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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110391288A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910265144.2
申请日：2019-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： J.A.基特尔 , B.J.奥布拉多维克 , R.M.哈彻 , T.拉克什特
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括沟道、栅极以及在沟道和栅极之间的多层栅极绝缘体结构。所述多层栅极绝缘体结构包括至少一个铁电层和至少一个介电层。所述至少一个铁电层和所述至少一个介电层共享至少一个界面并具有强极化耦合。
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公开(公告)号：CN110391288B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910265144.2
申请日：2019-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： J.A.基特尔 , B.J.奥布拉多维克 , R.M.哈彻 , T.拉克什特
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种半导体器件和制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括沟道、栅极以及在沟道和栅极之间的多层栅极绝缘体结构。所述多层栅极绝缘体结构包括至少一个铁电层和至少一个介电层。所述至少一个铁电层和所述至少一个介电层共享至少一个界面并具有强极化耦合。
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公开(公告)号：CN110391239B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201910170977.0
申请日：2019-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： T.拉克什特 , B.J.奥布拉多维克 , J.A.基特尔 , R.M.哈彻
Abstract: 描述了一种存储器单元和利用该存储器单元的方法。存储器单元包括至少一个铁电晶体管(FE晶体管)和与FE晶体管耦合的至少一个选择晶体管。FE晶体管包括用于存储数据的铁电电容器和晶体管。铁电电容器包括(多个)铁电材料。在一些方面，存储器单元由FE晶体管和选择晶体管组成。在一些方面，FE晶体管的晶体管包括源极、漏极和与铁电电容器耦合的栅极。在这方面，选择晶体管包括选择晶体管源极、选择晶体管漏极和选择晶体管栅极。在这方面，存储器单元的编程端口是选择晶体管源极或选择晶体管漏极。选择晶体管源极和漏极中的另一个耦合到铁电电容器。
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公开(公告)号：CN112749787A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011189121.7
申请日：2020-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半数字交叉式架构的稀疏神经网络层的优化。提供了一种方法和系统。该方法包括将二元矩阵映射到无向图形式，对映射的二元矩阵应用二路图分区算法，其使映射的二元矩阵中的分区之间的边切割最小化，递归应用贪婪算法以找到行或列排列的集合，其使非零从稀疏块到非稀疏块的转移的最大化，并根据所应用的贪婪算法稀疏或致密二元矩阵。
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公开(公告)号：CN110391239A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910170977.0
申请日：2019-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： T.拉克什特 , B.J.奥布拉多维克 , J.A.基特尔 , R.M.哈彻
IPC: H01L27/11507 , G11C11/22
Abstract: 描述了一种存储器单元和利用该存储器单元的方法。存储器单元包括至少一个铁电晶体管(FE晶体管)和与FE晶体管耦合的至少一个选择晶体管。FE晶体管包括用于存储数据的铁电电容器和晶体管。铁电电容器包括(多个)铁电材料。在一些方面，存储器单元由FE晶体管和选择晶体管组成。在一些方面，FE晶体管的晶体管包括源极、漏极和与铁电电容器耦合的栅极。在这方面，选择晶体管包括选择晶体管源极、选择晶体管漏极和选择晶体管栅极。在这方面，存储器单元的编程端口是选择晶体管源极或选择晶体管漏极。选择晶体管源极和漏极中的另一个耦合到铁电电容器。
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