公开(公告)号：CN110065931A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910062615.X

申请日：2019-01-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  多伦多大学理事会

Inventor： 闵智玄 ,  张银珠 ,  章效淑 ,  A.雅因 ,  E.萨金特 ,  O.沃兹尼 ,  L.莱维纳 ,  S.霍格兰德 ,  P.托多罗维克 ,  M.赛达米诺夫

IPC: C01B19/00 ,  B82Y40/00 ,  C01G23/00 ,  C01G25/00 ,  C01G27/00 ,  C09K11/88 ,  C09K11/67

Abstract: 本发明涉及半导体纳米晶体颗粒、多个半导体纳米晶体颗粒的群、其制造方法、和电子设备，所述半导体纳米晶体颗粒包括由化学式1表示的过渡金属硫属化物，所述半导体纳米晶体颗粒具有小于或等于约100纳米的尺寸，其中M1为Ca、Sr、Ba或其组合，M2为Ti、Zr、Hf或其组合，和Cha为S、Se、Te或其组合。化学式1M1M2Cha3。

公开(公告)号：CN110028948B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201910026870.9

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元裕镐 ,  元那渊 ,  黄成宇 ,  张银珠 ,  权秀暻 ,  金龙郁 ,  闵智玄 ,  G.朴 ,  朴相铉 ,  章效淑 ,  田信爱 ,  韩用锡

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  H10K50/115

Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点‑聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。

公开(公告)号：CN110028968B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201910026869.6

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 章效淑 ,  元裕镐 ,  黄成宇 ,  金智荣 ,  张银珠

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  H01L33/50 ,  H10K50/115

公开(公告)号：CN105739170B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201510887861.0

申请日：2015-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰亨 ,  张银珠 ,  田信爱 ,  康玄雅 ,  金龙郁 ,  元那渊 ,  章效淑

IPC: G02F1/13357

Abstract: 本公开提供了光源以及包括光源的背光单元和液晶显示器。光源包括发射光的发光元件和将从发光元件发射的光转变为白光并发射该白光的光转换层，其中光转换层包括树脂以及与树脂混合的量子点材料，白光的彩色区的红色顶点在色坐标中位于0.65

公开(公告)号：CN110028948A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910026870.9

申请日：2019-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元裕镐 ,  元那渊 ,  黄成宇 ,  张银珠 ,  权秀暻 ,  金龙郁 ,  闵智玄 ,  G.朴 ,  朴相铉 ,  章效淑 ,  田信爱 ,  韩用锡

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点-聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。

公开(公告)号：CN105739170A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510887861.0

申请日：2015-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰亨 ,  张银珠 ,  田信爱 ,  康玄雅 ,  金龙郁 ,  元那渊 ,  章效淑

IPC: G02F1/13357

CPC classification number: F21V9/16 ,  F21V9/30 ,  G02B6/0026 ,  G02B6/0046 ,  G02B6/0051 ,  G02B6/0073 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/1336 ,  G02F1/133603 ,  G02F2001/133614 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  G02F1/133606 ,  G02F2001/133607

Abstract: 本公开提供了光源以及包括光源的背光单元和液晶显示器。光源包括发射光的发光元件和将从发光元件发射的光转变为白光并发射该白光的光转换层，其中光转换层包括树脂以及与树脂混合的量子点材料，白光的彩色区的红色顶点在色坐标中位于0.65

公开(公告)号：CN104512860A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410495213.6

申请日：2014-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉基 ,  田信爱 ,  金龙郁 ,  金泰坤 ,  元裕镐 ,  张银珠 ,  章效淑 ,  金泽勋

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: C09K11/883 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/61 ,  C09K11/612 ,  C09K11/70 ,  C09K11/705 ,  C09K11/88 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/95

Abstract: 纳米晶体颗粒及其合成方法，所述纳米晶体颗粒可包括至少一种半导体材料和卤族元素。

公开(公告)号：CN103059393A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210405260.8

申请日：2012-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田信爱 ,  康玄雅 ,  张银珠 ,  权秀暻 ,  章效淑

IPC: C08L23/08 ,  C08K3/30 ,  C09K11/00 ,  C09K11/02 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0043 ,  B82Y30/00 ,  C01B17/20 ,  C01B19/007 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/84 ,  C09K11/02 ,  C09K11/025 ,  C09K11/565 ,  C09K11/883 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/507 ,  H01L51/004 ,  H01L51/50 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 公开复合物、制备其的组合物和方法、包括其的复合膜和器件，所述复合物包括半导体纳米晶体、具有能够与所述半导体纳米晶体的表面结合的羧酸根阴离子基团(-COO-)的聚合物、和能够与所述羧酸根阴离子基团结合的金属阳离子。

公开(公告)号：CN114058374B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202110895450.1

申请日：2021-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵智玄 ,  张银珠 ,  元裕镐 ,  章效淑

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H10H20/823

Abstract: 公开了量子点、其制造方法和包括其的电致发光设备与电子设备，所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳的组成不同于所述第一半导体纳米晶体的组成。所述量子点不包括镉，所述半导体纳米晶体壳包括锌硫属化物，所述锌硫属化物包括硒、碲、硫、或其组合，并且所述量子点进一步碱性碱土金属。

公开(公告)号：CN112442371B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202010895937.5

申请日：2020-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金星祐 ,  J.A.金 ,  金泰亨 ,  朴建洙 ,  元裕镐 ,  李晶姬 ,  张银珠 ,  章效淑 ,  韩用锡 ,  郑希在

IPC: C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  H10K50/115

Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、包括其的量子点群和电致发光器件。量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌硫属化物；和设置在所述芯的表面上并且包括锌、硒和硫的半导体纳米晶体壳。所述量子点不包括镉，发射蓝色光，并呈现出具有闪锌矿结构的(100)面的通过透射电子显微镜图像的快速傅里叶变换获得的数字衍射图样，并且在所述量子点的X射线衍射光谱中，缺陷峰面积相对于闪锌矿晶体结构的峰面积的比小于约0.8:1。还公开了制造所述量子点的方法和包括所述量子点的电致发光器件。