温度传感器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107923801A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201680044835.4

    申请日:2016-07-11

    CPC classification number: G01K7/223 G01K1/12 G03G15/2039

    Abstract: 本发明的温度传感器具备一对引线框(2)、与引线框连接的传感器部(3)及保持引线框的绝缘性的保持部(4),传感器部具备:绝缘性薄膜(5),在上表面粘结有引线框;薄膜热敏电阻部(6),形成于绝缘性薄膜;一对梳状电极(7),形成于薄膜热敏电阻部上;一对图案电极,形成于绝缘性薄膜的上表面;及一对保护胶带(9A、9B),从上下夹着一对引线框及传感器部而彼此粘结,绝缘性薄膜的两侧部(5a)配设于在一对引线框的粘结面侧上所配设的外侧角部(2b)的附近且内侧,保护胶带的两侧部(9a)从绝缘性薄膜的两侧部在外侧朝向上表面侧弯曲。

    温度传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN104169699B

    公开(公告)日:2017-04-05

    申请号:CN201380013565.7

    申请日:2013-03-22

    Abstract: 本发明提供一种温度传感器及其制造方法,该温度传感器在针对TiAlN的热敏电阻材料层的电极结构中即使在高温环境下也不易成为高电阻,进而能够通过非烧成的方式在薄膜等上直接成膜,且具有较高的耐热性且可靠性较高。本发明的温度传感器具备:绝缘性基材(2);薄膜热敏电阻部(3),形成于该绝缘性基材上;及一对图案电极(4),以将相互对置的一对对置电极部(4a)配设于薄膜热敏电阻部上的方式形成于绝缘性基材上,薄膜热敏电阻部由TiAlN的热敏电阻材料形成,图案电极具有:TiN的接合层(5),形成于薄膜热敏电阻部上;及电极层(6),由贵金属形成于该接合层上。

    温度传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN104169699A

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201380013565.7

    申请日:2013-03-22

    Abstract: 本发明提供一种温度传感器及其制造方法,该温度传感器在针对TiAlN的热敏电阻材料层的电极结构中即使在高温环境下也不易成为高电阻,进而能够通过非烧成的方式在薄膜等上直接成膜,且具有较高的耐热性且可靠性较高。本发明的温度传感器具备:绝缘性基材(2);薄膜热敏电阻部(3),形成于该绝缘性基材上;及一对图案电极(4),以将相互对置的一对对置电极部(4a)配设于薄膜热敏电阻部上的方式形成于绝缘性基材上,薄膜热敏电阻部由TiAlN的热敏电阻材料形成,图案电极具有:TiN的接合层(5),形成于薄膜热敏电阻部上;及电极层(6),由贵金属形成于该接合层上。

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