公开(公告)号：CN119541572A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411182578.3

申请日：2024-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基兴 ,  俞昌植 ,  任政燉 ,  黄炯烈

IPC: G11C8/12

Abstract: 一种存储器件包括：存储体阵列，包括多个存储单元；行解码器，通过多条字线连接到存储体阵列；以及列解码器，通过多条列选择线连接到存储体阵列。存储体阵列可以包括第一区域和与第一区域不同的第二区域。针对存储在第一区域中的第一正常数据的第一元数据存储在第二区域中，并且针对存储在第二区域中的第二正常数据的第二元数据存储在第一区域中。

公开(公告)号：CN111009270A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910701403.1

申请日：2019-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东建 ,  河庆洙 ,  黄炯烈

IPC: G11C7/22 ,  G11C11/4076 ,  G11C29/42

Abstract: 提供存储器设备。存储器设备包括：时钟缓冲器，用于接收主时钟信号并提供内部主时钟信号；数据时钟缓冲器，用于接收数据时钟信号；和延迟控制电路，被配置为基于数据时钟信号产生延迟信息并将延迟信息提供给数据输入/输出电路。延迟控制电路包括：分频器，被配置为基于数据时钟信号产生二分频时钟信号；分频器，被配置为基于第一组二分频时钟信号产生四分频时钟信号；第一同步检测器，被配置为输出指示第二组二分频时钟信号是否与数据时钟信号同步的二分频对准信号；和延迟选择器，被配置为基于二分频对准信号检测四分频时钟信号的相位并且基于相位调整主时钟信号的延迟。

公开(公告)号：CN1988033B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200610166966.8

申请日：2006-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金南钟 ,  李镐哲 ,  权敬桓 ,  黄炯烈 ,  安孝珠

IPC: G11C7/10 ,  G11C29/08

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C7/1075 ,  G11C29/1201 ,  G11C29/26 ,  G11C29/48 ,  G11C2029/1802

Abstract: 本发明提供了具有可变存取路径的半导体存储器件及其方法。半导体存储器件包括多个输入/输出端口；划分成多个存储区的存储器阵列；和可变地控制在存储区与输入/输出端口之间的存取路径，以便通过至少一个输入/输出端口存取每个存储区的选择控制单元。

公开(公告)号：CN117457047A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310771675.5

申请日：2023-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李京虎 ,  金基兴 ,  吴台荣 ,  金宗哲 ,  黄炯烈

IPC: G11C11/4078 ,  G11C11/4096 ,  G11C7/22 ,  G11C7/24

Abstract: 提供半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元行；以及行锤击管理电路。行锤击管理电路将计数值作为计数数据存储在所述多个存储器单元行中的每个的计数单元中，并且执行内部读取‑更新‑写入操作，以从多个存储器单元行之中的目标存储器单元行的计数单元读取计数数据，更新读取的计数数据以获得更新后的计数数据，并且将更新后的计数数据写入目标存储器单元行的计数单元中。行锤击管理电路包括锤击地址队列。行锤击管理电路基于指示锤击地址队列的状态改变的事件信号，随机地改变更新后的计数数据。

公开(公告)号：CN115019868A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210205043.8

申请日：2022-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔民淏 ,  林栽成 ,  金经纶 ,  金大贤 ,  裴元一 ,  辛昊炫 ,  郑尚勋 ,  黄炯烈

IPC: G11C29/02

Abstract: 公开了一种电压微调电路、存储器装置和存储器装置的测试方法。该电压微调电路包括：第一电阻电路，其具有由上升码和下降码确定的第一电阻值；第二电阻电路，其具有由上升码和下降码确定的第二电阻值；以及比较器，其被配置为通过将参考电压微调节点的电压电平与反馈节点的电压电平进行比较来输出电压检测信号，其中，当参考电压微调节点的电压电平高于反馈节点的电压电平时，电压检测信号调整上升码和下降码，以增大第一电阻值并且减小第二电阻值，并且当参考电压微调节点的电压电平低于或等于反馈节点的电压电平时，电压检测信号调整上升码和下降码，以减小第一电阻值并且增大第二电阻值。

公开(公告)号：CN1988034A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610168685.6

申请日：2006-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄炯烈 ,  朴祥均

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/22

CPC classification number: G11C7/1075 ,  G11C8/16

Abstract: 半导体存储器件包括多个端口，存储器单元阵列的至少一个共享存储区域经由所述端口可访问，并且数据传输控制器耦合到所述共享存储区域和所述端口。该数据传输控制器被配置来，当与写入操作相关联的写入地址的至少一部分和与读取操作相关联的读取地址的至少一部分基本上相等时，在写入操作的写入命令之后、在施加任何其它的命令到共享的存储区域之前，施加读取操作的读取命令到共享的存储区域。

公开(公告)号：CN119495329A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411128594.4

申请日：2024-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基兴 ,  俞昌植 ,  任政燉 ,  黄炯烈

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/06 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C8/20 ,  G11C7/24

Abstract: 一种存储器件包括至少一个存储体，该至少一个存储体至少包括沿字线方向设置的第一子存储体和第二子存储体。第一子存储体可以包括与多条第一字线连接并存储正常数据的正常数据区域，第二子存储体可以包括与多条第二字线连接并存储与正常数据相对应的元数据的元数据区域，多条第一字线可以与多条第二字线相匹配以形成多个字线对，并且第一子存储体和第二子存储体可以共享行锤区域，该行锤区域存储对多个字线对的访问次数。

公开(公告)号：CN119091939A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202410708117.9

申请日：2024-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基兴 ,  吴台荣 ,  黄炯烈

IPC: G11C8/14 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26

Abstract: 公开了存储器装置。所述存储器装置包括：存储体，连接到多条字线、第一全局输入和输出(GIO)线和第二GIO线，第二GIO线被形成为在列方向上具有比第一GIO线大的长度。第一GIO线和第二GIO线中的一条可被分配给元数据。

公开(公告)号：CN119068940A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410683819.6

申请日：2024-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基兴 ,  吴台荣 ,  金宗哲 ,  李京虎 ,  黄炯烈

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/403

Abstract: 示例存储器设备包含存储单元阵列、行锤管理电路及读取‑修改‑写入(RMW)驱动器。存储单元阵列包括多个存储单元行，并且存储用于对每个存储单元行的访问次数的计数数据。行锤管理电路执行RMW操作，所述RMW操作读出对应于存储单元行当中的目标存储单元行的计数数据，更新读出的计数数据，且将更新的计数数据写入存储单元阵列中。RMW驱动器基于预充电命令生成控制信号以控制RMW操作。在从施加预充电命令的时间点起经过预定时间之后，对目标存储单元行进行预充电。

公开(公告)号：CN118571281A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410099775.2

申请日：2024-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基兴 ,  吴台荣 ,  金泽耘 ,  尹珍成 ,  郑伦在 ,  黄炯烈

IPC: G11C11/401 ,  G11C17/16

Abstract: 提供存储器模块、操作存储器模块的方法以及存储装置。所述方法包括：基于从存储器控制器接收的一次性可编程(OTP)命令进入OTP寻址模式；基于从存储器控制器接收的多个模式寄存器命令来确定保护密钥序列是否被满足；以及基于确定保护密钥序列被满足，将与包括在所述存储器模块中的多个存储器装置之中的目标存储器装置对应的唯一标识符(ID)编程到目标存储器装置中。