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公开(公告)号：CN100377479C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN03110174.7
申请日：2003-04-15
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 万代忠男
IPC: H02K33/00
CPC classification number: B06B1/023
Abstract: 一种振动控制电路。为了使振动控制电路的振子能迅速地停止，本发明使用弹簧振动控制集成电路(12)发生断续信号，来自上述弹簧振动控制集成电路(12)的断续信号使开关元件(15)导通/截止，通过上述开关元件(15)的开关动作将断续电流供给弹簧振子(16)，使该弹簧振子(16)振动。在上述弹簧振子(16)停止振动时，将来自弹簧振动控制集成电路(12)的使弹簧振子(16)振动时的逆信号施加到开关元件，在弹簧振子(16)上产生使振动衰减的力，迅速地停止振子的振动。
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公开(公告)号：CN1758445A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510107640.3
申请日：2005-09-29
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 万代忠男
CPC classification number: H02J7/0031
Abstract: 一种开关元件及使用该开关元件的保护电路，现有的双向开关元件通过准备相同尺寸的两个开关元件实现，因此，存在不能降低成本，不能实现尺寸小型化的问题。本发明的开关元件具有沿双向形成电流经路的主要的第一开关元件；和在第一开关元件断开时，切断寄生二极管的第二开关元件。第二开关元件由于进行第一开关元件的辅助动作，故可以为小的芯片尺寸，可实现开关元件的小型化及低导通电阻化。另外，通过在保护电路中使用开关元件，实现保护电路尺寸的小型化。
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公开(公告)号：CN1254988C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN01144041.4
申请日：2001-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B06B1/023 , B06B1/0246 , B06B2201/53 , B06B2201/70
Abstract: 本发明的目的是修正振动器的谐振频率与驱动上述振动器使用的矩形波信号的频率的偏移。本发明由发生频率变化的矩形波信号的矩形波信号发生电路(20)；根据上述矩形波信号进行通、断，对振动元件(14)提供驱动电流的MOS晶体管(12)；以及检测上述矩形波发生电路的矩形波信号与振动元件的谐振频率的偏移的频偏检测电路(24)构成，利用由上述频偏检测电路检测出的检测信号调整矩形波发生电路的发生频率的偏移。
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公开(公告)号：CN1638264A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410104920.4
申请日：2004-12-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03F1/26
CPC classification number: H05B41/2825 , H05B41/2856
Abstract: 一种电流控制电路，控制来自电流吸引端子的电流，其中变压器的初级线圈连接到该电流吸引端子。第一N沟道晶体管，具有连接到电流吸引端子的源极，并且具有体二极管，该体二极管将电流从源极引向漏极。第二N沟道晶体管，具有连接到第一N沟道晶体管的漏极的漏极和连接到地的源极。第二N沟道晶体管具有体二极管，该体二极管将电流从源极引向漏极。第一和第二N沟道晶体管导通，以便将电流经由第一和第二N沟道晶体管从电流吸引端子引向地。第一和第二N沟道晶体管截止，以便阻止来自电流吸引端子的电流。而且，第一N沟道晶体管的体二极管禁止电流从地流向变压器的初级线圈。
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公开(公告)号：CN100463359C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200410104920.4
申请日：2004-12-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03F1/26
CPC classification number: H05B41/2825 , H05B41/2856
Abstract: 一种电流控制电路，控制来自电流吸引端子的电流，其中变压器的初级线圈连接到该电流吸引端子。第一N沟道晶体管，具有连接到电流吸引端子的源极，并且具有体二极管，该体二极管将电流从源极引向漏极。第二N沟道晶体管，具有连接到第一N沟道晶体管的漏极的漏极和连接到地的源极。第二N沟道晶体管具有体二极管，该体二极管将电流从源极引向漏极。第一和第二N沟道晶体管导通，以便将电流经由第一和第二N沟道晶体管从电流吸引端子引向地。第一和第二N沟道晶体管截止，以便阻止来自电流吸引端子的电流。而且，第一N沟道晶体管的体二极管禁止电流从地流向变压器的初级线圈。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1452303A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03110174.7
申请日：2003-04-15
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 万代忠男
IPC: H02K33/00
CPC classification number: B06B1/023
Abstract: 一种振动控制电路。为了使振动控制电路的振子能迅速地停止，本发明使用弹簧振动控制集成电路(12)发生断续信号，来自上述弹簧振动控制集成电路(12)的断续信号使开关元件(15)导通/截止，通过上述开关元件(15)的开关动作将断续电流供给弹簧振子(16)，使该弹簧振子(16)振动。在上述弹簧振子(16)停止振动时，将来自弹簧振动控制集成电路(12)的使弹簧振子(16)振动时的逆信号施加到开关元件，在弹簧振子(16)上产生使振动衰减的力，迅速地停止振子的振动。
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公开(公告)号：CN100495727C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510107639.0
申请日：2005-09-29
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 万代忠男
CPC classification number: H02J7/0031 , H01L27/0251
Abstract: 一种开关元件及使用该开关元件的保护电路，现有的双向开关元件因为要通过准备相同尺寸的2个开关元件来实现，所以存在不能降低成本、不能实现尺寸小型化的问题。本发明的开关元件包括在双向形成电流通路的、主要的第一开关元件；和在第一开关元件断开时，切换寄生二极管形成电路通路的第二开关元件、第三开关元件。第二、第三开关元件仅用于在第一开关元件的电流通路的切换期间流动电流，可用小的芯片尺寸，有助于开关元件的小型化或低导通电阻化。另外通过将开关元件用于保护电路，可实现保护电路的尺寸的小型化。
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公开(公告)号：CN100399579C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510107640.3
申请日：2005-09-29
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 万代忠男
CPC classification number: H02J7/0031
Abstract: 一种开关元件及使用该开关元件的保护电路，现有的双向开关元件通过准备相同尺寸的两个开关元件实现，因此，存在不能降低成本，不能实现尺寸小型化的问题。本发明的开关元件具有沿双向形成电流经路的主要的第一开关元件；和在第一开关元件断开时，切断寄生二极管的第二开关元件。第二开关元件由于进行第一开关元件的辅助动作，故可以为小的芯片尺寸，可实现开关元件的小型化及低导通电阻化。另外，通过在保护电路中使用开关元件，实现保护电路尺寸的小型化。
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公开(公告)号：CN1776911A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510125451.9
申请日：2005-11-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L29/7825 , H01L27/0266 , H01L29/0696 , H01L29/41758 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16245 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 一种半导体装置，现有的单片双型MOSFET由于构成使漏极区域共通的两个MOSFET的芯片并列的结构，故漏极区域的电阻值高，装置的导通电阻的降低有限。本发明的半导体装置，将第一源极电极连接的第一MOS晶体管和第二源极电极连接的第二MOS晶体管在一个芯片上相邻交替地配置。在第一源极电极及第二源极电极上分别施加不同的电位，两MOS晶体管通过一个栅极端子进行开关控制。由于电流沿槽周围流动，故可降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN1885561A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610094045.5
申请日：2006-06-22
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/02 , H02H9/00
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0696 , H01L29/086 , H01L29/66734
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法以及保护电路，在现有结构中，源极区域及体区域(背栅区域)与共同的源极电极接触，不能分别控制源极区域和背栅区域的电位。因此，在将这种MOSFET用于双向转换元件时，将两个MOSFET串联连接，由控制电路进行MOSFET的导通截止及寄生二极管的控制，阻碍了装置的小型化。设置与源极区域接触的第一电极层和与体区域(背栅)接触的第二电极层。第一电极层和第二电极层绝缘，分别沿与沟槽的延伸方向不同的方向延伸。可对第一电极层和第二电极层分别施加电位，进行防止因寄生二极管造成的逆流的控制。因此，可由一个MOSFET实现双向的转换元件。
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