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公开(公告)号：CN113130674A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110291296.7
申请日：2021-03-18
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种具有ITO电极的垂直型锗硅光电探测器及其制备方法，锗硅光电探测器自下而上依次包括高阻Si衬底层、P型掺杂Si层、P型掺杂Ge层、本征Ge层、n型Ge层、n型Si层，对锗硅光电探测器隔断，隔断后的P型掺杂Si层作为下台面，n型Si层作为上台面，上台面和下台面设置Ag/ITO接触电极，上台面、下台面沉积上包层，设置与外电路连接的测试电极。本发明用ITO电极降低光电探测器传统金属电极的红外吸收。通过引入ITO电极来提升器件的响应度，降低器件的暗电流。
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公开(公告)号：CN118222990A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311434948.3
申请日：2023-10-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/54 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种在高深宽比硅孔内溅射种子层的方法，包括：依托多靶磁控溅射镀膜系统，利用负偏压辅助三个及三个以上相同材质的靶材共焦溅射，实现在高深宽比硅孔镀膜的功能。本发明有助于铜原子沉积在硅孔的深处和底部。同时适当的负偏压功率，可以防止溅射时硅孔上沿沉积的薄膜出现“房檐效应”，提高了铜原子在硅孔侧壁和底部的覆盖性，为后续的电镀提供了保障。
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公开(公告)号：CN115449759B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202211239950.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种电子束蒸镀铝膜用坩埚及其使用方法，包括坩埚本体，坩埚本体为上端半径较大的锥形圆筒结构；坩埚本体上设置有多条第一缝隙与多条第二缝隙，第一缝隙与第二缝隙均沿径向镂空；第一缝隙从第一开口端沿纵向延伸并形成第一封闭端，第一开口端设置在坩埚本体的上沿；第二缝隙从第二开口端沿横向延伸并形成第二封闭端，第二开口端与第一缝隙连通；坩埚本体内壁在靠近坩埚本体上沿处沿周向设置有向内凸起的台阶结构；坩埚本体的材质为三氧化二铝。本发明解决了电子束蒸发镀膜设备沉积铝薄膜时，铝几乎可以和所有的金属都可以形成合金，影响蒸镀铝膜的纯度，且水冷坩埚内直接蒸镀铝膜会引入坩埚自身的金属原子的技术问题。
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公开(公告)号：CN113106405A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110290390.0
申请日：2021-03-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种降低ITO薄膜红外吸收率的方法，包括如下步骤：基片清洗步骤：透明的优质浮法玻璃作为基底，使用丙酮在超声的环境下进行清洗；ITO薄膜制备步骤：沉积ITO薄膜，设定靶材转速、溅射功率，经过设定时间得到ITO薄膜；退火处理步骤：使用快速热处理炉对制备好的ITO薄膜进行快速热退火处理，退火后得到最终的ITO薄膜。本发明实现了低红外吸收、高透射率的ITO薄膜的制备，并且薄膜的电阻率较低。且本发明的后续的处理工艺简易、稳定。
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公开(公告)号：CN111613523A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010431522.2
申请日：2020-05-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种提高原子层沉积介质薄膜的介电常数的方法，包括如下步骤：A、将衬底清洗后，放入原子层沉积的反应腔；B、将第一反应前驱体通入反应腔，在衬底上形成单分子层；C、将第二反应前驱体通入反应腔，与単分子层反应形成高介电栅介质层；D、重复步骤B和C，以形成一定厚度的高介电栅介质层薄膜；E、在反应腔中通入氟基等离子体，使高介电栅介质层进行氧缺陷修复，得氟化的高介电栅介质层薄膜。本发明通过在原子层沉积的反应过程中，在反应腔体里引入氟基等离子体来实现。氟基等离子体可以用以修补高介电栅介质的氧缺陷从而有效的减少界面态及减少漏电流，提高栅介质的介电常数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111613400A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010393189.0
申请日：2020-05-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法；所述薄膜是以VO2，Mg2V2O5为主要成分的一种玻璃态多混合材料。制备时，在高真空条件下，在衬底上对还原性金属靶和五氧化二钒靶进行共溅射沉积薄膜。本发明尤其利用镁原子优异的还原性能，将五氧化二钒中﹢5价钒，降价还原﹢4价制备NTC薄膜。通过改变加在镁靶和五氧化二钒靶的功率，调节薄膜中不同成分的比例，同时还可调节薄膜电阻升降温热滞，以及电阻率。相比传统制备NTC薄膜方法，本发明制备薄膜更简单，快捷，高效，且兼容各种衬底；制备出的NTC薄膜不需要高温退火，结晶状况良好；且在室温条件下具有电阻温度系数高，热滞宽度小，薄膜电阻率低，材料常数高等特点。
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公开(公告)号：CN113788452B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111014187.7
申请日：2021-08-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种精细微纳米玻璃结构的加工方法，包括如下步骤：准备玻璃基片，并进行清洗吹干；当掩膜材料为非光刻胶材料，将掩模薄膜沉积到玻璃基片上，再涂覆光刻胶；当掩膜材料为光刻胶材料，在玻璃基片上涂覆光刻胶；采用光刻的方式，将待加工的结构转移至基片表面的光刻胶上；当掩膜材料为非光刻胶材料，先对掩膜材料进行刻蚀，再对玻璃基片进行刻蚀；当掩膜材料为光刻胶材料，仅对玻璃基片进行刻蚀即可；利用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法去除光刻胶及掩膜材料，形成最终的玻璃器件结构。采用本发明的制备工艺，可使得刻蚀玻璃速率达到了710nm/min，粗糙度降低到40nm以下，侧壁垂直度接近90°。
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公开(公告)号：CN116425108A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310425298.X
申请日：2023-04-17
Applicant: 上海交大平湖智能光电研究院 , 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种悬浮膜的制备方法及悬浮膜，所述方法包括光刻胶旋涂步骤：在干净平整的基底上旋涂光刻胶；铜网放置步骤：将透射电镜用铜网放置在光刻胶表面，静置一段时间；固化步骤：将铜网、光刻胶、基底放在热板上在一定温度下固化；薄膜溅射步骤：将固化后的铜网、光刻胶、基底表面溅射一定厚度的薄膜；悬浮膜获取步骤：将得到的薄膜、铜网、光刻胶、基底放在光刻胶去胶液中，溶解光刻胶，获得悬浮膜。本发明解决现有方法工艺复杂、随机性强等问题，获得厚度可控的悬浮膜。采用将铜网作为支撑结构结合光刻胶的去除，解决了现有技术中悬浮膜随机捞取的问题；本方法流程简单，不需要进行干法及湿法刻蚀，适用于多种材料批量化悬浮膜的制备。
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