公开(公告)号：CN1885561A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610094045.5

申请日：2006-06-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 石田裕康 ,  万代忠男 ,  牛田敦也 ,  斋藤洋明

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/02 ,  H02H9/00

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法以及保护电路，在现有结构中，源极区域及体区域(背栅区域)与共同的源极电极接触，不能分别控制源极区域和背栅区域的电位。因此，在将这种MOSFET用于双向转换元件时，将两个MOSFET串联连接，由控制电路进行MOSFET的导通截止及寄生二极管的控制，阻碍了装置的小型化。设置与源极区域接触的第一电极层和与体区域(背栅)接触的第二电极层。第一电极层和第二电极层绝缘，分别沿与沟槽的延伸方向不同的方向延伸。可对第一电极层和第二电极层分别施加电位，进行防止因寄生二极管造成的逆流的控制。因此，可由一个MOSFET实现双向的转换元件。