公开(公告)号：CN116985034A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202211677137.1

申请日：2022-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢廷铉 ,  金宗圭 ,  林汪铣 ,  韩万熙 ,  洪在荣

IPC: B24B53/017 ,  H01L21/67 ,  H01L21/304 ,  B24B37/10 ,  B24B7/22

Abstract: 提供了研磨设备和使用研磨设备制造半导体装置的方法。所述研磨设备包括：夹持单元，被配置为容纳基底；研磨单元，在夹持单元的一部分上并被配置为研磨基底；以及修整单元，与夹持单元相邻地在研磨单元的一部分下方，并且包括被配置为修整研磨单元的修整板和修整板下方的磁体。

公开(公告)号：CN110655312A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910565698.4

申请日：2019-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权宁喆 ,  姜东佑 ,  韩万熙

IPC: C03B33/02

Abstract: 一种激光切割设备包括：高斯激光束发射器，被配置为发射具有高斯能量分布的高斯激光束；激光束调制器，被配置为通过减小在与发射的高斯激光束的激光切割方向平行的第一线周围的区域中的强度来调制发射的高斯激光束的形状，在平面图中第一线穿过高斯激光束的中心；聚焦透镜，被配置为聚焦由激光束调制器调制的调制高斯激光束；以及基板支撑件，被配置为待切割的基板安放在支撑件上，其中，聚焦透镜被配置为在安放在基板支撑件上的基板内收集调制高斯激光束。

公开(公告)号：CN110246779A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910173525.8

申请日：2019-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁炳国 ,  金昞豪 ,  文渊曹 ,  安正哲 ,  赵成日 ,  千大相 ,  韩万熙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供了分割半导体裸片的方法和制造半导体封装件的方法。制造半导体封装件的方法包括：将衬底设置在台面上，所述衬底包括多个半导体裸片和沿分割线的改性层，并且在所述衬底的表面上依次具有粘合膜和基膜，使得所述粘合膜和所述基膜的底表面面向所述台面，所述粘合膜和所述基膜的顶表面远离所述台面，并且所述粘合膜的底表面面向所述基膜的顶表面；通过沿横向方向对所述衬底施加力，将所述多个半导体裸片彼此分离；对所述多个半导体裸片中每一个半导体裸片的顶表面施加气体压力；以及在对所述多个半导体裸片中每一个半导体裸片的顶表面施加气体压力之后，向所述粘合膜照射紫外线。