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公开(公告)号：CN110556136B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201910348734.1
申请日：2019-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了擦除非易失性存储器装置中的数据的方法和执行该方法的非易失性存储器装置。在擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据的方法中，针对各个预定循环确定用于存储器块的数据擦除特性是否变差。存储器块中具有多个存储器单元，所述多个存储器单元相对于底部衬底在竖直方向上堆叠。当确定数据擦除特性变差时，通过改变施加至用于选择存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的电压的电平来执行数据擦除操作。
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公开(公告)号：CN115954036A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211017452.1
申请日：2022-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置以及对存储装置进行编程的方法。所述方法可以包括：将编程循环应用到所述存储装置的多个存储单元以将所述多个存储单元的阈值电压调整到期望的目标状态，每个所述编程循环包括编程阶段和验证阶段；对第一页面的存储单元进行编程；存储完成将所述第一页面的存储单元编程为第一目标状态所使用的第一编程循环的数目；将第二页面的存储单元编程为所述第一目标状态，所述第二页面与所述第一页面相邻；以及对所述第二页面执行验证操作。
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公开(公告)号：CN110556136A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910348734.1
申请日：2019-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了擦除非易失性存储器装置中的数据的方法和执行该方法的非易失性存储器装置。在擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据的方法中，针对各个预定循环确定用于存储器块的数据擦除特性是否变差。存储器块中具有多个存储器单元，所述多个存储器单元相对于底部衬底在竖直方向上堆叠。当确定数据擦除特性变差时，通过改变施加至用于选择存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的电压的电平来执行数据擦除操作。
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