公开(公告)号：CN111640463A

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN202010122849.1

申请日：2020-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： R.M.哈彻 ,  T.拉克希特 ,  J.基特尔 ,  R.森古普塔 ,  D.帕尔 ,  洪俊顾

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/402

Abstract: 本文公开了一种低输出电流和高开/关比的抗变化3T3R二进制权重单元和设备。权重单元包括：第一场效应晶体管(FET)和连接到第一FET的漏极的第一电阻性存储器元件；第二FET和连接到第二FET的漏极的第二电阻性存储器元件，第一晶体管的漏极FET连接到第二FET的栅极，第二FET的漏极连接到第一FET的栅极；第三FET；以及连接到第三FET的漏极的负载电阻器。

公开(公告)号：CN112749787A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011189121.7

申请日：2020-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： R.哈彻 ,  T.拉克什特 ,  D.帕莱 ,  洪俊顾 ,  J.基特尔

IPC: G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明涉及半数字交叉式架构的稀疏神经网络层的优化。提供了一种方法和系统。该方法包括将二元矩阵映射到无向图形式，对映射的二元矩阵应用二路图分区算法，其使映射的二元矩阵中的分区之间的边切割最小化，递归应用贪婪算法以找到行或列排列的集合，其使非零从稀疏块到非稀疏块的转移的最大化，并根据所应用的贪婪算法稀疏或致密二元矩阵。