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公开(公告)号：CN103579497B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310308993.4
申请日：2013-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了磁性结、磁存储器、用于提供磁性结的方法和系统。该方法和设备在基板上提供包括磁性结的磁存储器。该设备包括RIE室和离子研磨室。RIE室和离子研磨室被耦接使得磁存储器可在RIE室和离子研磨室之间移动而不将磁存储器暴露到周围环境。该方法提供磁性结层和在磁性结层上的硬掩模层。硬掩模利用RIE由硬掩模层形成。磁性结层在RIE之后被离子研磨，而不在RIE之后将磁存储器暴露到周围环境。离子研磨磁性结层限定每个磁性结的至少部分。可以提供磁性结。磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。自由层具有不大于20纳米的宽度并在写电流流过磁性结时可转换。
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公开(公告)号：CN103579497A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310308993.4
申请日：2013-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/161 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明公开了磁性结、磁存储器、用于提供磁性结的方法和系统。该方法和设备在基板上提供包括磁性结的磁存储器。该设备包括RIE室和离子研磨室。RIE室和离子研磨室被耦接使得磁存储器可在RIE室和离子研磨室之间移动而不将磁存储器暴露到周围环境。该方法提供磁性结层和在磁性结层上的硬掩模层。硬掩模利用RIE由硬掩模层形成。磁性结层在RIE之后被离子研磨，而不在RIE之后将磁存储器暴露到周围环境。离子研磨磁性结层限定每个磁性结的至少部分。可以提供磁性结。磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。自由层具有不大于20纳米的宽度并在写电流流过磁性结时可转换。
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公开(公告)号：CN109817805B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201811317318.7
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 描述了提供磁性结的方法和使用该磁性结制造的存储器。该方法包括提供钉扎层、非磁性间隔层、以及在稳定的磁状态之间可切换的自由层。非磁性间隔层在钉扎层与自由层之间。提供钉扎层和/或提供自由层包括冷却磁性结的一部分、当磁性结的所述部分冷却时沉积润湿层、氧化/氮化润湿层、以及在氧化物/氮化物润湿层上沉积无硼磁层。磁性结的所述部分被冷却到包括不大于250K的温度(们)的温度范围内。润湿层具有至少0.25个单层且不多于三个单层的厚度。润湿层包括至少一种磁性材料。无硼磁层具有大于平面外退磁能的垂直磁各向异性能。
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公开(公告)号：CN109817805A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811317318.7
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 描述了提供磁性结的方法和使用该磁性结制造的存储器。该方法包括提供钉扎层、非磁性间隔层、以及在稳定的磁状态之间可切换的自由层。非磁性间隔层在钉扎层与自由层之间。提供钉扎层和/或提供自由层包括冷却磁性结的一部分、当磁性结的所述部分冷却时沉积润湿层、氧化/氮化润湿层、以及在氧化物/氮化物润湿层上沉积无硼磁层。磁性结的所述部分被冷却到包括不大于250K的温度(们)的温度范围内。润湿层具有至少0.25个单层且不多于三个单层的厚度。润湿层包括至少一种磁性材料。无硼磁层具有大于平面外退磁能的垂直磁各向异性能。
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