半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101494221B

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN200810174121.2

    申请日:2008-11-07

    Inventor: 山里启介

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明涉及半导体装置。其目的是提供一种能充分地发挥静电保护元件的箝位能力,能保护内部电路免受由静电引起的电涌的破坏的半导体装置。本发明的半导体装置在半导体衬底上设置有:内部电路;利用连接配线及接地配线与上述内部电路连接的连接区及接地区;以及连接在上述连接区和上述接地区之间的静电保护元件;上述半导体衬底和上述接地配线通过以规定的密度形成于上述接地配线上的接点进行电连接,其特征是,上述规定的密度设定为从上述连接区经由上述静电保护元件至上述接地区的部分的阻抗低于从上述连接区经由上述内部电路至上述接地区的部分的阻抗。

    半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101494221A

    公开(公告)日:2009-07-29

    申请号:CN200810174121.2

    申请日:2008-11-07

    Inventor: 山里启介

    CPC classification number: H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 本发明涉及半导体装置。其目的是提供一种能充分地发挥静电保护元件的箝位能力,能保护内部电路免受由静电引起的电涌的破坏的半导体装置。本发明的半导体装置在半导体衬底上设置有:内部电路;利用连接配线及接地配线与上述内部电路连接的连接区及接地区;以及连接在上述连接区和上述接地区之间的静电保护元件;上述半导体衬底和上述接地配线通过以规定的密度形成于上述接地配线上的接点进行电连接,其特征是,上述规定的密度设定为从上述连接区经由上述静电保护元件至上述接地区的部分的阻抗低于从上述连接区经由上述内部电路至上述接地区的部分的阻抗。

    电流反馈电路
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1512663A

    公开(公告)日:2004-07-14

    申请号:CN200310123418.3

    申请日:2003-12-26

    CPC classification number: H03F3/45475 H03F3/68

    Abstract: 本发明涉及一种电流反馈电路。其在误差信号放大器使用反馈放大器以外结构的运算放大器,调整输入信号的相位特征,可以满足广域的指定频带,并且在开环频率特性中具有充分的相位富裕,可以防止振荡。把整个电路的输出电流转换为电压由输出电流电压转换单元(34)输出反馈信号、误差信号放大器(32)按此反馈信号放大整个电路的输入信号,此误差信号放大器(32)具备有具有传送电导gm的电压控制·电流输出型的运算放大器(6),使放大的输入信号作为电流输出。该运算放大器(6)具有恒流电源并且具有与传送电导gm相应的差动放大电路的特性。因此,与运算放大器(6)对应的相位调整电路由在运算放大器(6)的输出端子和接地电位之间串联连接的电阻(R31)和电容器(C31)构成。

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