公开(公告)号：CN100349281C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200510005832.3

申请日：2005-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  慎烘縡 ,  金在鹤 ,  魏荣振 ,  李承珍 ,  朴起宽

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76829

Abstract: 本发明公开了用于形成互连线的方法和互连线结构。该方法包括：在半导体衬底上形成层间绝缘层，其中该层间绝缘层由掺碳的低k值介电层形成；在该层间绝缘层上形成氧化阻挡层；在该氧化阻挡层上形成氧化物覆盖层；在该氧化物覆盖层、氧化阻挡层和层间绝缘层中形成通孔；在该通孔之内形成导电层图案。

公开(公告)号：CN1649126A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510005832.3

申请日：2005-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  慎烘縡 ,  金在鹤 ,  魏荣振 ,  李承珍 ,  朴起宽

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76829

Abstract: 本发明公开了用于形成互连线的方法和互连线结构。该方法包括：在半导体衬底上形成层间绝缘层，其中该层间绝缘层由掺碳的低k值介电层形成；在该层间绝缘层上形成氧化阻挡层；在该氧化阻挡层上形成氧化物覆盖层；在该氧化物覆盖层、氧化阻挡层和层间绝缘层中形成通孔；在该通孔之内形成导电层图案。