公开(公告)号：CN101853841A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200910246345.4

申请日：2009-11-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柳瀬康行 ,  斋藤浩一

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/12 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/031 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种元件装配用基板，具备：绝缘树脂层、在绝缘树脂层的一个主表面设置的配线层、与配线层电连接且从配线层向绝缘树脂层侧突出的突起电极。突起电极具有大致凸状的顶部面，且至少顶部面的周边区域是曲面形状。

公开(公告)号：CN101488484B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200810189553.0

申请日：2008-10-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 斋藤浩一 ,  中里真弓 ,  臼井良辅

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/50 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01078

Abstract: 本发明涉及元件搭载用基板、半导体模块及便携装置，其中，元件搭载用基板包括：由绝缘性树脂形成的绝缘层、覆盖绝缘层表面的玻璃纤维布以及设置在贯穿玻璃纤维布的贯穿部的电极。所述玻璃纤维布与焊料的接触角比树脂与焊料的接触角大，因此，在元件搭载用基板的电极上容易精度良好地形成焊料凸起。

公开(公告)号：CN102142414A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010577667.X

申请日：2010-09-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中里真弓 ,  斋藤浩一 ,  山本哲也

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/12 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K3/4007 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/111 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0369 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种元件搭载用基板、半导体模块及便携式设备，该元件搭载用基板具有能够提高与半导体元件的连接可靠性的突起电极。元件搭载用基板(20)具有绝缘树脂层(32)、设置在绝缘树脂层(32)的一个主表面(S 1)的布线层(34)以及与该布线层(34)电连接并从布线层(34)向绝缘树脂层(32)侧突出的突起电极(36)。在该突起电极(36)上使半导体元件(50)电连接来形成半导体模块(10)。在突起电极(36)的顶部表面设置有凹部。该凹部与设置在突起电极(36)的侧面的开放口连通。

公开(公告)号：CN101916750A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN200910246346.9

申请日：2009-11-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 斋藤浩一 ,  山本哲也

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/12 ,  H01L25/00 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0312 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体模块，其是具有把设置在配线层的突起电极与设置在半导体元件的元件电极连接的结构，其中，提高突起电极与元件电极连接的可靠性。在半导体元件与配线层之间设置绝缘树脂层。与配线层形成一体且从配线层向绝缘树脂层侧突出的突起电极与设置在半导体元件的元件电极电连接。突起连接区域端部侧的配线层的局部的高度比向端部侧相反侧延伸的配线层区域的配线层高度低。

公开(公告)号：CN101488484A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200810189553.0

申请日：2008-10-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 斋藤浩一 ,  中里真弓 ,  臼井良辅

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/50 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/01078

Abstract: 本发明涉及元件搭载用基板、半导体模块及便携装置，其中，元件搭载用基板包括：由绝缘性树脂形成的绝缘层、覆盖绝缘层表面的玻璃纤维布以及设置在贯穿玻璃纤维布的贯穿部的电极。所述玻璃纤维布与焊料的接触角比树脂与焊料的接触角大，因此，在元件搭载用基板的电极上容易精度良好地形成焊料凸起。

公开(公告)号：CN1971859A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610144613.8

申请日：2006-11-09

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 须磨大地 ,  井原良和 ,  小出辰彦 ,  斋藤浩一

IPC: H01L21/331

Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括在包含活性区的半导体衬底上形成导电层和硅膜，在活性区上的硅膜上形成含第一杂质的发射极电极，用发射极电极作为掩模部分地蚀刻硅膜，形成覆盖半导体衬底的绝缘膜和覆盖发射极电极侧面的侧壁膜，在导电层和硅膜中引入第二杂质，使第二杂质到达入活性区，形成在导电层和硅膜中的部分中的含第二杂质的杂质区，以及将发射极电极中所含第一杂质扩散到硅膜中，在硅膜中形成含第一杂质的第一区和不含第一杂质的第二区。

公开(公告)号：CN1790736A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510119957.9

申请日：2005-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 斋藤浩一 ,  井原良和 ,  小出辰彦 ,  须磨大地

IPC: H01L29/73

Abstract: 本发明提供一种减小发射极层的宽度、高性能的半导体装置。该半导体装置包括：集电极层(2)，其形成在半导体基板(1)之上；含有硅的导电层(4)，其形成在集电极层之上；硅膜(5)，其形成在导电层(4)之上；发射极电极(7a)，其形成在硅膜(5)之上；侧面膜(9)，其覆盖发射极电极(7a)的侧面，所述发射极电极(7a)的底面高于侧面膜的下表面，所述硅膜的所述第2区域(5)的至少一部分位于导电层(4)与侧面膜(9)之间；杂质区域(10)，其与所述导电层相邻形成；和硅化物膜(8b)，其跨越所述第2区域(5)的所述侧面、导电层(4)的所述侧面和杂质区域(10)的所述表面形成。

公开(公告)号：CN101494213A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200810191061.5

申请日：2008-12-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 斋藤浩一 ,  冈山芳央 ,  高野洋 ,  中里真弓

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L2224/114 ,  H01L2224/116 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供元件安装用基板及其制造方法、半导体组件及其制造方法以及便携式设备。元件安装用基板具有：绝缘树脂层；在绝缘树脂层的一主表面S1设置的配线层；与配线层电连接且从配线层向绝缘树脂层侧突出的多个突起电极；在绝缘树脂层的另一主表面S2的、与多个突起电极分别对应的位置设置的对置电极。突起电极中的一部分突起电极的突出长度比其他突起电极的突出长度短，突起电极和与其对应的对置电极电容耦合，突起电极和与其对应的对置电极电连接。