-
公开(公告)号:CN113284888A
公开(公告)日:2021-08-20
申请号:CN202110191330.3
申请日:2021-02-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 本公开提供了半导体单元块和计算机实现方法。该半导体单元块包括布置成堆叠的一系列层。所述层包括每个具有第一高度的一个或更多个第一层以及每个具有第二高度的一个或更多个第二层。第二高度大于第一高度,并且第二高度是第一高度的非整数倍。半导体单元块还包括在该系列层之一中的具有第一单元高度的第一半导体逻辑单元以及在该系列层之一中的具有第二单元高度的第二半导体逻辑单元。第二单元高度大于第一单元高度,并且第二单元高度是第一单元高度的非整数倍。
-
公开(公告)号:CN112749787A
公开(公告)日:2021-05-04
申请号:CN202011189121.7
申请日:2020-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半数字交叉式架构的稀疏神经网络层的优化。提供了一种方法和系统。该方法包括将二元矩阵映射到无向图形式,对映射的二元矩阵应用二路图分区算法,其使映射的二元矩阵中的分区之间的边切割最小化,递归应用贪婪算法以找到行或列排列的集合,其使非零从稀疏块到非稀疏块的转移的最大化,并根据所应用的贪婪算法稀疏或致密二元矩阵。
-