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公开(公告)号:CN1527115A
公开(公告)日:2004-09-08
申请号:CN200310124902.8
申请日:2003-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , G02F1/133305 , G02F1/136227 , G02F2201/50 , H01L23/3192 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L27/1214 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L29/66757 , H01L51/5253 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2251/5338 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、以及一密封该半导体芯片的保护盖层。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片,还包括密封半导体芯片的保护盖层。由于使用了保护盖层,提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。
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公开(公告)号:CN103194874A
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN201310009941.7
申请日:2013-01-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: D06F39/083 , D06F39/004
Abstract: 本发明提供一种滚筒洗衣机,所述滚筒洗衣机设置有安装在排水软管上的洗涤水传感器,以容易地测量容纳在洗涤水中的洗涤剂的量。所述滚筒洗衣机包括:机壳;桶,设置在机壳内部,以容纳洗涤水;排水泵,设置在桶的下部,以泵送桶内部的洗涤水;第一排水软管,被构造为将桶连接到排水泵,使得桶内部的洗涤水被引入到排水泵;第二排水软管,被构造为将排水泵连接到机壳外部;洗涤水传感器,被构造为感测容纳在从桶排放的洗涤水中的洗涤剂的量,并且安装在第一排水软管上。
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公开(公告)号:CN100462823C
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200310124902.8
申请日:2003-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , G02F1/133305 , G02F1/136227 , G02F2201/50 , H01L23/3192 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L27/1214 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L29/66757 , H01L51/5253 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2251/5338 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、一密封该半导体芯片的保护盖层、以及一形成在该保护盖层上的绝缘区。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片,还包括密封半导体芯片的保护盖层和形成在该保护盖层上的绝缘区。由于使用了保护盖层,提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。
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