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公开(公告)号:CN110065931A
公开(公告)日:2019-07-30
申请号:CN201910062615.X
申请日:2019-01-23
Abstract: 本发明涉及半导体纳米晶体颗粒、多个半导体纳米晶体颗粒的群、其制造方法、和电子设备,所述半导体纳米晶体颗粒包括由化学式1表示的过渡金属硫属化物,所述半导体纳米晶体颗粒具有小于或等于约100纳米的尺寸,其中M1为Ca、Sr、Ba或其组合,M2为Ti、Zr、Hf或其组合,和Cha为S、Se、Te或其组合。化学式1M1M2Cha3。
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公开(公告)号:CN111435710B
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN201910835922.7
申请日:2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括:彼此面对的阳极和阴极;在所述阳极和所述阴极之间的量子点层;在所述阳极和所述量子点层之间的空穴传输层,所述空穴传输层配置成提高从所述阳极到所述量子点层的空穴传输性质;在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子传输层,所述无机电子传输层配置成提高从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质;以及在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子控制层,所述无机电子控制层配置成降低从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质。所述电子设备包括所述量子点器件。
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公开(公告)号:CN110890471B
公开(公告)日:2025-01-17
申请号:CN201910842105.4
申请日:2019-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开电致发光器件和包括其的显示装置。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极;设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点和具有连接至骨架结构的取代或未取代的C4‑C20烷基的第一空穴传输材料的发射层;设置在所述发射层和所述第一电极之间并且包括第二空穴传输材料的空穴传输层;以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输层。
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公开(公告)号:CN110246973B
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN201910173978.0
申请日:2019-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K99/00 , H10K101/40
Abstract: 公开了量子点器件和显示设备,所述量子点器件包括阳极、设置在所述阳极上的空穴注入层、设置在所述空穴注入层上的空穴传输层、设置在所述空穴传输层上并且包括量子点的量子点层、和设置在所述量子点层上的阴极,其中所述空穴传输层包括空穴传输材料和电子传输材料,并且在所述量子点层和所述电子传输材料之间的LUMO能级差小于或等于约0.5eV。
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公开(公告)号:CN110028948B
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN201910026870.9
申请日:2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点‑聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括:包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。
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公开(公告)号:CN111826152B
公开(公告)日:2024-04-23
申请号:CN202010311092.0
申请日:2020-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , C09K11/06 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H10K50/115 , G02F1/13357
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、量子点群、组合物、量子点聚合物复合物和包括其的显示器件。量子点包括锌、碲和硒并且不包括镉,其中所述量子点的最大发光峰存在于大于约470纳米(nm)的波长范围内并且所述量子点的量子效率大于或等于约10%,和其中所述量子点包括芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳,所述芯包括第一半导体纳米晶体。
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公开(公告)号:CN110028963B
公开(公告)日:2024-01-02
申请号:CN201910027235.2
申请日:2019-01-11
IPC: C09K11/70 , C09K11/88 , C09K11/02 , H10K59/50 , H10K59/12 , H10K50/115 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 公开量子点、量子点‑聚合物复合物、和显示装置,所述量子点包括包含第一半导体纳米晶体的芯和设置在所述芯上并且包括至少两个层的多层壳。所述量子点不包括镉;所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物,所述多层壳包括:围绕所述芯的表面的至少一部分的第一层,所述第一层包括第二半导体纳米晶体,所述第二半导体纳米晶体包括II‑V族化合物;和设置在所述第一层上的第二层,所述第二层包括第三半导体纳
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公开(公告)号:CN116387296A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202211723921.1
申请日:2022-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L27/15
Abstract: 公开显示面板、其制造方法和包括其的显示设备。所述显示面板包括发光面板和颜色转换面板。所述颜色转换面板中包括的颜色转换层发射预定的光。所述预定的光的颜色包括CIE 1931色坐标中的约0.26‑约0.35的Cx和约0.27‑约0.35的Cy的第一区域,并且在具有在所述第一区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中,第一面积百分比小于或等于约65%,其中所述第一面积百分比由下式定义:[A/B]×100%,其中A表示所述发射光谱中的具有小于或等于约470nm的波长的区域的面积,且B表示所述发射光谱中的具有小于或等于约480nm的波长的区域的面积。
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公开(公告)号:CN110010776B
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN201811464010.5
申请日:2018-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/15 , H10K85/60
Abstract: 公开电致发光器件、和包括其的显示器件。所述电致发光器件包括:第一电极;设置在所述第一电极上并且包括具有共轭结构的第一有机材料的空穴传输层;直接设置在所述空穴传输层上并且包括多个发光颗粒的发射层;设置在所述发射层上的电子传输层;和设置在所述电子传输层上的第二电极,其中所述发光颗粒包括中心颗粒和附着至所述中心颗粒的表面的亲水性配体,所述空穴传输层在任意两点处各自具有第一厚度和第二厚度,且所述第一厚度和所述第二厚度满足方程1。方程1在详细的说明书中描述。
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