公开(公告)号：CN110065931A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910062615.X

申请日：2019-01-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  多伦多大学理事会

Inventor： 闵智玄 ,  张银珠 ,  章效淑 ,  A.雅因 ,  E.萨金特 ,  O.沃兹尼 ,  L.莱维纳 ,  S.霍格兰德 ,  P.托多罗维克 ,  M.赛达米诺夫

IPC: C01B19/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G23/00 ,  C01G25/00 ,  C01G27/00 ,  C09K11/88 ,  C09K11/67

Abstract: 本发明涉及半导体纳米晶体颗粒、多个半导体纳米晶体颗粒的群、其制造方法、和电子设备，所述半导体纳米晶体颗粒包括由化学式1表示的过渡金属硫属化物，所述半导体纳米晶体颗粒具有小于或等于约100纳米的尺寸，其中M1为Ca、Sr、Ba或其组合，M2为Ti、Zr、Hf或其组合，和Cha为S、Se、Te或其组合。化学式1M1M2Cha3。