一层太赫兹折叠波导微结构厚度达到预设值；将电子注通道芯模与电子注通道芯模定位结构对准并在相应位置固定完成电子注通道芯模转移；制备第二层太赫兹折叠波导微结构掩模以及第二层太赫兹折叠波导微结构，通过减薄抛光处理，使基片上的太赫兹折叠波导微结构厚度达到预期厚度；去除光刻胶、粘合层和电子注通道芯模，形成太赫兹折叠波导微结构。本发明克服了传统工艺制作难度大，尺寸精度不高的缺点。
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公开(公告)号：CN115343788A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210994615.5
申请日：2022-08-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于循环刻蚀工艺的石英微透镜制备方法及石英微透镜，包括：光刻步骤：在石英表面上制备光刻胶柱体；热熔步骤：对带有光刻胶柱体的石英表面进行热熔处理，将光刻胶柱体转变为光刻胶透镜体；刻蚀步骤：对石英表面的光刻胶透镜体进行循环刻蚀处理，直至光刻胶完全消失，从而获得石英微透镜阵列。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。
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公开(公告)号：CN111045300A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911113066.0
申请日：2019-11-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种等离子体刻蚀配合湿法辅助去除SU-8负性光刻胶的方法；包括：采用等离子体去胶工艺，通入O2/CF4混合气体去除基片上的SU-8负性光刻胶；采用湿法工艺，将经过等离子体去胶工艺的基片放入丙酮、乙醇中浸泡后并一同放入超声设备中超声处理，清洗，氮气吹干。本发明的方法可实现硅基底、非晶无机非金属材料、电镀金属结构等材料上SU-8负性光刻胶的有效去除。通过确定最优刻蚀工艺参数有效地解决现阶段SU-8负性光刻胶去胶难的问题，而且不会对基底材料和通过沉积、溅射和电镀等工艺制作的微结构产生损伤，从而可以广泛地应用在制作高深宽比模具、微流体、微光学等MEMS结构器件、生物医学和芯片封装等领域。
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公开(公告)号：CN111017865A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911180672.4
申请日：2019-11-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种用于太赫兹折叠波导微结构的制备方法，包括在基板表面制备太赫兹折叠波导微结构粘合层；在粘合层上制备第一层太赫兹折叠波导微结构掩模和电子注通道芯模定位结构；在掩模中制备第一层太赫兹折叠波导微结构；通过减薄抛光处理，使第一层太赫兹折叠波导微结构厚度达到预设值；将电子注通道芯模与电子注通道芯模定位结构对准并在相应位置固定完成电子注通道芯模转移；制备第二层太赫兹折叠波导微结构掩模以及第二层太赫兹折叠波导微结构，通过减薄抛光处理，使基片上的太赫兹折叠波导微结构厚度达到预期厚度；去除光刻胶、粘合层和电子注通道芯模，形成太赫兹折叠波导微结构。本发明克服了传统工艺制作难度大，尺寸精度不高的缺点。
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